六氰合铁酸铜钴在蜡浸石墨电极表面的电化学沉积

首次报道了电化学沉积的混合金属六氰合铁酸盐修饰电极作为电流型传感器的研究。针对六氰合铁酸盐修饰电极在中性和碱性条件下的不稳定性，采用混合金属电沉积的方法，成功地提高了电极的稳定性，所得到的修饰电极在 ｐＨ ４～１０之间均表现出良好的稳定性。该电极的响应时间（ｔ９５％）为 ０．５ｓ，并对Ｆｅ３＋／Ｆｅ２＋电对表现出良好的电催化作用。催化氧化峰电流与Ｆｅ２＋的浓度在１．０×１０－４～６．５×１０－２ｍｏｌ/Ｌ范围内呈很好的线性关系，检测下限为 １．４×１０－６ｍｏｌ／Ｌ。     

钴—5,10,20—四（3—甲氧基—4—羟基苯基）卟啉修饰玻碳电极的L—抗坏血…

将水合５，１０，１５，２０－四－（３－甲氧基－４－羟基苯基）钴卟啉修饰在玻碳电极表面，制成ＣｏＴＭＨＰＰ修饰电极，电极稳定性好且灵敏度高，对抗坏血酸有良好的电催化氧化作用，测定线性响应范围为１．０×１０＾－５－１．０×１０＾－２ｍｏｌ／Ｌ，响应时间小于１２ｓ。本研究了电极的性质和应用，并用于药物中抗坏血酸的测定，其测定结果与碘量法一致。     

磷钼钒杂多酸—聚吡咯膜修饰电极测定污沙哑业硝酸根 …

采用电化学方法以导电基体玻碳电极上制备出磷钼钒杂多酸－聚吡咯膜修饰电极,研究了ＮＯ２＾－在该电极上的电化学行为。结果表明,磷钼钒杂多酸－聚吡咯膜修饰电极对酸性水溶液中的ＮＯ２＾－具有良好的电催化还原作用,与空白玻碳电极相比,降低过电位１０００ｍＶ以上,而且ＮＯ２＾－的浓度在５．０×１０６－６￣１．０×１０＾－２ｍｏｌ·Ｌ＾－１范围内,催化峰电流与ＮＯ２＾－浓度呈良好的线性关系,检出限可达１．０×１     

四氰基醌二甲烷修饰碳糊电极电催化氧化测定抗坏血酸

本用四氰基醌二甲烷作价体，制成ＴＣＮＱ－碳糊电极，研究了该电极的性能。电极对水溶液中的抗坏血酸在较宽的ｐＨ和浓度范围内均有良好的电催化氧化作用，电极的稳定性良好，在ＡＨ２浓度５．０×１０＾－５－５．０×１０－２ｍｏｌ／Ｌ范围内，催化峰电流与ＡＨ２浓度呈线性关系，响应时间小于３０ｓ．     

聚2,5-二甲氧基苯胺薄膜电极对氢醌的电催化作用

本文研究了电化学方法制备的聚2,5-二甲氧基苯胺(P25DMAn)薄膜电极对水溶液中的氢醌的电催化作用,以及影响催化作用的主要因素.研究结果表明,在酸性较强的水溶液中,在较宽的浓度范围内(氢醌的浓度为1×10~(-3)～1×10~(-2)mol/L)均有很好的电催化作用。催化电流与氢醌浓度呈良好的线性关系.用旋转园盘电极研究了催化过程动力学,求出了催化反应的动力学参数。这种修饰电极有很好的化学稳定性和电化学稳定性,是一种很有应用前景的修饰电极。     

四氰基醌二甲烷修饰碳糊电极催化氧化测定多巴胺

以四氰基醌二甲烷（ＴＣＮＱ）作介体,制成ＴＣＮＱ修饰碳糊电极。研究该电极的性能。该电极对多巴胺（ＤＡ）有良好的电催化氧化作用,在ＤＡ浓度６．７５×１０＾－５－６．７５×１０＾－３ｍｏｌ·Ｌ＾－１内。催化电流与ＤＡ浓度呈线性关系,响应时间小于１０ｓ。该电极用于针剂中多巴胺测量,结果较好。     

硫辛酸修饰碳纤维微电极在抗坏血酸共存下选择性测定神经递质多巴胺

本研究了硫辛酸修饰电化学活化碳纤维电极。此电极在测定脑神经递质多巴胺（ＤＡ）时，具有较高的灵敏度和较好的选择性，它能够有效地消除抗坏血酸（ＡＡ）的干扰。该电极测定多巴胺的线性范围为１×１０＾－８－１×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ；检出下限为５×１０＾－９ｍｏｌ／Ｌ。     

硅钼杂多阴离子薄膜修饰电极的研究和应用—线性扫描伏安法测定水中可溶性

本研究了以玻碳电极为基体的１：１２硅钼杂多酸根修饰电极的制备及其电化学行为，将１２－ＭＳＡ电极应用于线性扫描伏安法测定天然水中可溶性硅酸盐，结果满意，硅浓度在８．０×１０＾－７－１．７×１０＾－３ｍｏｌ／Ｌ，相对标准偏差（ｎ＝７）为１．８５％，加标回收率为９８．２％－１０３．６％，ＳｉＭｏ１２电极具有优良的选择性和稳定性。     

聚碱性品红修饰电极的制备及应用

研究了碱性品红在玻碳电极上聚合的最佳实验条件及其聚合机理，发现该修饰电极的多巴胺具有良好的催化作用，能大大提高多巴胺在的玻碳电极上的响应，在ｐＨ＝７．０的磷酸盐缓冲溶液中，用修饰电极测定巴胺的线性范围为２×１０＾－７～１×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ，检测限为１×１０＾－７ｍｏｌ／Ｌ，并且具有稳定性好，响应快，选择性等特点。     

聚吡咯水杨酸修饰电极的电化学行为及水杨酸含量测定

本用电化学方法制备了聚吡咯－水杨酸修饰电极；并进行了电化学行为的研究，经电化学处理该是电极对水杨酸根具有选择性响应，响应线性范围在１．０×１０＾－＾５－１．０×１０＾－＾３ｍｏｌ／Ｌ之间。电极斜率为４０ｍＶ／ｐＣ，该电极具有较好的稳定性，响应时间在１８０－３００ｓ之间；电极寿命可达６０ｄ。     

杂多化合物—聚吡咯膜修饰电极的制备及电化学研究

报道四元杂多化合物Ｋ１０Ｈ３「Ｎｄ（ＳｉＭｏ７ｗ４ｏ３９）２」．ｘＨ２Ｏ－聚吡咯膜修饰电极的制备及其电化学性能。该电极保持了四元杂多化合物的电化学活性和电催化性能，并具有很好的稳定性，在酸性水溶液中对ＮＯ＾－２具有明显的催化任用。     

聚N,N-双水杨醛乙二胺合钴修饰超微电极的制备及其在一氧化氮测定中应用的研究

通过电化学聚合法制备了聚Ｎ，Ｎ－双水杨醛乙二胺合钴［ｐｏｌｙＣｏ（Ｓａｌｅｎ）］修饰超微电极，研究了该修饰电极的电催化性质及其在一氧化氮（ＮＯ）测定中的应用．实验结果表明，ｐｏｌｙＣｏ（Ｓａｌｅｎ）修饰超微电极对ＮＯ的测定有高的灵敏度，ＮＯ的浓度在２．０×１０－８～２．８×１０－６ｍｏｌ／Ｌ范围内，电流与浓度呈良好的线性关系，线性相关系数为０．９９９８，检出限为１．０×１０－８ｍｏｌ／Ｌ；该电极进一步修饰Ｎａｆｉｏｎ后，生物体中常见的物质如抗坏血酸、儿茶酚胺类神经递质的代谢物、ＮＯ的氧化产物ＮＯ－２等不干扰测定．本传感器可以满足ＮＯ在体分析的需要．     

亚铁氰化钾掺杂聚中性红膜修饰电极的制备及电分析特性

对亚铁氰化钾掺杂的聚中性红膜修饰电极的制备及其电化学行为和Ｆｅ（ＣＮ）６４－在该电极上的催化作用进行了研究。结果表明,该修饰电极对Ｆｅ（ＣＮ）６４－存在较强的电催化作用,催化峰电流与Ｆｅ（ＣＮ）６４－的浓度在 １．０×１０－５～２．０×１０－３ ｍｏｌ／Ｌ范围内呈良好的线性关系,检测限可达５×１０－６ｍｏｌ／Ｌ     

掺磷钼杂多酸聚吡咯修饰铂微电极对抗坏血酸的电催化氧化

本文报道了掺磷钼杂多酸的聚吡咯修饰电极的制备方法，伏安行为及其对抗坏血酸的电催化效应，该膜电极性能稳定，对抗坏血酸的电催化效果好，抗坏血酸浓度在５×１０＾－７－１．０×１０＾－４范围内与峰电流有良好的线性关系，用于测定和蔬菜和水果中抗坏血酸获得满意结果。     

碳纤维微电极研究（ⅩⅧ）──亚甲基蓝／Nafion修饰微柱碳纤维电极测定血红蛋白的研究

研究了ＭＢ／Ｎａｆｉｏｎ修饰微柱碳纤维电极的制备方法，用扫描电镜对它的表面形态进行了观察。该电极在缓冲溶液中扫描或放置的稳定性都很好，在弱酸性介质中，对血红蛋白在碳纤维电极上的氧化有催化作用，峰电流的增加与血红蛋白的浓度在５×１０－６～５×１０－５ｍｏｌ／Ｌ范围内有良好的线性关系，对６×１０－６ｍｏｌ／Ｌ的血红蛋白测定６次的变异系数为３．５％，可用于血清中血红蛋白的直接电化学测定，探讨了电催化作用的机理。     

硫辛酸修饰电化学活化碳纤维微电极选择性测定神经递质5—羟色胺

硫辛酸修饰电化学活化碳纤维微电极是一种新型的化学修饰碳纤维微电极。碳纤维微电极经适当的电化学方法活化后，对神经递质５－羟色胺（５－ＨＴ）的灵敏度高于其代谢物５－羟吲哚乙酸（５－ＨＩＡＡ），在此基础上，用硫辛酸修饰，显著地提高了电极对５－ＨＴ的响应灵敏度，其线性范围为１×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ，检测下限为５×１０＾－９ｍｏｌ／Ｌ，同时有效地抑制了电极对５－ＨＩＡＡ的响应，并且可完全消除尿酸的干扰     

5—羟色胺敏感膜电极的研究：Ⅱ.中性载体5—羟色胺膜电极的研制和应用

通过比较６种冠醚组成的２种不同配比的１１个配方，研制出了对５－羟色胺有较好的灵敏性和较高的选择性的涂碳膜电极。电极敏感膜的活性成分是１８－冠－６，增塑剂为磷酸三（２－乙基乙基）酯。电极的线性是１．００×１０＾－２～１．７８×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ，斜率为５８．４ｍＶ／Ｐ＾５－ＨＴ，检测下限为５．０１×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ，电极寿命超过９５天。用该电极测定了１９５名健康人血小板中的５－羟色胺浓度，算术     

铁氰化镍化学修饰电报对多巴胺电催化氧化及其测定

本文采用电化学方法在导电基体电极上制备出性能追定的铁氰化锌（ＮｉＨＣＦ）修饰膜电极，对Ｎｉ－ＨＣＦ膜电极的电化学行为进行了表征，并研究了其对神经传导物质，多巴胺（ＤＡ）的电催化氧化作用。结果表明对于在空白玻碳电报（ＧＣ）上氧化电位较高的ＤＡ，ＮｉＨＣＦ在可通过媒介作用促其氧化电位降低约２００ｍＶ，大大提高了其电子转移速率；而且在ＤＡ的浓度为１．０×１０－６—１．０×１０－２ｍｏｌ／Ｌ范围内，催化峰电流与ＤＡ浓度呈良好的线性关系，检测限可达５．０×１０－７ｍｏｌ／Ｌ。用于ＤＡ药物针剂的测定，结果良好。     

氨基萘磺酸盐无保护流体室温磷光的取代基位置效应

以ＴＩＮＯ３作重原子微扰剂,Ｎａ２ＳＯ３作化学除氧剂,在无需加入任何保护介质条件下,仅需仪器光源适当照射,１－氨基４－萘磺酸盐、１－氨基５－萘磺酸盐、２－氨基１－萘磺酸盐水溶液均能产生强而稳定的室温磷光信号（ＲＴＰ）。３种氨基萘磺酸盐浓度分别在４．０×１０＾－８￣１．２×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ;１．２×１０＾－６￣１．６×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ;１．６×１０＾－７￣８．０×１０＾－６和８．０×１０＾－     

阿霉素在钴离子注入修饰电极上的电化学行为及其应用

阿霉素在０．１ｍｏｌ／Ｌ ＨＡｃ－ＮａＡｃ（ｐＨ４．６２）缓冲溶液中用注入钴的修饰玻碳电极为工作电极进行伏安测定,得到一良好的还原峰;Ｅｐ＝－０．５２２Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）。峰电流与阿霉素浓度在１．４×１０＾－６－１．４×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ和１．４×１０＾－６－５．６×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系,。