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相似文献
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1.
Fe20Al80非晶态粉末是通过180球磨而制备的。X射线衍射和透射电子显微镜实验不但证实它的非晶性,而且给出它的平均颗粒度大小和晶化产物。穆斯堡尔谱测量确定了该非晶态粉末的顺磁性和晶化度。 关键词:  相似文献   

2.
用机械合金化方法制备了(FeAl3)75Zr25和(FeAl3)50Zr50非晶态合金,用X射线衍射仪和热分析仪对制备的非晶态合金的结构特性及热稳定性进行了研究,用振动样品磁强计对(FeAl3)75Zr25和(FeAl3)50Zr50混合粉末在机械球磨过程中的磁性变化进行了研究,并对其晶化产物及其晶化后合金的磁性进行了分析。结果表明:(FeAl3)75Zr25的晶化产物为Fe3Zr和Al1.65Fe0.33Zr;(FeAl3)50Zr50非晶态合金的晶化产物为FeZr2和AlZr2。(FeAl3)75Zr25混合粉末的矫顽力随着球磨时间的增加而增加,但其饱和磁化强度和剩磁均随着球磨时间的增加而下降。而(FeAl3)50Zr50混合粉末的矫顽力、饱和磁化强度和剩磁均随球磨时间的变化则没有类似的规律性。晶化后(FeAl3)75Zr25粉末与(FeAl3)50Zr50粉末相比,前者矫顽力小,但饱和磁化强度和剩磁大。  相似文献   

3.
利用粉末X射线衍射和扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)技术对用化学共沉淀法制备的非晶和纳米ZrO2·15%Y2O3体系进行了研究.粉末X射线衍射结果表明,300℃温度处理的样品呈非晶态,500℃时样品已经晶化,形成单一立方相的纳米结构.EXAFS分析显示,在从非晶态向纳米结构晶化的过程中,最近邻的ZrO配位层的配位数和键长没有发生明显的改变,说明300℃时已经形成和900℃相同的最近邻局域结构.而对于ZrZr(Y)配位层,随着晶粒尺寸的减 关键词: EXAFS 晶化 配位数 键长  相似文献   

4.
采用高频熔炼后的真空单辊急冷技术制备了Ag_xCu_(50-x)Zr_(50)金属玻璃,发现在x<12的范围内都可得到完全的非晶态。测量了x=2,4,6和10的Ag_xCu_(50-x)Zr_(50)金属玻璃的玻璃转变温度和晶化温度,并采用Kissinger方法测定了晶化激活能E_a。发现在金属玻璃Ag_xCu_(50-x)Zr_(50)中,x值越大则玻璃越不稳定。通过对该类玻璃在氩气氛和在空气中的晶化研究,说明第二放热峰是氧化峰。  相似文献   

5.
本文报道用单辊急冷方法制备的非晶态合金Fe_(90-x)Mn_xZr_(10)(x=0,4,6,10,15)的磁性,讨论了样品中每个原子的平均磁矩和居里温度T_c随Mn含量x的变化以及类自旋玻璃特性,给出了非晶态Fe_(90-x)Mn_xZr_(10)合金的磁相图。观察到非晶态Fe_(84)Mn_6Zr_(10)合金晶化后的热磁曲线呈不可逆变化。这一现象来自于样品中存在α→γ相(高温)和γ→α相(低温)的转变。  相似文献   

6.
本工作用X射线衍射技术示差扫描量热法(DSC)和内耗测量等手段研究金属-类金属非晶态合金Pd_(80)Si_(20)和Pd_(77.5)Cu_6Si_(16.5)中子辐照前后的微观结构变化。结果表明,辐照在两种样品的对关联函数g(r)以及径向分布函数RDF(r)上都引起明显的变化;辐照后样品的晶化温度和晶化热有所提高,结构变得更加无序,Pd_(80)Si_(20)非晶态合金的内耗在T相似文献   

7.
利用粉末X射线衍射和扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)技术对用化学共沉淀法制备的非晶和纳米ZrO2*15%Y2O3体系进行了研究.粉末X射线衍射结果表明,300℃温度处理的样品呈非晶态,500℃时样品已经晶化,形成单一立方相的纳米结构.EXAFS分析显示,在从非晶态向纳米结构晶化的过程中,最近邻的Zr-O配位层的配位数和键长没有发生明显的改变,说明300℃时已经形成和900℃相同的最近邻局域结构.而对于Zr-Zr(Y)配位层,随着晶粒尺寸的减小,配位数明显降低,键长显著缩短,具有比Zr-O配位层更大的无序.这些结果表明晶粒尺寸的变化对于较远配位层的影响要比对最近邻的影响大得多.  相似文献   

8.
Fe_xAl_(100-x)系列非晶态粉末样品是通过不同时间的球磨而制备的。磁性及X射线衍射测量表明:该系列样品的非晶态形成能力随铁含量的不同而不同,x=50时,最容易由晶态粉末球磨成非晶态粉末,即Fe_(50)Al_(50)的非晶态形成能力最强。  相似文献   

9.
吴东昌  黄林军  梁工英 《物理学报》2008,57(3):1813-1817
通过对Buschow提出的预测二元非晶态合金晶化温度的“最小空位”模型进行扩展,并进一步结合Miedema理论得到了一种预测三元非晶态合金晶化温度和晶化驱动力的理论方法.利用该方法计算了(Mg70.6Ni29.4)1-xNdx(x=5,10,15)非晶态合金的晶化温度、晶化驱动力以及晶化焓.其中晶化温度和晶化焓的理论预测值与实验值的相对误差分别小于8%和7%.同时发现较高的晶化驱动力会降低 关键词: 非晶态合金 晶化温度 晶化驱动力  相似文献   

10.
Y(Mn_(1-x)Co_x)_(12)属于ThMn_(12)型四角体心结构,空间群为14/mmm,z=2。用粉末中子衍射测定了Co,Mn原子在8i,8j和8f晶位上的有序度。结构分析表明:Go优先占据8f晶位,其次占据8j晶位;在x<0.67时,几乎不进入8i晶位。最后,对实验结果作了讨论和推断。  相似文献   

11.
《物理学报》2001,50(7):1319-1323
利用粉末X射线衍射和扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)技术对用化学共沉淀法制备的非晶和纳米ZrO2*15%Y2O3体系进行了研究.粉末X射线衍射结果表明,300℃温度处理的样品呈非晶态,500℃时样品已经晶化,形成单一立方相的纳米结构.EXAFS分析显示,在从非晶态向纳米结构晶化的过程中,最近邻的Zr-O配位层的配位数和键长没有发生明显的改变,说明300℃时已经形成和900℃相同的最近邻局域结构.而对于Zr-Zr(Y)配位层,随着晶粒尺寸的减小,配位数明显降低,键长显著缩短,具有比Zr-O配位层更大的无序.这些结果表明晶粒尺寸的变化对于较远配位层的影响要比对最近邻的影响大得多.  相似文献   

12.
本文研究了部分B元素替代Fe对非晶态FeZr基合金磁性、电性和晶化的影响,并与非晶态FeB合金作了比较。解释了样品中每个FeZr原子的平均磁矩μ_(FeZr)和居里温度T_C随B含量x的增加而增加的原因,讨论了在不同的温区样品中可能存在的散射机制对电阻率的贡献以及影响晶化温度的因素。  相似文献   

13.
利用X射线衍射技术、差示扫描量热分析技术和透射电子显微镜研究了非晶态Cu56 Zr4 4合金的结构及其等温退火条件下的晶化过程 .实验结果表明 ,非晶态Cu56 Zr4 4合金在室温下的短程结构类似于硬球无规密堆积分布 .在70 3K过冷液相区内等温退火时发现 ,当退火时间为 3min时 ,晶化产物主要为Cu8Zr3相 ;当退火时间为 6min时 ,Cu8Zr3相完全消失 ,而Cu1 0 Zr7相大量析出 ;当退火时间达到 3 0min以上时 ,其晶化产物转变为Cu1 0 Zr7,CuZr2 ,Cu8Zr3等多种化合物 .由此提出了非晶态Cu56 Zr4 4合金等温退火晶化过程的扩散机理 .  相似文献   

14.
本文报道了在非晶态合金La_(72)Si_(28)晶化过程中生成新亚稳超导相的实验结果。非晶态合金La_(72)Si_(28)是用液态急冷法制备的,该合金经250℃,30min热处理后,得到了一个新的亚稳超导相,该相具有正交结构,其晶格参数为a=9.121,b=6.821,c=3.833,超导临界温度T_c为3.02K,高于目前已知的La-Si系超导相的T_c值。  相似文献   

15.
本文讨论了用熔态急冷法制备的非晶态Nd_(15)Fe_(79)B_合金中,掺杂Nb,V,Cr,Mn,Co,Ni和Cu等元素后,对磁矩、居里温度及晶化温度的影响。还用穆斯堡尔谱估计了掺杂后样品内场的变化,并作了合理的解释。  相似文献   

16.
用X射线衍射照相、X射线衍射仪及透射电子显微镜分析了用液相淬火技术制备的La_(30)Al_(20)合金样品,结果表明样品是非晶态结构。差热分析(DTA)结果表明,非晶态样品的晶化温度T_(cr)为280℃左右,玻璃温度T_g为242℃左右。非晶态样品低温高压(流体静压法)试验结果表明:压力从0至4.77kbar,T_c从3.87K提高到4.18K。高压下,超导前的剩余电阻与常压下相比较有明显下降。非晶态样品经高温高压(25kbar,~160℃,40min)处理后,X射线衍射仪分析结果表明:发生了由非晶态→晶态的结构相变。相变产物由平衡相α-La和新的亚稳过渡相组成。其T_c从~3.9K提高到5.7K,该亚稳相结构与化学成分尚不清楚。本文并对所获得的实验结果进行了讨论。  相似文献   

17.
本文研究了Ni_(85)Cr_7Fe_3Si_4B_3非晶态合金在1bar及100kbar压力下的晶化过程,得到了“时间-温度-变态”图。其结果表明:经高压热处理后的非晶合金其晶化温度降低,fcc-Ni相区域加宽及亚稳Ⅱ相没有形成。另外,还分别计算了常压及100kbar压力下的晶化激活能。  相似文献   

18.
用X射线衍射法研究了(Fe_(0.1)Co_(0.55)Ni_(0.35))_78Si_8B_(14)金属玻璃在常压下及20kbar高压下晶化过程中的析出相及析出过程。结果表明在上述压力下晶化过程都分成两个阶段,分别对应于初级晶化和共晶晶化。在常压下,初级晶化时析出fcc-Co晶体,而共晶晶化对应着Ni_(31)Si_(12)和(FeCoNi)_3(SiB)相的析出。随着回火温度的增高或时间的延长,(FeCoNi)_3(SiB)相逐渐转变为(FeCoNi)_(23)B_6相。20kbar高压下的晶化析出过程与常压下不同的是:提高了晶化温度,在共晶晶化阶段出现了Co_2B相。此外,压力还阻止(FeCoNi)_(23)B_6相的形成。从热力学和动力学的角度讨论了压力对金属玻璃晶化过程的影响。  相似文献   

19.
用单辊急冷法制备了非晶态(Fe_(1-x)V_x)_(84)B_(16)(x=0,0.02,0.04,0.06,0.10)合金的薄带,分别用磁天平和四端引线法测量了饱和磁化强度和高温电阻率的温度关系。得到平均每个磁性原子的磁矩随V含量的增加近似线性下降,计算出每个Fe原子和每个V原子的平均磁矩分别为2.08μ_B和-5.08μ_B。居里温度T_c从x=0时的622K下降到x=0.10时的478K。利用自旋波激发公式:σ(T)=σ(0)(1-BT~(3/2)-CT~(5/2))得到,自旋波劲度系数D在75.4-81.8(meV·)之间(x=0-0.10),交换相互作用范围的平方平均值〈r~2〉从x=0.02时的4.4增加到x=0.10时的6.5。电阻率的测量得到,室温电阻率在155-127(μQ·cm)之间,晶化过程中电阻率的下降幅度随V含量增加而线性减小,其原因与晶化过程中的相变有关。  相似文献   

20.
采用磁控溅射方法制备了Ge_(50)Te_(50)/Zn_(15)Sb_(85)纳米复合多层薄膜.研究了薄膜的电阻随温度的变化以及薄膜的晶化激活能.通过透射电子显微镜比较了晶化前后Ge_(50)Te_(50)/Zn_(15)Sb_(85)纳米复合多层薄膜的截面多层结构.制备了基于[GT(7nm)/ZS(3nm)]_5多层复合薄膜的相变存储器件,并测试了其电性能.研究表明,Ge_(50)Te_(50)/Zn_(15)Sb_(85)纳米复合多层薄膜具有较好的非晶态热稳定性和数据保持力,其器件具有较快的转变速度、较低的操作功耗和较好的循环性能. Ge_(50)Te_(50)/Zn_(15)Sb_(85)纳米复合多层薄膜是一种潜在的高热稳定性和低功耗的相变存储材料.  相似文献   

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