BeH2(X1Σ+g)与H2S(X1A1)分子的结构与解析势能函数

运用单双取代二次组态相关(QCISD)方法,在6-311++G(3df,3pd)基组水平上,对BeH₂和H₂S分子的结构进行了优化计算,得到基态BeH₂分子的稳定结构为D_∞h构型,电子态为X¹Σ⁺_g,平衡核间距R_BeH=0.13268nm,R_{关键词： 2}')" href="#">BeH₂ 2S')" href="#">H₂S Murrell-Sorbie函数 多体项展式理论 解析势能函数     

BeH,H2和BeH2的分子结构和势能函数

用二次组态相关(QCISD)和密度泛函(B3LYP)方法, 选用6-311++g(d,p), 6-311++g(3df,3pd)和D95(3df,3pd)基组对H₂, BeH和BeH₂分子的结构进行优化. 得到它们的基态电子态分别为H₂(¹Σ_g), BeH(²Σ)和BeH₂(¹Σ_{g 关键词： BeH 2}')" href="#">BeH₂ 2')" href="#">H₂ 二次组态相关(QCISD) 势能函数     

SiF$lt;sub$gt;2$lt;/sub$gt;基态分子的结构与势能函数

运用Gaussian03软件包,采用密度泛函理论中的B3P86 方法,结合6-311++G^**（3df,3pd） 基组对基态SiF₂分子的平衡电子结构和谐振频率进行了优化计算,得到了其稳定结构为C_2v构型.SiF₂基态电子态为X¹A₁,平衡核间距R_Si—F=0.1061　nm,键角α_F—Si—F=100.6762°,离解能D_e=13.8　eV.应用多体项展式理论推导了基态SiF₂分子的解析势能函数,其等值势能图准确地再现了SiF₂分子的平衡构型特征和能量变化. 关键词： 2')" href="#">SiF₂ Murrell-Sorbie函数 多体项展式理论     

AlO2和Al2O分子的结构与解析势能函数

运用密度泛函理论的B3LYP方法在6-311++G^**水平上,对AlO₂,Al₂O分子的结构进行了优化计算,得到AlO₂,Al₂O分子的稳定结构都为D_∞h构型.　AlO₂电子态为X²Π_u,平衡核间距R_Al-O关键词： 2')" href="#">AlO₂ 2O')" href="#">Al₂O Murrell-Sorbie函数 多体项展式理论     

MgH分子X2Σ+，A2Π和B2Σ+电子态的势能函数

利用QCISD(T),SAC-CI方法和cc-pVQZ,aug-cc-pVTZ,6-311++G及6-311++G(3df,2pd)基组,对MgH分子的基态X²Σ⁺,第一简并激发态A²Π和第二激发态B²Σ⁺的结构进行优化计算.通过对4个基组计算结果进行比较,得出6-311++G(3df,2pd)基组为最优基组.使用 关键词： 分子结构与势能函数 激发态 Murrell-Sorbie函数 C₆函数')" href="#">Murrell-Sorbie+C₆函数     

Pu3体系的结构与势能函数

用相对论有效原子实势(RECP)和密度泛函(B3LYP)方法对Pu_n(n=2,3)体系的结构进行了优化,得到了Pu₂和Pu₃分子的几何构型分别为D_∞h,D_3h,其基态分别为13和19重态.在B3LYP/RECP水平上得到Pu₂分子的光谱常数ω_e=52.3845cm^-1,ω_e　χ_e=0.02 关键词： 2')" href="#">Pu₂ 3')" href="#">Pu₃ 分析势能函数     

SiF$lt;sub$gt;2$lt;/sub$gt;($lt;sup$gt;1$lt;/sup$gt;A$lt;sub$gt;1$lt;/sub$gt;)自由基的从头算及势能函数

采用从头算的单双取代的二次组态相互作用方法及耦合簇理论对SiF₂自由基的基态进行结构优化, 发现用单双取代的二次组态相互作用方法配有基组6-311G(2df)计算得到的结构参数、谐振频率、离解能及力常数与实验值最接近并优于文献值. 借助多体项展式理论导出SiF₂自由基的势能函数并绘制了等值势能图. SiF₂自由基对称伸缩振动和旋转势能图显示: 在SiF+F →SiF₂反应通道上有鞍点出现, F原子需要越过4.38 eV的能垒才能生成稳定的SiF₂自由基; 只能通过SiF+F→SiF₂两个等价的通道才能生成稳定的SiF₂ 自由基, 并且该反应是有阈能的吸热反应. 关键词： 2')" href="#">SiF₂ 从头算 势能曲线     

H2对Ar稀释SiH4等离子体CVD制备多晶硅薄膜的影响

以SiH₄，Ar和H₂为反应气体，采用射频等离子体化学气相沉积方法在300℃下制备了低温多晶Si薄膜.实验发现，反应气体中H₂的比例是影响薄膜结晶质量的重要因素，在适量的H₂比例下制备的多晶Si薄膜具有结晶相体积分数高，氢含量低，生长速率快、抗杂质污染等特性. 关键词： 低温多晶Si薄膜 等离子体CVD 4')" href="#">Ar稀释SiH₄ 2比例')" href="#">H₂比例     

基态MgB2分子的结构与分析势能函数

应用群论及原子分子反应静力学方法推导MgB₂分子的电子状态及其离解极限,采用密度泛函B3LYP和从头计算QCISD方法在6-311++G**基组水平上,对MgB₂分子可能的状态进行优化计算,得出MgB₂的三重态能量最低,其稳定构型为C_2v,平衡核间距R_e=2.2977,键角α_BMgB=41.5521°,能量为-248.9645a.u.同时还计算了基态的简正振动频率:对称伸缩振动频率ν（B₂）=315.4430 cm^-1,反对称伸缩振动频率ν（A₁）=418.1883 cm^-1和弯曲振动频率ν（A₁）=968.9672 cm^-1.在此基础上,使用多体项展式理论方法,导出了基态MgB₂分子的解析势能函数,其等势面准确再现了基态MgB₂平衡结构和离解能,并由此讨论了B+MgB和Mg+BB分子反应的势能面静态特征. 关键词： 2')" href="#">MgB₂ 多体项展式理论 解析势能函数     

XF2(X=B,N)分子基态的结构与势能函数

基于Gaussian03计算软件利用QCISD方法,选用不同基组对XF₂(X=B,N)分子基态结构进行了几何优化,在此基础上选出最优基组D95(df,pd)和D95+(df,pd)分别对BF₂和NF₂分子的谐振频率、力常数等进行了计算.推导出XF₂(X=B,N)分子基态的多体展式势能函数,同时根据势能函数绘制了XF₂(X< 关键词： 2')" href="#">BF₂ 2')" href="#">NF₂ 结构 势能函数     

NaREO2 (RE= Lu，Y) 的制备及其结构的研究

用高温固相法制备了NaLuO2和NaYO2晶体粉体.制备纯相的NaLuO2粉体晶体困难,而制备纯相NaYO2粉体晶体相对容易.为了测定NaLuO2产物中含少量Lu2O3不纯相的量,用X射线衍射绝标法确定了样品中这两者的重量比和谱峰比的关系,得到了绝标法常数kLu2O3关键词： 2')" href="#">NaLuO2 2')" href="#">NaYO2 2O3')" href="#">Lu2O3 XRD定量分析 稀土发光     

Y2(Fe1-x-y,Coy,Crx)17化合 物的结构及居里温度

通过x射线衍射及磁测量手段研究了Y₂(Fe_1-y-x,Co_y,C r_x)₁₇化合物的结 构及居里温度.研究结果表明Y₂(Fe_1-y-x,Co_y,Crx)₁₇化合物具有六 角相的Th₂Ni₁₇型结构.随着x的增加，Y₂(Fe 关键词： 2(Fe_1-y-x')" href="#">Y₂(Fe_1-y-x y')" href="#">Co_y x)_{1 7}化合物')" href="#">Cr_x)_{1 7}化合物 x射线衍射 居里温度     

Pb2，PdPb2分子的势能函数

采用Gaussian 98程序,运用B3LYP方法,对Pd和Pb原子采用收缩价基组LANL2DZ,对Pb₂和PdPb₂分子的微观结构进行了理论计算. 由于Pb₂分子离解后一个Pb原子处于基态,另一个Pb原子处于激发态,采用最小二乘法拟合Pb₂分子的势能函数,选用的函数形式为Murrell-Sorbie势能函数加上开关函数. 使用多体展式理论导出了势函数中的参数进而给出PdPb₂分子基态势函数的解析表达式,其势能面准确地复现了PdPb₂分子的两个稳定构型(C_2V和C_∞v)及其能量关系. 关键词： 2')" href="#">Pb₂ 2')" href="#">PdPb₂ 势能函数     

新型超导体MgB2和MgCNi3热、电输运性质研究

报道了两种新型超导体MgB₂,MgCNi₃和氧化物高温超导体Bi_{2< /sub>Sr2Ca0.9Ce0.1Cu2O8+y 的热导率-温度关系和电阻率-温度关系.实验发现氧化物高温超导 体在进入超导态后热导有所上升，出现极大值后再下降，而MgB2和MgCNi3 则单调下降. 由Wiedemann-Fra 关键词： 热导率 超导体 2}')" href="#">MgB₂ 3')" href="#">MgCNi₃     

外电场作用下二氧化硅分子的光激发特性研究

采用密度泛函B3P86和组态相互作用方法在6-311G**基组水平上计算了二氧化硅分子从基态到前5个激发态的跃迁波长、振子强度、自发辐射系数A_n0和吸收系数B_0n（n=1—5）.研究了外电场对二氧化硅分子激发态的影响规律. 结果表明,随外电场强度增大,最高占据轨道与最低空轨道能隙变小,占据轨道的电子易于激发至空轨道. 因而在外场作用下分子易于激发. 关键词： 2')" href="#">SiO₂ 激发态 外电场     

插层化合物LixTiS2中Li离子-空位二维有序结构稳定性的第一性原理研究

根据局域密度近似下的密度泛函理论，用第一性原理方法对TiS₂，LiTiS₂和Li_xTiS₂(x=1/4, 1/3, 1/2, 2/3, 3/4)有序系统进行了几何优化和总能量计算.将计算结果与已有的实验和理论结果进行了对比，得到的归一化结构参量增量Δa₀和Δc₀随离子浓度单调地增加，与实验结果符合较好.Li_{关键词： x}TiS₂')" href="#">Li_xTiS₂ 有序结构 第一性原理计算 密度泛函理论     

BH2和AlH2分子的结构及其解析势能函数

运用二次组态相关(QCISD)方法，分别选用6-311++G(3df,3pd)和D95(3df,3pd)基组，对BH₂和AlH₂分子的结构进行了优化计算，得到BH₂分子的稳态结构为C_2v构型，电子态为²A₁、平衡核间距R_BH=0.1187nm、键角∠HBH=128.791°、离解能D_e=3.65eV、基态振动频率ν₁(a₁)=1020.103cm^-1,ν₂(a₁)=2598.144cm^-1,ν₃(b₂)=2759.304cm^-1.AlH₂分子的稳态结构也为C_2v构型，电子态为²A₁、平衡核间距R_AlH=0.1592nm、键角∠HAlH=118.095°、离解能D_e=2.27eV、基态振动频率ν₁(a₁)=780.81cm^-1,ν₂(a₁)=1880.81cm^-1，ν₃(b₂)=1910.46cm^-1.采用多体项展式理论推导了基态BH₂和AlH₂分子的解析势能函数，其等值势能图准确再现了BH₂和AlH₂分子的结构特征及其势阱深度与位置.分析讨论势能面的静态特征时得到BH+H→BH₂反应中存在鞍点，活化能为150.204kJ/mol；AlH+H→AlH₂反应中也存在鞍点，活化能为54.8064kJ/mol. 关键词： 2')" href="#">BH₂ 2')" href="#">AlH₂ Murrell-Sorbie函数 多体项展式理论 解析势能函数     

用于α-Al2O3分子动力学模拟的长程Finnis-Sinclair势函数

用金属势函数描述氧化物是实现金属-氧化物界面分子动力学模拟的关键.基于此,通过拟合α-Al₂O₃的晶格能、晶格常数、弹性常数,获得了一套用于描述α-Al₂O₃的长程Finnis-Sinclair（F-S）势.通过与已报道的描述α-Al₂O₃的EAM势、Glue势和modified Matsui（m-Matsui）势的比较,结果达到或优于前人的结果.进而,在300 K的温度下对 关键词： 长程F-S势 2O₃')" href="#">α-Al₂O₃ 2O₃界面')" href="#">Fe-Al₂O₃界面 2O₃界面')" href="#">Al-Al₂O₃界面     

C72,La2@C72几何结构和电子性质的计算研究

采用密度泛涵理论(density functional theory, DFT)中的广义梯度近似(generally gradient approximation, GGA)对富勒烯C₇₂和内掺金属La富勒烯La₂@C₇₂三种同分异构体的几何结构和电子结构进行研究.发现在C₇₂的三种同分异构体中，满足独立五边形规则(isolated-pentagon-rule，IPR)的C₇₂(D_{6d< 关键词： 72}')" href="#">C₇₂ 2@C₇₂')" href="#">La₂@C₇₂ 密度泛涵理论 几何结构 电子结构     

Sr/Si界面沉积SrTiO3初始生长阶段的扫描遂道显微术研究

本文工作利用脉冲激光沉积术(PLD)和超高真空扫描隧道显微术(UHV-STM),研究了在Sr/Si(001)-(2×1)衬底表面上真空室温沉积几个单层SrTiO₃薄膜的初始生长过程.经660 ℃退火处理后,Sr/Si衬底表面上形成了纳米岛状结构.经分析,这些纳米小岛为C49-TiSi₂和 C54-TiSi₂.实验结果表明,在没有氧气的情况下退火,Sr/Si界面无法有效阻止SrTiO₃薄膜与Si衬底之间的相互作用. 关键词： 脉冲激光沉积术(PLD) 扫描隧道显微镜(STM) 3')" href="#">SrTiO₃ 2')" href="#">C54-TiSi₂