用双向晶闸管保护霍尔元件

在霍尔元件测磁场的实验过程中,由于霍尔元件无保护电路,在线路接错和操作不正常的情况下,经常造成大电流损坏霍尔元件,严重影响正常的教学工作．我们在实践中经过电路改进,增加保护电路后,有效地防止了这种故障的发生．１工作原理 霍尔元件Ｉ 端在正常工作情况下,流过Ｉ端的电流绝对值小于６ｍＡ,Ｒ１取值为３３０ ,其两端压降小于 ２Ｖ,经 Ｄ１或 Ｄ２, Ｗ１至 Ｔｈ１的门极 Ｇ,此电压达不到 Ｔｈ１门极的导通电压 ｕｇＴｈ１不导通,流过Ｔｈ１主端子Ｔ１－Ｔ２的电流为零,所以加入保护电路后对测量结果无影响．当线路不正…     

霍尔电压的简化测法

一、引言用霍尔元件测量磁场这一实验,现在教学中一般的测法是:对同一场点,利用磁场方向与元件工作电流方向的四种不同的组合,测取四个电压值,再由此四值算出霍尔电压,此法测量次数较多,计算量大。本文提出的简化测法是:只需测量磁场与电流的     

设计一种霍尔元件的保护装置

大学物理实验中，“用霍尔效应法测量磁场”实验是工科各专业必做的实验之一，由于学生因接错线路而导致霍尔元件被烧毁．一个学期下来总得有六七台甚至更多．为改进这个实验装置，通过研究，如果在霍尔元件电流输入端和电压输出端各串联一个额定电流为32mA的保险丝就能达到这个目的．     

用霍尔元件测微小位移

利用霍尔元件的磁电阻效应与磁感应强度的平方成正比这一关系，通过改变磁铁与霍尔元件的距离引起霍尔元件的电阻改变，再把这一电阻信号转换为电压信号，测量电压信号从而得到与之对应的位移量。     

利用霍尔元件测量金属丝的弹性模量

将霍尔元件应用于拉伸法测弹性模量实验,直接测量了微小位移.结果表明,霍尔元件在均匀梯度磁场中霍尔电压与微小位移有良好线性关系,采用拟合法计算得到钢丝弹性模量为1.96×1011 Pa.     

InSb霍尔传感器输出电压温度特性的研究

对InSb霍尔元件在－135～65℃内的霍尔电压的温度特性进行了测量,研究在恒流源和恒压源条件下其输出电压随温度的变化情况,并对其工作温度、线性范围及应用进行了探讨。     

设计一种霍尔元件的保护装置

1引言 大学物理实验中，“用霍尔效应法测量磁场”实验是工科各专业必做的实验之一，笔者已给学生上这个实验许多年，深感这个实验装置必须改进；因为在实验中，虽然笔者再三强调不要把励磁电流接至霍尔元件上，仍然有部分学生因接错线路而导致霍尔元件被烧毁．由于上大学物理实验课的学生多，仪器的使用率特别高，所以一个学期下来总有六七台甚至更多台霍尔效应实验仪中的霍尔元件被烧毁而需更换．     

对称测量法在用霍尔元件测磁场实验中不容忽视

用霍尔元件测磁场时,一般采用对称测量法支消除各种附加电压的影响 ,当出现某种随加 压大于霍尔电压的特殊情况时,该测量方法更和要。     

霍尔效应误差分析及霍尔应用

霍尔效应是研究半导体性质的重要手段,但霍尔电压的测量受到多种副效应的影响。通过分析误差来源加实验论证来探索对称测量法的优势,并且发现除四种常见热磁效应以外,仍存在附加电压。经过一些研究,提供了一些减小误差的方案。考虑到大学物理实验中没有设计霍尔效应的生活应用,本文简单介绍了霍尔开关原理及应用,希望通过本文对教学改革有进一步的推进作用。     

高性能石墨烯霍尔传感器

本文回顾了石墨烯霍尔传感器的相关研究工作.通过改善石墨烯生长转移和霍尔元件的微加工工艺,石墨烯霍尔元件和霍尔集成电路都展示出超越传统霍尔传感器的优异性能.石墨烯霍尔元件的灵敏度、分辨率、线性度和温度稳定性等重要指标都优于传统商用霍尔元件.通过开发一套钝化工艺,霍尔元件的稳定性有了明显提升.结合石墨烯材料的特点,展示了石墨烯在柔性磁传感和多功能传感领域的新颖应用.此外,成功实现了石墨烯/硅互补型金属-氧化物-半导体(CMOS)混合霍尔集成电路,并进行了应用展示.通过发展一套低温加工工艺(不超过180℃),将石墨烯霍尔元件制备在硅基CMOS芯片的钝化层上,从而与硅基CMOS电路实现了单片集成.本文的研究结果表明石墨烯在霍尔磁探测方向拥有重大的性能优势,在产业化应用中有巨大发展潜力.     

霍尔效应与汽车上的霍尔器件

在国产桑塔纳、奥迪、红旗、捷达等轿车电路上经常可以看到"霍尔"(Hall)这个名称,如霍尔式电子点火系统中就有一只霍尔传感器,专门给发动机电控单元(ECU)提供电压信号.     

利用霍尔效应测模拟轮毂转速

利用霍尔效应制作测量模拟轮毂转速实验装置,根据霍尔元件和光电门的工作原理,通过脉冲计数的方法来模拟实现轮毂转速测量。通过实验结果与理论值进行比较,发现二者在实验误差允许的范围内非常吻合。     

对称测量法在霍尔元件测磁场中的应用

在用霍尔元件测磁场时,一般采用对称测量法以消除各种附加电压的影响,当出现某种附加电压大于霍尔电压这种特殊情况时,该测量方法更为必要．     

基于霍尔效应测量电磁辐射的研究

电磁辐射带来的危害近些年来逐渐引起人们的关注,研究便携式电磁辐射检测仪成为当下的一个热点。为了探究利用霍尔效应测量电磁辐射的方法与效果,我们利用AH49E线性霍尔传感器进行实验。首先让霍尔元件表面垂直于磁场方向,分别对静磁场和交变磁场的强度进行了测量,实验结果很好地验证了利用霍尔元件测量电磁辐射的可行性;接着,让3个霍尔元件相互正交,从而得到一个简易的全向探头;将全向探头固定在与磁场方向呈不同夹角的位置,进行验证实验,结果显示全向探头可以很好地测量任意方向的磁场强度。     

室温下石墨烯的霍尔效应实验研究

对用化学气相沉积法(CVD)研制的长、宽均为1.23 cm,厚度为3个原子层尺寸的石墨烯样品,进行了室温下的霍尔效应相关研究。实验中电极与石墨烯之间有良好的欧姆接触。通过范德堡法测量了样品在磁场强度为0.353 T,不同电流强度下的霍尔电压,并对结果进行处理分析,得到石墨烯的霍尔系数RH=7.00×10-7m3/C、载流子浓度n=10.52×1024/m3、霍尔元件乘积灵敏度KH=6.87×102m2/C。     

对称测量法在霍尔元件测磁场中的应用

在用霍尔元件测磁场时，一般采用对称测量法以消除各种附加电压的影响，当出现某会加电压大于霍尔电压这种特殊情况时，该测量方法更为必要。     

霍尔效应实验的智能化

利用单片系统控制霍尔效应实验过程，智能化地验证霍尔效应理论、测量给定元件的霍尔灵敏度，并且通过磁场的变化模拟了实际的控制系统，从而使学生对霍尔效应的理论、实验及应用有了充分的认识。     

霍尔元件测螺线管磁场分布实验的改进

现用霍尔元件测螺线管磁场分布实验仪为提供1×10 2T的磁感应强度,采用增大螺线管线圈层数和电流的方法.由于管内温度高,霍尔元件易损,实验数据也不稳定.本文以集成霍尔元件代替锗霍尔元件,可在线圈安匝数较小的条件下,使测量数据稳定、准确,且教学效果很好.     

霍尔电压和磁感应强度关系的实验探究

利用电压和磁感应强度传感器定量验证了霍尔元件的输出电压与磁感应强度的线性关系,体现了DIS(数字化信息系统)实验的优越性.     

霍尔效应实验的改进

根据电磁学屏蔽原理及霍尔元件的特性,提出霍尔效应实验的卫些改进方法,间通过实际实际测量结果的比较,论证了该实验改进后的可行性及适应性。