碳量子点增敏的葡萄糖分子印迹电化学传感器

以3-氨基苯硼酸为功能单体,葡萄糖为模板分子,在碳量子点和壳聚糖修饰的玻碳电极表面电聚合生成分子印迹聚合物膜,构建了无酶分子印迹电化学传感器,用于葡萄糖的高灵敏测定。采用循环伏安法(CV)、交流阻抗法(EIS)和差分脉冲伏安法(DPV)研究传感器的电化学特性及分析特性。在最优条件下,DPV电流响应的变化值与葡萄糖浓度在0.1～1.0μmol/L和1.0～300μmol/L范围内分别呈现良好的线性关系,线性方程分别为ΔI_p(μA)=3.792+23.41C (R²=0.9968)和ΔI_p(μA)=28.18+0.1316C (R2=0.9914),检出限为0.034μmol/L (3σ/k)。将此传感器应用于体液中葡萄糖的测定,回收率为95.1%～106.8%。     

电聚合分子印迹传感器测定黑茶中芦丁的含量

以芦丁作为模板分子,邻氨基酚为功能单体,在金电极表面循环伏安法电聚合具有选择性识别芦丁的分子印迹膜。以Fe(CN)3-/4-作为探针分子,采用循环伏安法(CV)、差分脉冲伏安法(DPV)、交流阻抗法(EIS)研究了印迹膜的性能、分子印迹效应。优化了测定芦丁含量的条件,芦丁浓度在5.56×10-6~2.22×10-4mol·L-1范围内,其对数与峰电流呈线性关系,线性方程为:I(μA)=9.83 lgc(mol·L-1)+14.63,检出限为1.85×10-6mol·L-1,并比较了传感器对其结构相似化合物的选择性响应,发现传感器对芦丁检测具有良好的选择性。该传感器成功应用于黑茶中芦丁含量的测定。     

金属有机骨架材料构建氯霉素电化学传感器的研究

本文通过水热合成法合成了镍-均苯三酸金属有机骨架材料(Ni_3(BTC)_2),并将其与聚丙烯酸钠(PAAS)混合后修饰到玻碳电极(GCE)表面,制得电化学传感器(Ni_3(BTC)_2-PAAS/GCE),用循环伏安法和差分脉冲法研究了传感器的响应性能,并用于水产品中氯霉素(CAP)检测。结果表明,Ni_(3 )(BTC)_2对CAP的还原具有较好的电催化作用。差分脉冲峰电流增加量与CAP浓度在3.1×10~(-9)～1.55×10~(-7)mol·L~(-1)范围内呈线性关系,线性方程为ΔI(μA)=139.72 C_(CAP)+9.9616(R~2=0.9988);在1.55×10~(-7)～9.3×10~(-7) mol·L~(-1)范围内呈线性关系,线性方程ΔI(μA)=33.109 C_(CAP)+26.596(R~2=0.9993),检出限为2.0×10~(-9) mol·L~(-1)。使用该传感器检测实际样品鲤鱼和虾肉中CAP的加标回收率在84.3%～96.6%之间。该传感器制作简单,稳定性、选择性和重复性好,可满足水产品中CAP的快速检测需要。     

磁性石墨烯修饰辛基酚印迹传感器制备及应用研究

以辛基酚(4-OP)为模板分子,多巴胺为功能单体,采用电聚合技术在磁性石墨烯修饰碳电极表面制备对辛基酚具有高选择性与灵敏性的印迹电化学传感器。采用循环伏安法(CV)和差分脉冲伏安法(DPV)对此印迹传感器的电化学性能进行详细表征;采用扫描电子显微技术对修饰电极的形貌进行表征。结果表明,此印迹电化学传感器对辛基酚具有良好的特异识别性能。采用 DPV 法考察了孵化时间和洗脱溶剂对印迹传感器性能影响,结果表明,最佳孵化时间为14 min。此印迹电化学传感器的响应电流(△IR )与辛基酚在5.0×10-6~5.0×10-9 mol/ L 范围内浓度的负对数(-lgC)呈良好的线性关系,线性方程为△IR ( mA)=-0.25lgC(mol/ L)+2.35,检出限为3.64×10-10 mol/ L (S/ N=3)。此印迹电化学传感器对辛基酚具有良好的选择性和灵敏性,成功用于实际水样中辛基酚的检测,回收率为96.0%~104.0%。     

氯丙嗪分子印迹敏感膜传感器的制备与应用

以氯丙嗪为模板分子,邻氨基酚为功能单体,在金电极表面电聚合制备具有特异性识别孔穴的氯丙嗪分子印迹敏感膜(MIP)。 采用循环伏安法(CV)、差分脉冲伏安法(DPV)等研究了印迹膜的性能、结构和分子印迹效应,并与其结构相似的化合物奋乃静和异丙嗪的选择性响应进行了比较,发现传感器对氯丙嗪具有良好的选择性。 氯丙嗪浓度在6.0×10-7～9.0×10-5 mol/L范围内与峰电流呈线性关系,线性方程为:I(μA)=61.25lg c(μmol/L)+23.47(r=0.9975),根据DL=3δb/s计算检出限为2.0×10-7 mol/L,该传感器具有良好的重复性、再生性和高灵敏度。     

桑色素分子印迹传感器的制备与应用

以邻氨基酚( o-AP)为功能单体,桑色素为模板分子,基于分子间的相互作用力,在金电极表面电聚合制备具有特异性识别孔穴的桑色素分子印迹传感器膜。采用循环伏安法( CV)、差分脉冲伏安法( DPV)等研究了分子印迹膜的性能和分子印迹效应。探索了聚合膜配比及聚合扫描圈数对传感器性能的影响,优化了洗脱时间和印迹时间。比较了此传感器对其结构相似物的选择性响应,发现其对桑色素检测具有良好的选择性。在最佳实验条件下,此传感器对桑色素浓度定量测定范围为0.05~1.70μmol/L,线性方程为I(μA)=1.0800lgc(mol/L)+9.3599, R=0.9934,检出限为0.01μmol/L。用此传感器测定黑茶样品中桑色素的含量,加标回收率为104.0%~108.0%。     

基于氧化石墨烯增敏的聚邻苯二胺分子印迹电化学传感器测定多巴胺

本工作结合分子印迹技术和电化学检测方法对多巴胺(DA)进行了快速测定。以DA为模板分子,邻苯二胺(o-phenylenediamine,oPD)为功能单体,在氧化石墨烯(GO)修饰电极表面通过一步电聚合法制备分子印迹电化学传感器。采用透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)对GO的形貌进行了表征,通过循环伏安法(CV)和差分脉冲伏安法(DPV)对传感器的电化学性能进行了分析。当DA的浓度在0.4～2000μmol·L^-1范围内时,DA在印迹电极上的DPV峰电流值与其浓度呈线性关系,检出限为8.0×10^-8 mol·L^-1;采用该方法对实际样品中的DA进行测定,回收率在92～108%之间。     

纳米氧化铜修饰的苯巴比妥分子印迹传感器的制备及其电化学性能

为了改善分子印迹传感器的灵敏度,在四丁基高氯酸铵的支持电解质溶液中,以甲基丙烯酸为功能单体,马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂在纳米氧化铜修饰过的玻碳电极上电聚合了一种苯巴比妥(PB)识别性能的分子印迹传感膜.采用循环伏安(CV)法、差分脉冲伏安(DPV)法及交流阻抗(EIS)法对这种纳米氧化铜修饰过的印迹及非印迹电极的电化学性能进行了研究,结果显示纳米氧化铜修饰过的印迹及非印迹电极的电化学性能完全不同.X射线衍射(XRD)证实纳米粒子为氧化铜.采用扫描电镜(SEM)对纳米氧化铜修饰过的印迹传感器的形貌进行分析,发现纳米氧化铜分散在电极表面,改善了修饰印迹传感器的识别点.差分脉冲伏安法(DPV)表明苯巴比妥的浓度在1.0×10-8-1.8×10-4mol·L-1范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9994);检出限2.3×10-9mol·L-1(信噪比(S/N)=3).研究结果表明纳米氧化铜修饰过的印迹传感器具有较高灵敏度及选择性.此印迹传感器能用于实际样品中苯巴比妥的检测,加标回收率在95.0%-102.5%.     

基于石墨烯-纳米金修饰分子印迹传感器测定黑茶中芦丁

在金电极表面滴涂石墨烯(GR),通过电沉积技术沉积纳米金(Au)构成石墨烯-纳米金修饰电极(Au-GR/GE)。以芦丁为模板分子,邻氨基酚为功能单体,通过电聚合反应在Au-GR/GE表面合成一种对芦丁具有特异性识别能力的分子印迹传感器膜(MIP)。采用循环伏安法(CV)、差分脉冲伏安法(DPV)研究了印迹膜的性能、结构和分子印迹效应,并与槲皮素进行了选择性响应的比较,发现此传感器对芦丁具有良好的选择性。在最佳实验条件下,其对芦丁浓度的定量测定线性范围为6.30×10-7~1.70×10-4mol/L,线性方程为I(μA)=3.8136-8.6247 lg c(mol/L),R=0.9961,检出限为2.10×10-7mol/L。     

基于石墨烯的毒死蜱分子印迹电化学传感器的制备及对毒死蜱的测定

利用分子印迹技术,以马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂,使用自由基热聚合法在石墨烯修饰的玻碳电极表面合成毒死蜱( CPF)分子印迹聚合膜,制得了CPF分子印迹电化学传感器。采用循环伏安法、线性扫描伏安法和电化学交流阻抗法等,考察了此CPF分子印迹膜的电化学性能。在最佳检测条件下,传感器的峰电流与CPF浓度在2.0×10-7~1.0×10-5mol/L范围内呈线性关系,线性方程为Ip(μA)=-7.1834-0.2424C (μmol/L),相关系数r2=0.9959,检出限为6.7×10-8 mol/L(S/N=3)。构建了CPF分子印迹电化学传感器的动力学吸附模型,测得印迹传感器的印迹因子β=2.59,结合速率常数k=12.2324 s。传感器表现出良好的重现性和稳定性,并成功用于实际水样和蔬菜样品中CPF的测定,加标回收率为94.1%~101.4%。     

利巴韦林原位聚合分子印迹电化学传感器的研制

利用原位聚合分子印迹技术,以3-氨基苯硼酸(3-ABBA)为功能单体,利巴韦林(RIB)为目标分子,以硼酸和顺式二醇在不同酸碱度条件下可逆形成环内酯键为原理,在玻碳电极表面原位聚合形成利巴韦林分子印迹膜,研制了测定利巴韦林的分子印迹电化学传感器。采用循环伏安法(CV)和差分脉冲法(DPV)对印迹膜性能进行研究。DPV测试表明:在最优实验条件下,利巴韦林的浓度在5.0×10~(-8)~1.0×10~(-5)mol/L范围内与峰电流呈良好的线性关系,相关系数(r~2)为0.995 3,检出限(S/N=3)为1.5×10~(-8)mol/L。特异性实验表明制备的传感器对利巴韦林的选择性良好。该分子印迹电化学传感器可用于食品中利巴韦林的检测。     

基于自组装与电聚合联用制备磺胺甲噁唑分子印迹传感器及特性研究

以磺胺甲噁唑为模板分子,甲基丙烯酸为功能单体,马来松香丙烯酸乙二醇脂为交联剂,采用自组装与电聚合相结合方法,制备了一种对磺胺甲噁唑具有特异性识别位点的分子印迹电化学传感器。通过循环伏安法(CV)、示差脉冲伏安法(DPV)和安培计时法(I-t)表征了该印迹传感膜的电化学性能。结果表明,该传感器具有良好的选择性和灵敏度。在5.0×10-6~2.4×10-3mol·L-1浓度范围内峰电流与浓度呈良好线性关系(R=0.9943);检测限1.67×10-7mol·L-1(S/N=3);达到稳定电流所用时间小于2s。利用此方法成功测定了药物中磺胺甲噁唑的含量。     

基于石墨烯掺杂金纳米粒子的灭除威分子印迹电化学传感器的制备与性能研究

以灭除威(XMC)为模板分子,甲基丙烯酸(MAA)为功能单体,合成的马来松香丙烯酸乙二醇酯(EGMRA)为交联剂,在石墨烯掺杂金纳米粒子修饰玻碳电极表面合成分子印迹膜,研制了测定XMC的分子印迹电化学传感器。采用扫描电镜(SEM)对传感膜的形貌进行表征,通过循环伏安法(CV)、电化学阻抗谱法(EIS)和差示脉冲伏安法(DPV)对传感器的性能进行研究。DPV测试表明,XMC的浓度在1.0×10-7~2.0×10-5mol·L-1范围内呈良好线性关系,相关系数(r)为0.997 9,检出限(S/N=3)为1.5×10-8mol·L-1。选择性识别实验结果表明,XMC印迹敏感膜的印迹因子(β)达到2.94,相对于干扰物的选择因子(α)均大于1,对与XMC结构相似的速灭威的选择因子达到2.39,说明该印迹膜对XMC具有良好的选择性。识别过程动力学研究结果表明,石墨烯掺杂金纳米粒子分子印迹传感器的动力学结合速率常数k为73.05 s。将此传感器应用于蔬菜样品的加标回收检测,加标回收率为95.4%~108.0%。     

纳米氧化铜掺杂的苯巴比妥分子印迹电化学传感器的制备及其识别性能研究

为了提高苯巴比妥分子印迹传感器的灵敏度,以甲基丙烯酸为功能单体,马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂,热聚合了一种纳米氧化铜掺杂的苯巴比妥分子印迹传感器。分别采用循环伏安法( CV)、电化学交流阻抗法(EIS)、差分脉冲伏安法(DPV)、计时电流法(CA)对这种印迹传感器的电化学性能进行了研究。分别采用红外光谱、扫描电镜对此印迹传感器的结构及形貌进行了表征。结果表明,以铁氰化钾为分子探针的间接检测中,铁氰化钾的峰电流值与苯巴比妥的浓度在1.2×10-7~1.5×10-4 mol/L范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9984),检出限(S/N=3)为8.2×10-9 mol/L。将此印迹传感器用于实际应用,回收率在96.5%~103.0%之间。     

基于石墨烯掺杂金纳米粒子的速灭威分子印迹电化学传感器

以速灭威(MTMC)为模板分子,甲基丙烯酸(MAA)为功能单体,马来松香丙烯酸乙二醇酯(EGMRA)为交联剂,在石墨烯掺杂金纳米粒子修饰玻碳电极表面合成分子印迹膜,研制了测定MTMC的分子印迹电化学传感器。采用扫描电镜(SEM)对传感膜的形貌进行了表征,通过循环伏安法(CV)、电化学阻抗谱法(EIS)和差示脉冲伏安法(DPV)对传感器的性能进行了研究。DPV测试表明,MTMC的浓度在1.0×10-7~1.0×10-4mol/L范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数为R=0.9936),检出限2.9×10-8mol/L(S/N=3)。传感器应用于蔬菜样品的加标回收检测,回收率在93.4%~106.4%之间。     

胺菊酯分子印迹电化学传感器的制备及性能

以邻氨基酚(OAP)为单体,胺菊酯为印迹分子,采用循环伏安法在玻碳电极上电化学聚合制备了胺菊酯分子印迹敏感膜。采用场发射扫描电镜(FESEM)和电化学方法对该印迹传感器进行了表征。结果表明:分子印迹传感器敏感膜洗脱前和洗脱后在形貌结构和电化学特性方面有明显的不同。以铁氰化钾为电化学探针,利用差分脉冲法(DPV)研究了传感器的响应性能,胺菊酯浓度在10.0～100nmol·L~(-1)范围内,传感器峰电流变化(△i)与胺菊酯浓度c呈线性关系,检出限(3σ)为5.8nmol·L~(-1)该传感器的响应时间为10min,测定相对标准偏差(n=7)为2.76%,回收率在96.0%～103.0%之间。     

基于分子印迹电聚合膜的酸性橙Ⅱ传感器的研究及应用

建立了一种灵敏测定酸性橙Ⅱ的伏安传感器方法。以酸性橙Ⅱ为模板分子,邻苯二胺和间苯二酚为功能单体,采用电聚合法在铂电极表面制备了酸性橙Ⅱ分子印迹传感器。以K3[Fe(CN)6]为电子传递媒介,采用差分脉冲法(DPV)和循环伏安法(CV)对传感器的识别性能进行研究,以甲醇-乙酸(7∶3)洗脱模板。研究表明:该印迹传感器对酸性橙Ⅱ分子具有良好的选择性、灵敏度和稳定性。在1.0~100.0μg/L范围内,酸性橙Ⅱ的浓度与印迹传感器的响应呈良好线性关系,检出限(S/N=3)为0.10μg/L。方法应用于饮料和啤酒中酸性橙Ⅱ的测定,结果满意。     

石墨烯-聚乙烯醇-钯复合物的制备及在克林沙星检测中的应用

用石墨烯-聚乙烯醇-钯修饰电极(GN-PVA-Pd/GCE)测定水产品中的克林沙星(CFN)。研究了CFN在GN-PVA-Pd/GCE上的电化学行为,并探讨了示差脉冲伏安法检测CFN的可行性。结果表明,在pH=10、扫速=100m V·s-1的条件下,GN-PVA-Pd/GCE修饰电极对CFN的响应效果最好,检测CFN的线性范围分为两段,在0.09~5.4μM CFN浓度区间,峰电流与CFN浓度的线性关系为I(μA)=0.998 CCFN(μM)+0.034;在5.4~72μM CFN浓度区间,线性关系为I(μA)=0.207CCFN(μM)+4.154。检出限为0.03μM(信噪比S/N=3)。GN-PVA-Pd/GCE用于检测水产品中CFN,加标回收率为96.7%~106.6%,RSD为2.8%~3.9%。     

基于石墨烯分子印迹电化学传感器测定芦丁

将石墨烯(GR)滴涂至裸Au电极表面,并以邻氨基酚为功能单体,芦丁为模板分子,制备了芦丁分子印迹膜电化学传感器,利用循环伏安法(CV)和差分脉冲伏安法(DPV)对制得的传感器进行了电化学性能研究,并且对制备条件和测定条件进行了优化。结果表明,与裸Au电极相比,该GR修饰的Au电极在[Fe(CN)_6]~(3-/4-)溶液中峰电流明显增大,显著提高了芦丁分子印迹传感器的灵敏度。在最优实验条件下,基于GR分子印迹电化学传感器在4.40×10~(-6)~2.80×10~(-4) mol/L范围内呈良好的线性关系,检测限为1.46×10~(-6) mol/L。用该传感器测定了黑茶中芦丁的含量,获得较好结果。     

纳米氧化铜修饰的苯巴比妥分子印迹传感器的制备及其电化学性能

为了改善分子印迹传感器的灵敏度, 在四丁基高氯酸铵的支持电解质溶液中, 以甲基丙烯酸为功能单体, 马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂在纳米氧化铜修饰过的玻碳电极上电聚合了一种苯巴比妥(PB)识别性能的分子印迹传感膜. 采用循环伏安(CV)法、差分脉冲伏安(DPV)法及交流阻抗(EIS)法对这种纳米氧化铜修饰过的印迹及非印迹电极的电化学性能进行了研究, 结果显示纳米氧化铜修饰过的印迹及非印迹电极的电化学性能完全不同. X射线衍射(XRD)证实纳米粒子为氧化铜. 采用扫描电镜(SEM)对纳米氧化铜修饰过的印迹传感器的形貌进行分析, 发现纳米氧化铜分散在电极表面, 改善了修饰印迹传感器的识别点. 差分脉冲伏安法(DPV)表明苯巴比妥的浓度在1.0×10^-8-1.8×10^-4 mol·L^-1 范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9994); 检出限2.3×10^-9 mol·L^-1 (信噪比(S/N)=3). 研究结果表明纳米氧化铜修饰过的印迹传感器具有较高灵敏度及选择性. 此印迹传感器能用于实际样品中苯巴比妥的检测, 加标回收率在95.0%-102.5%.