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使用积分球系统测量了1.319μm处45#钢反射率随温度的变化规律,通过对实验后钢片表面的能谱分析,揭示了反射率发生变化的原因。测量结果表明,钢片温度从常温升高至325℃时,表面反射率不会发生显著变化;在325℃到395℃之间,反射率从0.64降低到约0.15;在395℃与440℃之间,反射率不再发生明显变化;钢片降温过程中反射率不再发生明显变化,其值与最高温度处的数值基本相同。反射率的变化主要源于钢片表面发生的氧化反应,温度越高,氧化反应越剧烈,表面氧元素的含量就越高,反射率也就越低。 相似文献
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部分相干光被色差透镜聚焦的光谱异常现象 总被引:10,自引:10,他引:0
研究了色差透镜聚焦宽频带部分相干光,观察到在聚焦光场轴上点出现的光谱奇异现象.结果表明:与入射光的光谱比较,聚焦光场某些轴上点的光谱发生很大的变化.这种光谱变化不仅与透镜的色差有关,而且还与入射的部分相干光的相干度有关.当色差一定时,部分相干光空间相干度越大,色差对轴上点光谱的影响就越大.而当部分相干光空间相干度一定时,色差越大,轴上点光谱的变化也就越大.研究结果还表明,在一定的条件下,光谱位移会发生快速变化,即发生了光谱开关现象. 相似文献
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《光谱学与光谱分析》2016,(Z1)
作为配位化学领域的一种常见现象,热致变色的发生常可归结于化合物的发色团发生了与温度因素相关的配位环境的变化,但结构上的细微变化有时可能难以直接通过单晶X射线衍射等直接手段来测定。为了克服这一问题,我们选择对结构变化更加灵敏的原位红外测试和拉曼光谱等方法,结合磁性分析等其他手段,间接分析确认了化合物在热致变色后发生的微小结构变化。这为深入研究其热致变色机理和性质提供了一种新思路。 相似文献
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观察发现负电子环的真空度随流强呈线性变化,正电子环的真空度随流强呈非线性变化,在正电子环的弧区,真空度的非线性变化很明显。讨论了非线性变化的原因,可能是同步光电子在正电子束流横向作用下加速碰壁,发生了二次电子发射,并在一定条件下形成了束流引起的多次碰壁效应,造成了大量放气。改变正电子束流的束团填充方式来观察真空度的非线性变化,得到了与KEK-B低能环一致的实验结果,该非线性变化呈现一定的阈值性,发生非线性的条件是有足够大的单束团流强和每列足够多的连续束团。 相似文献
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运用第一性原理的方法,研究了磁性形状记忆合金Mn2NiGa在马氏体相变中晶格结构、磁结构、Mn原子d电子结构的变化.研究表明,伴随Mn2NiGa马氏体相变的发生,形成了一个由两根长键及四根短键组成的拉长八面体结构,即产生了沿z轴拉长的Jahn–Teller畸变;在相变时,位于八面体中心的Mn原子的磁矩发生显著的变化,而作为配体的Ni、Ga原子的磁矩变化很微小;Jahn–Teller畸变的发生,是由于晶体的畸变使配位场产生变化,导致Mn原子d电子态密度重新分布,从而使eg和t2g能级分裂所致. 相似文献
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应用双中心的原子轨道强耦合方法研究了理想等离子体环境中的He2 -H碰撞的电荷转移过程,计算了不同德拜半径下随入射粒子能量变化的单电子俘获过程的总截面及态选择截面.计算结果表明:随着德拜半径的变化,等离子体中原子的电子波函数及其能量本征值发生了显著的变化;而且,随着屏蔽效应的增加,发生电荷转移过程的反应通道的个数逐渐减少,因此导致总的单电子俘获截面也逐渐减小. 相似文献
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光波p分量在单轴晶体表面反射和折射的相位特性 总被引:1,自引:0,他引:1
根据单轴晶体的双折射和双反射性质,通过数值计算研究了光轴在入射面内并与晶体界面成任意角时光波p分量在单轴晶体表面反射和折射的相位特性.结果表明,光轴取向对相位变化有较大影响,光从光疏各向同性介质射入单轴晶体时,光轴方向改变反射光p分量的相位突变点,但对折射光p分量相位无影响.光从光密各向同性介质射入单轴晶体未发生全反射时,光轴方向同时影响p分量反射光和折射光的相位突变;发生全反射后,光轴方向影响反射光p分量的相位变化曲线.从单轴晶体出射到光疏各向同性介质未发生全反射时,光轴方向改变反射光p分量的相位跃变规律,折射光p分量在光轴方向和晶面成小角度时在布儒斯特角附近发生相位突变;发生全反射后,反射光p分量的相位变化曲线随光轴方向的改变发生较大变化. 相似文献
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根据单轴晶体的双折射和双反射性质,通过数值计算研究了光轴在入射面内并与晶体界面成任意角时光波p分量在单轴晶体表面反射和折射的相位特性.结果表明,光轴取向对相位变化有较大影响,光从光疏各向同性介质射入单轴晶体时,光轴方向改变反射光p分量的相位突变点,但对折射光p分量相位无影响.光从光密各向同性介质射入单轴晶体未发生全反射时,光轴方向同时影响p分量反射光和折射光的相位突变|发生全反射后,光轴方向影响反射光p分量的相位变化曲线.从单轴晶体出射到光疏各向同性介质未发生全反射时,光轴方向改变反射光p分量的相位跃变规律,折射光p分量在光轴方向和晶面成小角度时在布儒斯特角附近发生相位突变|发生全反射后,反射光p分量的相位变化曲线随光轴方向的改变发生较大变化. 相似文献
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运用第一性原理的方法,研究了磁性形状记忆合金Mn2NiGa在马氏体相变中晶格结构、磁结构、Mn原子d电子结构的变化.研究表明,伴随Mn2NiGa马氏体相变的发生,形成了一个由两根长键及四根短键组成的拉长八面体结构,即产生了沿z轴拉长的Jahn-Teller畸变;在相变时,位于八面体中心的Mn原子的磁矩发生显著的变化,而作为配体的Ni、Ga原子的磁矩变化很微小;Jahn-Teller畸变的发生,是由于晶体的畸变使配住场产生变化,导致Mn原子d电子态密度重新分布,从而使eg和t2g能级分裂所致. 相似文献
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不同取代基团会引起电子光谱发生不同的变化,为获得分子结构与电子光谱之间的关系,采用量子化学计算方法进行了理论分析。使用DFT、CIS分别对基态、激发态进行几何结构优化,再用TDDFT计算优化结果得出电子光谱。结果表明:不同取代基团都改变了碳氮环基态、激发态的几何构型,前线区域轨道能量,π电子共轭系统,这些变化都导致电子光谱发生相应变化。得出不同取代基对电子光谱的影响规律,为电子光谱分析鉴定衍生物提供了理论参考。 相似文献
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首次采用高压高温方法合成了Sr_2SiO_4:Eu~(3+)Bi~(3+)和SrSiO_3:Eu~(3+)Bi~(3+)发光材料,研究了合成压力、合成温度对发光特性的影响。与常压合成产物相比较,发光谱线发生了红移;谱线半宽度显著增大;发光强度和量子发光效率下降。X射线衍射分析得出,SrSiO_3:Eu~(3+)Bi~(3+)发生了结构相变,Sr_2SiO_4:Eu~(3+)Bi~(3+)结构未变但晶格参数发生了变化,且主衍射峰强度发生了反转。分析表明,发光特性的变化是压致晶场、库仑及自旋~轨道相互作用的变化引起的。 相似文献