阿霉素在钴离子注入修饰电极上的电化学行为及其应用

阿霉素在０．１ｍｏｌ／Ｌ ＨＡｃ－ＮａＡｃ（ｐＨ４．６２）缓冲溶液中用注入钴的修饰玻碳电极为工作电极进行伏安测定,得到一良好的还原峰;Ｅｐ＝－０．５２２Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）。峰电流与阿霉素浓度在１．４×１０＾－６－１．４×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ和１．４×１０＾－６－５．６×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系,。     

铕的示波极谱测定及在发光材料中的应用

本文研究了铕（Ⅲ）在乙二酸双（α─氨基乙基）醚四乙酸（简称ＧＢＥＴＡ）－ＮａＣｌ介质中的极谱行为及测定最佳条件，ＧＢＥＴＡ浓度为０．０１ｍｏｌ／Ｌ，ＮａＣｌ浓度为０．４ｍｏｌ／Ｌ，通Ｎ２除Ｏ２５ｍｉｎ。最低检出限为４．２×１０－７ｍｏｌ／Ｌ，测定了发光材料ＢａＦＣｌ（Ｅｕ）中Ｅｕ（Ⅱ）的含量。     

动力学光度法测定微量乙二胺四乙酸

１引言 乙二胺四乙酸（ＥＤＴＡ）在各工业领域应用广泛。准确分析ＥＤＴＡ含量有重要的实际意义。常量ＥＤＴＡ的测定采用滴定法,微量ＥＤＴＡ的测定采用色谱和分光光度法。本文建立了一个测定微量ＥＤＴＡ的催化动力学光度方法。２实验部分２．１试剂和仪器ＥＵＹＡ标准溶液（１．０１ × １０－３ｍｏｌ／Ｌ）;丁基罗丹明Ｂ（５．０ × １０－５ｍｏｌ／Ｌ）;重铬酸钾（２．０ × １０－３ｍｏｌ／Ｌ）;硫酸（０．５０ｍｏｌ／Ｌ）。 ７２２型光栅分光光度计;５０１型超级恒温水浴器。２．２实验方法在两支１０ｍＬ比色管中,各加入…     

耐尔兰共价键合修饰石墨电极的电化学行为及对NADH的响应研究

本文报道了耐尔兰Ａ键合型石墨修饰电极的制作方法,详细研究了修饰电极的电化学行为及对ＮＡＤＨ的响应情况。在ｐＨ７．４的磷酸盐缓冲溶液中,用该电极在０ｍＶ（ｖ．ｓＳＣＥ）电位下检测ＮＡＤＨ,响应电流与ＮＡＤＨ浓度在４．３×１０－６～５．２×１０－４ｍｏｌ·Ｌ－１范围内成线性关系,检测下限为１．２×１０－６ｍｏｌ·     

锑—铜—茜素络合剂体系极谱行为的研究

在１．０ｍｏｌ／Ｌ甲酸－甲酸钠－０．０３ｍｏｌ／Ｌ邻苯二甲酸氢钾混合底液（ｐＨ３．５）中，锑－茜素络合剂（ＡＬＣ）络合物在单扫示波极谱上于一０．５３Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）产生一极谱波，加入１．６×１０＾－３ｍｏｌ／ＬＣｕ（Ⅱ）后，灵敏度有较大提高，峰电流与锑浓度在２．０×１０＾－８～３．０×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系，检测限达１．０×１０＾－８ｍｏｌ／Ｌ，研究了电极反应机理，方法应用于铜合金     

单缺位Dawson型磷钨杂多酸掺杂聚吡咯的过氧化氢传感器研究

在金电极上，用电化学方法将单缺位Ｄａｗｓｏｎ型磷钨杂多酸盐ａ２－Ｋ１０Ｐ２Ｗ１７Ｏ６１１５Ｈ２Ｏ的阴离子（Ｐ２Ｗ１７）掺杂到聚吡咯（ＰＰｙ）薄膜中，制成ＰＰｙ／Ｐ２Ｗ１７／Ａｕ的Ｈ２Ｏ２传感器。研究了它对 Ｈ２Ｏ２电还原过程的催化机理．其 ｉｐｅ与 ＣＨ２Ｏ２在 ６．０× １０－５～８． ８×１０－４ ｍｏｌ／Ｌ和８．８×１０－４～６．０×１０－３ｍｏｌ／Ｌ范围内呈良好的线性关系，检测下限为４．０×１０－５ｍｏｌ／Ｌ。用于模拟水样中Ｈ２Ｏ２的测定，结果较满意．     

镓—茜素紫极谱络合吸附波的研究

在含有０．０５ｍｏｌ／Ｌ ＨＡｃ－ＮａＡｃ（ｐＨ５．６）、０．１ｍｏｌ／Ｌ ＫＣＬ和１．５×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ茜素紫的溶液中，镓（Ⅲ）－茜素紫络合物在单扫示波极谱仪上产生一灵敏的导数极谱波，峰电位在－１．１１Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ），峰电流与镓（Ⅲ）浓度在２．０×１０＾－８ｍｏｌ／Ｌ。机理研究表明，峰电流是由吸附在电极表面的络合物中的中心离子和配位体同时还原而产生的。方法已应用于铝合金中镓的测定，结果     

冠醚存在下稀土络合物荧光体系的荧光增强效应

本详细研究了冠醚对Ｅｕ－ＴＴＡ荧光体系的增敏作用和稀土离子Ｄｙ＾３＾＋或Ｈｏ＾３＾＋对Ｅｕ－ＴＴＡ－冠醚体系的荧光强增效应。对Ｅｕ－ＴＴＡ－冠醚和Ｅｕ－Ｄｙ（或Ｈｏ）－ＴＴＡ－冠醚体系，Ｅｕ的浓度分别在１．０×１０＾－＾８－４．０×１０＾－＾６ｍｏｌ／Ｌ，１．０×１０＾－＾９－１．０×１０＾－＾７ｍｏｌ／Ｌ和１．０×１０＾－＾８－９．０×１０＾－＾６ｍｏｌ／Ｌ范围内与体系的荧光强度呈线性关系，检     

壳聚糖修饰石墨电极半微分伏安法测定L-抗坏血酸

采用滴涂法制备了壳聚糖修饰石墨圆盘电极,并用于Ｌ－抗坏血酸（ＬＡＡ）的半微分伏安法测定。研究了电解液种类及酸度、膜厚度、富集电位及时间、扫速和温度等因素对伏安曲线的影响,获得了较为优化的测试条件。在０．２０ｍｏｌ／Ｌ　ＮａＨ２ＰＯ４－Ｎａ２ＨＰＯ４（ｐＨ６．０）缓冲液中,ＬＡＡ的浓度在 １． ０×１０－５～ ６． ０ × １０－４ ｍｏｌ／Ｌ范围内与氧化峰电流呈良好线性关系（ ｒ＝０．９９９７）,检测限达６．７×１０－７ｍｏｌ／Ｌ;生物体内常见的干扰物质如亚硝酸盐、多巴胺、葡萄糖等不干扰测定。 ９次测得电极在含 ５．０ ×１０－５ ｍｏｌ／Ｌ ＬＡＡ试液中峰电流的 ＲＳＤ为３．６％,回收率为９６．４％～１０２．８％（ ｎ＝５）。已成功用于维生素Ｃ片剂和人血清中 ＬＡＡ的测定。     

3,3‘—四亚甲基—双—（1—苯基—5—吡啶酮—4—羟酸酯）极谱行为研究

ＴＰＰＣ在０．０８ｍｏｌ／ＬＣＨ３ＣＯＯＮａ和０．４ｍｏｌ／ＬＣＨ３ＣＯＯＨ（ＮａＡｃ－ＨＡｃ下同）底液条件下，在电位－１．５７Ｖ附近产生一尖锐的导数波，峰高在３．７×１０＾－６－５．６×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系，同时，讨论了极谱波的性质及电极反应机理。     

α—苯偶酰二肟修饰碳湖电极的制备及对合成水样中铜的测定

报道了α－苯偶酰二肟修饰碳湖电极的制 及对合成水样中铜的测定,在ＰＨ４．１的Ｂ－Ｒ缓冲溶液中通过在－１．２０Ｖ电位下富集Ｃｕ＾２＋后,在－０．２￣＋０．２电位一范围内作阳极溶出伏安法测定。在＋０．０４８Ｖ处有一灵敏的氧化峰,峰电流与Ｃｕ＾２＋浓度在１×１０＾－７￣１×１０＾ｍｏｌ／Ｌ范围内成良好的线性关系,检出限为５×＾－８ｍｏｌ／Ｌ。     

用流动注射法研究巯基化合物-铈(Ⅳ)-氢化可的松的化学发光反应

采用流动注射法研究了巯基化合物－铈（Ⅳ）－氢化可的松（ＨＣＲｓ）体系的化学发光行 为，对影响化学发光强度的诸因素进行试验和探讨，建立了流动注射化学发光法检测谷胱甘 肽（ＧＳＨ），半胱氨酸（Ｃｙｓ）等含巯基化合物的新方法。检测ＧＳＨ和Ｃｙｓ和线性范围分别为 ２．０×１０－６～１０．０×１０－５ｍｏｌ／Ｌ和１．０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ～１０．０×１０－５ｍｏｌ／Ｌ；检测限分别为２．０ ×１０－７ｍｏｌ／Ｌ和１．４×１０－６ｍｏｌ／Ｌ（Ｓ／Ｎ＝３）；ＧＳＨ、Ｃｙｓ加入血清中进行回收测定的回收率 为９０％～９５％，相对标准偏差小于４％。     

磷酸三丁酯增敏极谱法测定铜的研究

在０．００４ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌ－１×１０＾－３ｍｏｌ／Ｌ ＳＣＮ＾－－５×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ磷酸三丁酯（ＴＢＰ）溶液中，Ｃｕ＾２＋可在－０．４２Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）产生灵敏的极谱波，波高较无ＴＢＰ存在时增加近３倍，二阶导数峰电流与０．００５￣４．０ｍｇ／Ｌ Ｃｕ＾２＋呈线性关系。研究了极谱波性质及增敏机理，表明该极谱波为配合物吸附波，ＴＢＰ起协同吸附作用。本法已用于实际样品分析，结果满意。     

用卡尔曼滤波-分光光度法测定无机铬的形态

利用Ｋａｌｍａｎ滤波技术和二溴苯基荧光酮－溴化十六烷基三甲基铵－Ｃ_２Ｈ_５ＯＨ分光光度测定体系,同时对Ｃｒ（Ⅲ）和Ｃｒ（Ⅳ）进行测定。Ｃｒ（Ⅲ）的表观摩尔吸光系数为１．９６ × １０~５ Ｌ· ｍｏｌ~（－１）·ｃｍ~（－１）,线性范围为０～ ４．０ ｘ１０－６ｍｏｌ／Ｌ;Ｃｒ（Ⅵ）的表观摩尔吸光系数为４．１６ ×１０~５Ｌ· ｍｏｌ~（－１）· ｃｍ~（－１）,线性范围为０～５．２×１０~（－１）ｍｏｌ／Ｌ。     

差分脉冲吸附溶出法测定痕量铜

本文报道一种差分脉冲吸附溶出测定痕量铜的方法，在３．０×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ双硫腙－０．５ｍｏｌ／Ｌ，ＮａＯＨ－０．０１ｍｏｌ／Ｌ，ＥＤＴＡ底液中，在汞膜电极上于－０．５Ｖ，吸附富集铜－双硫腙配合物３ｍｉｎ，然后记录其在一０．８７Ｖ的差分脉冲阴极溶出峰，溶出峰高与铜浓度在０．５～１０ｎｇ／ｍＬ范围内有线性关系（ｒ＝０．９９８），检测限为０．３ｎｇ／ｍＬ。应用本方法测定地质化探化试样，电镀废水中的痕     

TBP碳糊修饰电极三元络合物体系测定痕量铅（Ⅱ）

研制了磷酸三丁酯（ＴＢＰ）碳糊修饰电极，在含１－苯基－３－甲基－４－苯甲酰基－５－吡唑酮（ＰＭＢＰ）的ＨＣｌ－ＫＣｌ底液中，通过电位富集，将三元络合物Ｐｂ（ＰＭＢＰ）２（ＴＢＰ）２中的铅富集在电极上，用２．５次微分阳极溶出伏安法测定铅．铅浓度在１．０×１０－９～２．５×１０－７ｍｏｌ·Ｌ－１范围内与峰高呈良好的线性关系．该电极用于铜合金和废水中铅的测定，获得满意结果．     

硫辛酸修饰电化学活化碳纤维微电极选择性测定神经递质5—羟色胺

硫辛酸修饰电化学活化碳纤维微电极是一种新型的化学修饰碳纤维微电极。碳纤维微电极经适当的电化学方法活化后，对神经递质５－羟色胺（５－ＨＴ）的灵敏度高于其代谢物５－羟吲哚乙酸（５－ＨＩＡＡ），在此基础上，用硫辛酸修饰，显著地提高了电极对５－ＨＴ的响应灵敏度，其线性范围为１×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ，检测下限为５×１０＾－９ｍｏｌ／Ｌ，同时有效地抑制了电极对５－ＨＩＡＡ的响应，并且可完全消除尿酸的干扰     

磷钼杂多酸-L-半胱氨酸自组装超分子膜电极对亚硝酸根电催化还原的研究

制备了磷钼杂多酸－Ｌ－半胱氨酸自组装超分子膜电极（Ｐ２Ｍｏ１８－Ｌ－Ｃｙｓ／Ａｕ）。采用水平衰减全反射（ＡＴＲ－ＦＴＩＲ）光谱表征了膜的组成。研究了该膜电极的电化学性质，发现它在１．０ ｍｏｌ／Ｌ　Ｈ２ＳＯ４溶液中，于０．０～０．７Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）间ＣＶ扫描出现两对稳定、可逆的氧化还原峰，其中峰电位分别为Ｅｍ１＝０．３３４ Ｖ，Ｅｍ２＝０．１８８Ｖ，对应着Ｐ２Ｍｏ１８Ｏ_(６２)~(６－)的两步２电子－２质子反应；计时库仑法计算了薄膜内的电子传递系数Ｄ为５．０１ × １０~（－８）ｃｍ２·ｓ～（－１）。该膜电极对酸性溶液中的ＮＯ_２~－有明显的电催化还原作用，初步探讨了电催化机理。用差分脉冲伏安法（ＤＰＶ）测定其还原峰电流与ＮＯ_２~－的浓度在２．０ ×１０~（－６）～２．０ × １０~（－４）ｍｏｌ／Ｌ范围内呈良好的线性关系，相关系数为０．９９５３，检测限５．０×１０~（－７）ｍｏｌ／Ｌ。该电极用于模拟水样中ＮＯ_２~－的测定，结果满意。     

甲壳素修饰碳糊电极测定痕量铜

报道了采用甲壳素修饰碳糊电极测定痕量铜的方法。通过开路富集，Ｃｕ６２＋和甲壳素形成络合物富集于电极表面，然后经介质交换，电位还原再进行阳熔出伏安测定。在浓度为３．０×１０＾－９－９．０×１２０＾－７ｍｏｌ／Ｌ范围内，峰电流与痕量铜浓度呈线性关系，检测限为１．０×１０＾－９ｍｏｌ／Ｌ。同时，对电极反应的机理进行了讨论。     

溶出伏安法测定水中痕量钴

在０．０１ｍｏｌ／ＬＮＨ．Ｈ２Ｏ－ＮＨ４Ｃｌ和３．０×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ安息香缩氨基硫脲体系中，钴产生一灵敏的还原波，其峰电位是－０．９４Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ），峰电流与钴的浓度在２．０×１０－８－１．０×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ范围内成直线关系，检测限为５．０×１０＾－９ｍｏｌ／Ｌ，该法测定水中痕量钴结果令人满意。