Ge2 Sb2 Te5相变薄膜光学及擦除性能研究

利用蓝绿激光对非晶态Ge2Sb2Te5 相变薄膜进行擦除性能的研究,分别用1000 ns,500 ns,100 ns,60 ns脉宽的蓝绿激光进行实验.结果表明,一定脉宽下,反射率对比度随擦除功率的增加而增大.并且,在1000 ns,500 ns,100 ns,60 ns的激光作用时间范围内,非晶态薄膜均可转变成晶态.对于脉宽为60 ns的蓝绿激光,擦除功率大于4.49 mW以后,薄膜的反射率对比度高于15％,这表明Ge2Sb2Te5相变薄膜在短脉宽、低擦除功率条件下,可具有较高的晶化速度.同时,分析了非晶态和晶态Ge2Sb2Te5相变薄膜的光谱特性,对比研究了780 nm,650 nm,514 nm和405 nm波长处的反射率和反射率对比度,提出了Ge2Sb2Te5相变薄膜用于蓝光光盘的改进方法.     

LD脉冲侧面泵浦Nd∶YAG电光调Q低重频窄脉宽紫外激光器

介绍了在1~20 Hz电光调Q情况下,半导体脉冲激光侧面泵浦Nd∶YAG晶体腔外四倍频266 nm紫外激光器的输出特性.实验采用直腔结构,在腔外分别利用KTP和BBO晶体产生532 nm倍频绿光、266 nm四倍频紫外激光.当泵浦电流为120 A、重复率为1 Hz时,266 nm紫外激光最大单脉冲能量为15.4 mJ、脉宽8 ns,峰值功率高达1.93 mW;重复率20 Hz时,获得了最大平均功率为156.2 mW的266 nm紫外激光输出,四倍频的转换效率为10.63％.同时利用一组分光镜,获得了352 mW的532 nm脉冲绿光和423 mW的1 064 nm脉冲红外光输出.     

LD端面泵浦腔内倍频Yb:YAG绿光激光器

报道了一种激光二极管(LD)端面泵浦10at%掺杂Yb:YAG激光晶体(4×4×1mm)和Ⅰ类临界相位匹配LBO的腔内倍频全固态绿光激光器.为了克服"绿光问题",采用了两个激光二极管偏振耦合系统.在双路泵浦功率为1.2W时,获得最高功率为40mW525nm的连续基模激光输出.在腔内插入Cr4+:YAG饱和吸收体被动调Q,在泵浦功率为1.2W时,可以获得平均功率为5.2mW,脉冲重复频率为2.44kHz,脉冲宽度为51.5ns,峰值功率为41.7W的515nm脉冲激光输出.输出波长发生变化,而且515nm脉冲激光输出的阈值仅为728mW.     

LD端面泵浦腔内倍频Yb∶YAG绿光激光器

报道了一种激光二极管（LD）端面泵浦10at％掺杂Yb∶YAG激光晶体（4×4×1 mm）和Ⅰ类临界相位匹配LBO的腔内倍频全固态绿光激光器.为了克服“绿光问题”,采用了两个激光二极管偏振耦合系统.在双路泵浦功率为1.2 W时,获得最高功率为40 mW 525 nm的连续基模激光输出.在腔内插入Cr4＋:YAG饱和吸收体被动调Q,在泵浦功率为1.2 W时,可以获得平均功率为5.2 mW,脉冲重复频率为2.44 kHz,脉冲宽度为51.5 ns,峰值功率为41.7 W的515 nm脉冲激光输出.输出波长发生变化,而且515 nm脉冲激光输出的阈值仅为728 mW.     

LD泵浦Nd~(3 )∶GdVO_4/Cr~(4 )∶YAG固体激光器

通过合理设计,精密调控各元件和温控电流,得到了平均功率为70mW,脉冲宽度为22ns,重复频率为14kHz,峰值功率高达230W的Nd3 ∶GdVO4/Cr4 YAG绿光脉冲激光器·腔外采用望远镜系统聚焦,经KTP晶体倍频后,得到了平均功率为28.8mW,脉冲宽度为19ns,重复频率为14kHz,峰值功率高达108W的绿光激光输出,转换效率高达·指出了小光斑对倍频晶体带来的影响·     

LD泵浦Nd∶YAG/Cr∶YAG腔外频率变换高功率紫外激光器

用KTP晶体对激光二极管端面泵浦的Nd∶YAG晶体,Cr∶YAG被动调Q产生的1064 nm脉冲激光器进行腔外倍频,用BBO晶体四倍频产生266 nm紫外激光.用15 W的LD阵列,当LD泵浦功率为12 W的情况下,红外(1064μm)调Q平均输出功率为2.2 W,脉冲序列周期为40μs,脉宽为18 ns,峰值功率高达4.9 kW.采用KTP腔外二倍频,532 nm的绿光输出平均功率为850 mW;用BBO腔外四倍频,266 nm的紫外光输出平均功率高达215 mW,绿光-紫外光光转换效率为25.2%,红外到紫外总的转换效率为9.8%.     

LD泵浦Nd：YAG/Cr：YAG腔外频率变换高功率紫外激光器

用KTP晶体对激光二极管端面泵浦的Nd:YAG晶体;Cr:YAG被动调Q产生的1064nm脉冲激光器进行腔外倍频,用BBO晶体四倍频产生266 nm紫外激光.用15 W的LD阵列;当LD泵浦功率为12 W的情况下;红外(1064 μm)调Q平均输出功率为2.2 W;脉冲序列周期为40 μs;脉宽为18ns;峰值功率高达4.9kW.采用KTP腔外二倍频;532nm的绿光输出平均功率为850mW;用BBO腔外四倍频;266nm的紫外光输出平均功率高达215mW，绿光-紫外光光转换效率为25.2%, 红外到紫外总的转换效率为9.8%.     

缺氧La0.6Ca0.4MnO3-δ薄膜的光响应特性

采用波长均为532 nm的连续激光和脉冲激光研究了缺氧La0.6Ca0.4MnO3-δ(LCMO)薄膜的光响应特性。分析了在金属态和绝缘态时,缺氧对LCMO薄膜光响应的不同影响。在脉冲宽度7 ns、峰值功率750 mW的脉冲激光作用下,缺氧LCMO薄膜在室温下呈现出明显的光响应信号,其光电导增大36.4%,上升时间约30 ns。由于光子能量大于LCMO的禁带宽度,光子注入在薄膜中产生了电子-空穴对,而电子很容易被氧空位俘获,从而在薄膜中产生大量额外的空穴载流子,大量的空穴载流子可能诱发局域绝缘-金属相变,从而在薄膜中产生明显的光电导效应。实验显示出缺氧钙钛矿薄膜在光电器件上的巨大应用潜力。     

LD泵浦腔外倍频高转换效率Nd~(3 )∶GdVO_4固体激光器

通过合理设计精密调控各元件和温控电流,得到了平均功率为70mW,脉冲宽度为22ns,重复频率为14kHz,峰值功率高达230W的Nd3 ∶GdVO4/Cr4 YAG红外脉冲激光器.先采用双凸透镜组合成的望远镜系统对1063nm的红外激光进行扩束,再对该光束聚焦,最后经双轴晶体LBO倍频后,得到了平均功率为40.6mW,脉冲宽度为16ns,重复频率为14kHz,峰值功率高达181W的绿光激光输出,1063nm→532nm的转换效率高达58%.测量了532nm的光谱线宽曲线.解释了该聚焦方法比单一薄透镜效果明显好的原因,并指出了这种聚焦方法的使用对象.     

二硫化钨的制备、表征及其在全固态绿光脉冲激光器中的应用

二硫化钨(WS_2)因其具有带隙可调谐、载流子迁移率较高和吸收波段较宽等优异的光学特性,在脉冲激光器领域中有着广泛的应用。本文首先采用锂离子-插层法获得了WS_2纳米片溶液,通过超声、离心、旋涂、烘干等流程成功制备了性能优异的WS_2可饱和吸收体。其次,利用拉曼、AFM等方法对WS_2-SA进行了系统地表征分析,结果表明所制备的WS_2-SA表面薄膜是少层层状二维结构。最后,将WS_2-SA作为全固态绿光脉冲激光器的调Q器件,利用非线性光学晶体PPLN进行倍频,获得了稳定的被动调Q绿光脉冲激光输出。当吸收泵浦功率为6.66 W时,最大的平均输出功率为407.5 mW,输出脉冲宽度为360 ns,重复频率为1.16 MHz。     

Read—out of a read—only super—resolution optical disc with a Si mask

A novel read-only super-resolution optical disc structure (substrate/mask layer/dielectric layer) is proposed in this paper. By using a Si thin film as the mask layer, the recording pits with a diameter 380nm and a depth 50nm are read out on the dynamic measuring equipment; the laser wavelength α is 632.8nm and the numerical aperture is 0.40. In the course of reproduction, the laser power is 5mW and the rotation velocity of the disc is 4m·s^-1. The optimum thickness of the Si thin film is 18nm and the signal-to-noise ratio is 32dB.     

GeSb_2Te_4相变光存储薄膜材料的短波长静态记录特性的研究

研究了单层ＧｅＳｂ２Ｔｅ４真空射频溅射薄膜在４００ｎｍ～８３０ｎｍ区域的吸收、反射光谱和光学常数（ｎ，ｋ），发现ＧｅＳｂ２Ｔｅ４薄膜在４００ｎｍ～６００ｎｍ波长范围内具有较强的吸收。在短波长静态测试仪上测试了ＧｅＳｂ２Ｔｅ４薄膜的光存储记录特性，发现在５１４．５ｎｍ波长用较低功率的激光辐照样品时薄膜在写入前后的反射率变化较大，擦除前后的反射率对比度较低，可通过膜层设计来提高     

膜厚对射频磁控溅射法制备的SnS薄膜结构和光学性质的影响

利用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备SnS薄膜,用X射线衍射(XRD)、能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)、场发射扫描电镜(FE-SEM)和紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)分别对所制备的薄膜晶体结构、组分、表面形貌、厚度、反射率和透过率进行表征分析。研究结果表明:薄膜厚度的增加有利于改善薄膜的结晶质量和组分配比,晶粒尺寸和颗粒尺寸随着厚度的增加而变大。样品的折射率在1 500~2 500 nm波长范围内随着薄膜厚度的增加而增大。样品在可见光区域吸收强烈,吸收系数达10⁵ cm^-1量级。禁带宽度在薄膜厚度增加到1 042 nm时为1.57 eV,接近于太阳电池材料的的最佳光学带隙(1.5 eV)。     

偶氮接枝的聚氨酯薄膜作为光存储介质的实验研究

利用旋涂法，通过接枝共聚方法制备具有偶氮侧基的聚氨酯高分子聚合物薄膜。利用二倍频YAG激光(532nm)作为激发光，白光光源作为参考光，在室温下测试了该薄膜在激发光作用前后的吸收光谱，发现该薄膜在430一530nm内有较强的吸收。最后给出激发光强度的增大和撤去激发光后，随着无光照时间的延长，380nm与520nm波长处吸收强度的变化趋势。     

偶氮染料掺杂高分子薄膜的光谱和光存储性质研究

利用旋涂法,制备了以二乙基胺基〖Ｎ（ＣＨ２ＣＨ３）２〗作为推电子基因、以具有强电负性的羧基（ＣＯＯＨ）作为拉电子基团的推－拉型偶氮染料掺杂的高分子（ＰＭＭＡ）薄膜。在室温下测试了该偶氮染料在溶液和薄膜态的吸收光谱、薄膜态的反射光谱和透过光,发现该薄膜在４００～５５０ｎｍ波长范围内具有强的吸收。在５１４．５ｎｍ光盘静脉测试仪上测试了膜片的静脉光存储性能,结果表明,用低功率Ａｒ＾＋激光（５１４．５ｎ     

镀含弱吸收膜两层膜系长周期光纤光栅谐振特性及其优化

采用严格的耦合模理论,建立了两层膜系长周期光纤光栅复特征方程,用微扰法对复特征方程进行求解,结果和D.V.Ignacio的结论相符.求得的谐振波长表明其随膜层厚度和膜层折射率变化明显,受消光系数影响很小.重点提出了两种途径来优化膜层参量组合,以获得较大的谐振波长偏移量,计算结果显示,参量组合取值为(h_3=122.76 nm,h_4=400 nm)和(n_3=1.572 2,h_4=400 nm)时,谐振波长偏移量分别为10.35 nm和11.74 nm,远高于只镀一层敏感膜LPFG的偏移量2.78 nm,从而证明敏感膜层厚度(h_4)较大的参量组合可提高传感器的灵敏度.     

基于有机薄膜晶体管的光写入多级存储器

由于依靠不断缩小存储单元尺寸来提升单位面积存储能力的传统方法将会面临着器件尺寸的物理极限等瓶颈,人们逐渐将目光投向了能够在单一器件上实现高密度存储的多级存储器件。本文利用有机薄膜晶体管中存在的持续光电导率(PPC)效应制备了一个光写入操作的多级存储器件,有效地避免了电写入操作对器件的接触破坏性和较大功耗问题。研究了在不同功率(60,100,150μW/cm 2)和不同持续时间(50~1000 ms)700 nm光写入脉冲作用下的器件存储状态,器件在光功率为60μW/cm 2、持续时间为100 ms的光脉冲下展现出了低至0.189 nJ的极低工作功耗。通过对器件施加16个连续光写入脉冲证实器件具有16个有效的存储状态,实现了存储容量为4 bits的多级光写入存储功能。     

丁二炔衍生物的制备及其光学特性

利用一步酯化法并进一步通过重结晶纯化法成功地合成了含螺吡喃基团的丁二炔衍生物,并对其进行了~1H NMR、质谱、元素分析、DSC、TGA和红外表征。测试结果表明,样品的熔点为55℃,具有较好的热稳定性,直到282℃才开始分解。接着对样品进行了光学测试,紫外光谱表明,经254 nm紫外光照射后,其最大吸收峰大约位于564 nm。荧光光谱表明,其最大荧光发射波长位于大约650 nm。化合物膜的耐疲劳测试表明,样品具有很好的耐疲劳性。     

Au/SiO2纳米复合型材料的光吸收性质

在室温下用离子束溅射沉积工艺在石英基材上生成Au-SiO2复合薄膜。把生成薄膜从500~900℃(分别保温5 min)分五个不同温度进行退火处理。用X光衍射方法(XRD)对薄膜结构进行了测试,得到Au-SiO2纳米复合薄膜未退火(as-dep)和退火后的X射线衍射谱;透射电子显微镜(TEM)观察了经过700℃退火处理复合薄膜中Au粒子在薄膜中分布状态和颗粒大小。用分光计测试薄膜光吸收特性,吸收光谱范围为190~1000 nm,发现退火温度从500~700℃,光谱吸收峰有明显红移存在,而在更高温度吸收峰的位置和强度几乎都不变。这与X射线衍射检测吻合。并用德鲁特(Drude)模型给于理论解释。     

偶氮染料掺杂高分子PMMA薄膜的光学参数

在单晶硅片上,利用旋涂法,制备了偶氮染料掺杂高分子（ＰＭＭＡ）薄膜,可变入射角、波长扫描的全自动椭圆偏振光谱仪,研究了薄膜的复折射率、吸收系数和厚度,分析了影响薄膜电子光谱的因素。研究结果表明,该薄膜在４００～６００ｎｍ波长范围内,存在强而宽的吸收,并且发现分子聚集状态对该染料的吸收光谱有较大的影响。