有机磷光材料的固态阴极射线发光研究

采用有机磷光材料三-(2-苯基吡啶)-铱(Ir(PPY)₃)与无机材料SiO₂复合制成夹层结构器件,用交流电压驱动获得了Ir(PPY)₃主峰位于517nm的发光和主峰位于435nm的蓝色发光.通过分析器件的光谱特性,发现这两个发光峰都是源于SiO₂中加速电子直接碰撞激发有机层引起的固态阴极射线发光.继实现多种有机聚合物材料和有机小分子材料八羟基喹啉铝(Alq₃)的固体阴极射线发光之后,又证实了有机 关键词： 夹层结构器件 有机磷光材料 固态阴极射线发光     

阴极射线发光材料的进展

本文介绍阴极射线发光材料的一些重要特性以及最近在国外荧光粉新牌号的编排和命名。详细评论了按不同用途分类的荧光粉的最近发展,并对新发展的阴极射线发光单晶薄膜屏和阴极射线发光中的能量传递进行综述。     

阴极射线发光材料的进展

本文介绍阴极射线发光材料的一些重要特性以及最近在国外荧光粉新牌号的编排和命名。详细评论了按不同用途分类的荧光粉的最近发展,并对新发展的阴极射线发光单晶薄膜屏和阴极射线发光中的能量传递进行综述。     

阴极射线发光的激发和效率问题

(一)引言 关于阴极射线发光的激发机理虽然已经大致有所了解,但进一步的更具体的认识则又很不成熟。对阴极射线发光激发的了解,关系到阴极射线发光效率的提高,而提高效率实际上就是提高亮度或降低电压。这些都是应用中极其重要的问题。 阴极射线发光的能量效率最高不超过25％,一般在20％以下。稀土发光材料的效率则多数不到15％。如何提高发光材料的效率?多年来多半都是凭经验:试验,失败,再试验,     

第五章 阴极射线发光材料

Ⅴ.1 概述 按世界生产规模阴极射线发光材料在灯用发光材料之后占第二位。其中用于黑—白和彩色电视显像管中的发光材料具有最大的意义。此外,用在“雷达”装置上的(长余辉)发光材料和用于“电子——光学”转换器屏幕上的小惰性发光材料也具有很大的军事(和工业)意义。某些阴极射线发光材料还用在测量技术中——用在各种类型的“电子——射线”管中。     

形貌依赖的ZnO阴极射线发光性质研究

采用溶剂热法,通过调节水和乙醇混合液的比例制备了多种形貌的ZnO微米结构。利用扫描电子显微镜（SEM）对ZnO微米结构的形貌及尺寸进行了观察。采用可以实现纳米级微观区域光谱采集的阴极射线发光（CL）技术,对不同形貌的单个粒子的光谱进行精细表征,获得了位置依赖的ZnO阴极射线发光数据。实验结果表明：ZnO材料的发光性质与形貌有关,由于形貌差异导致其局部结晶质量、界面缺陷、表面电荷分布、表面晶面等方面的差异,几种因素共同作用决定其最终的发光性质。     

SiO2/C9-PPV异质结中类阴极射线发光及有机电致发光的交互增强

用夹在两层SiO2之间的发光聚合物C9-PPV作成器件，在交流电激发下得到了超出有机电致发光黄绿色发光的蓝色发光.通过对器件光学特性的研究，发现这种发光源于SiO2中加速电子直接碰撞激发有机发光层而引起的类阴极射线发光.使用非对称结构，得到了类阴极射线发光与有机电致发光相互增强的混合发光. 关键词： 混合发光 类阴极射线发光 有机电致发光     

发光学会近期学术活动

根据一九八三年十月十二日发光学会常务理事会的决定,今年第四季度学会将举行三次学术活动,即:全国光致发光材料和阴极射线发光材料讨论会,气体发光及其应用学术讨论会和Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体中束缚激子发光讨论会。 全国光致发光材料和阴极射线发光材料讨论会由上海荧光材料厂及在沪理事负责召集,预计在10月底或11月初在上海召开。会议将在近年来PL和CL材料工作发展的基础之     

对于电子束仪中阴极射线发光的评论

诸如电子探针显微分析仪(EPMA)和扫描电子显微镜(SEM)等这类电子束仪已成为材料研究领域中十分重要的工具。然而,这些仪器的主要应用限制在被化学分析(EPMA)和/或高分辨率的显微术(SEM)这两个方面。某些无机材料能在电子束激发下发出荧光来,因之,除了通常的化学分析和显微学方面的工作外,电子束仪也可以被用来研究这些材料的阴极射线发光。这篇文章评论了用电子束仪来研究阴极射线发光的可能性和优缺点。对     

驱动电压频率对固态阴极射线发光影响的研究

固态阴极射线发光(SSCL)是发光学中一种新的激发方式,引发出一些发光学中的重要问题,但是固态阴极射线发光的性质还不是十分清楚,需要进一步研究。文章用SiO₂作为电子加速层, 有机材料MEH-PPV为发光层, 在正弦交流电压驱动下实现了固态阴极射线发光,得到410和580 nm两个发光峰。通过研究这两个发光峰的性质,证实它们分别符合能带理论和分子理论。改变驱动电压的频率时,长波峰的发光强度随频率的增加而增加,而短波峰的发光强度随频率的增加而减小,这是由于这两个发光峰对应的上能级寿命不同引起的。     

Optical emission from excess Si defect centers in Si nanostructures

Four groups of Si nanostructures with and without beta-SiC nanocrystals were fabricated for clarifying the origin of a blue emission with a double-peak structure at 417 and 436 nm. Spectral analyses and microstructural observations show that the blue emission is related to the existence of excess Si atoms in these Si nanostructures. The energy levels of electrons in Si nanocrystals with vacancy defects formed from the excess Si atoms are calculated and the characteristics of the obtained density of states coincide with the observed double-peak emission. The present work provides a possible mechanism of the blue emission in various Si nanostructures.     

Sc2O3电子结构和光学性质的第一性原理研究

本文基于第一性原理平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,研究了Sc2O3的电子结构、态密度和光学性质. 计算结果表明：Sc2O3是一种直接带隙半导体,其能带宽度为3.79eV,价带顶部主要由O的2p和Sc的3p3d杂化而成,导带主要由Sc的3d和O的2p构成. 同时,文中也分析了Sc2O3的介电函数、折射率、光电导率和吸收谱等光学性质. 计算得到静态介电常数 ,折射率n0=1.25,在紫外区有较大的吸收系数.     

高温超导体MgB_2的电子结构研究

用第一性原理能带理论计算了高温超导体MgB-2的电子结构.计算得出的电子能带说明MgB-2是一种宽能带化合物,价带主要由Mg和B原子s和p的杂化形成.费米能级处的态密度N(EF)是0.72(states/eV).根据这些结果,初步推断出MgB-2的超导电性的微观机制不可能是电子-声子耦合的BCS模型,而是有待于探索的新机制.     

Point impurities remove degeneracy of the Landau levels in a two-dimensional electron gas

The density of states of a two-dimensional electron gas in a magnetic field has been studied taking into account the scattering on point impurities. It is demonstrated that allowance for the electron-impurity interaction completely removes degeneracy of the Landau levels even for a small volume density of these point defects. The density of states is calculated in a self-consistent approximation taking into account all diagrams without intersections of the impurity lines. The electron density of states ρ is determined by the contribution from a cut of the one-particle Green’s function rather than from a pole. In a wide range of the electron energies ω (measured from each Landau level), the value of ρ(ω) is inversely proportional to the energy |ω| and proportional to the impurity concentration. The obtained results are applicable to various two-dimensional electron systems such as inversion layers, heterostructures, and electrons on the surface of liquid helium.     

高温超导体MgB2的电子结构研究

用第一性原理能带理论计算了高温超导体MgB₂的电子结构.计算得出的电子能带说明MgB₂是一种宽能带化合物,价带主要由Mg和B原子s和p的杂化形成.费米能级处的态密度N(E_F)是0.72(states/eV).根据这些结果,初步推断出MgB₂的超导电性的微观机制不可能是电子声子耦合的BCS模型,而是有待于探索的新机制 关键词： 高温超导体 电子结构     

Two-dimensional electron gas at noble-metal surfaces

The electrons of the surface states on the (111) surfaces of the noble metals Au, Ag, and Cu form a quasi-two-dimensional (2D) free electron gas which is confined to the first few atomic layers at the crystal surface. They are scattered by the potential associated with surface defects, e.g. impurity atoms, adatoms, or step edges, leading to quantum-interference patterns in the local density of states around these defects. We have used the quantum-interference phenomena to quantitatively measure the electron phase-relaxation length and to probe long-range adsorbate interactions. Received: 12 October 2001 / Accepted: 23 October 2001 / Published online: 3 April 2002     

Time-resolved photoinduced absorption spectroscopic study on trapped carriers at semiconductor–glass interfaces

0.4 Se_0.6 microcrystals was investigated by using time-resolved differential transmittance spectroscopy. The electron trapping at microcrystal–glass interfaces was found to occur within less than 1 ps after photoexcitation. At low excitation energy density, the excited electrons are trapped at point defects distributed over the nanocrystal interfaces. Such electrons give rise to long-lived photoinduced absorption with a lifetime of 3.2 ns. On the other hand, at high excitation energy density, transient absorption with a fast (60 ps) and simultaneously a slow decay component (3.2 ns) was observed. This short-lived photoinduced absorption is attributed to the electrons trapped at the shallow trap states of the semiconductor–glass interfaces. Received: 11 September 1996/Accepted: 9 December 1996     

二维缺陷GaAs电子结构和光学性质第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了存在Ga空位缺陷和掺杂B原子的二维GaAs的能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明空位缺陷二维GaAs显示出金属特性,B原子的引入使体系变为间接带隙半导体,禁带宽度为0.35 eV.态密度计算发现体系低能带主要由Ga的s态、p态、d态和As的s态、p态构成;高能带主要由Ga和As的s态、p态构成.掺杂B原子与存在空位缺陷的二维GaAs相比,静态介电常数相对较低,变为8.42,且易于吸收紫外光,在3.90～8.63 eV能量范围具有金属反射特性,反射率达到52%.     

Be掺杂纤锌矿ZnO电子结构的第一性原理研究

采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对Be掺杂导致ZnO禁带宽度增加的机理进行了研究.通过对掺杂前后电子能带结构、总态密度以及分态密度的计算和比较,发现导带底(CBM)是由Be 2s电子与Zn 4s电子共同控制;而Be_xZn_1-xO价带顶 (VBM)始终由O 2p电子占据.随着掺杂量的增加,决定带隙宽度的CBM的位置上升,同时VBM的位置下降,从而导致了带隙的变宽,出现了蓝移现象.此外,Be掺杂会使晶胞发生压缩,这种压应变也是导致Be 关键词： 密度泛函理论 电子结构 Be掺杂ZnO     

A chemical-bond approach to doping,compensation and photo-induced degradation in amorphous silicon

We propose that during deposition of a-Si:H films a chemical equilibrium is established that relates the density of dangling-bond defects near mid-gap to the densities of electrons and holes in the conduction and valence band states. We develop the appropriate chemical reaction formalism and show that our model allows doping, compensation and photo-induced degradation to be treated within a single and unifying approach.