共掺杂稀土配合物Tb0.5Eu0.5(TTA)3Dipy发光性质的研究

以TTA为TTA配体合成了新的共掺杂稀土配合物Tb0.5 s Eu0.5(TTA)3 Dipy,通过与PVK的掺杂,分析了PVK 和Tb0.5Eu0.5(TTA)3Dipy之间的能量传递过程,并且制备了以PVK:Tb0.5Eu0.5(TTA)3Dipy为发光层的结构为ITO/PVK:Tb0.5 Eu0.5(TTA)3 Dipy/PBD/Al的发光器件,通过改变两者之间的质量比,得到了较纯的Eu3 的红色发光.通过与PVK:Eu(TTA)3混合体系的比较,发现Tb3 的引入,起到了能量传递桥梁的作用,提高了PVK 到Eu3 的能量传递,从而抑制了PVK 的发光.因此,通过引人适当的第二种金属离子,会增强另一稀土离子的发光,是作者提高稀土离子发光效率的一种有效的手段.     

一种新型共掺杂稀土配合物的发光特性

制备了一类以苯甲酰水杨酸 (BenzoylSalicylicAcid ,BSA)为第一配体 ,邻菲罗啉 (phenanthroline ,phen)为第二配体的共掺杂稀土铕镧配合物La0 6Eu0 4(BSA) 3 phen。用其作为发光层材料制作了电致发光器件 :ITO/PVK :La0 6Eu0 4(BSA) 3 phen/Alq/Al。讨论并证明了稀土La3 与Eu3 之间存在F rster能量传递。同时将该器件与器件ITO/PVK :Eu(BSA) 3 phen/Alq/Al和ITO/PVK :Tb0 6Eu0 4(BSA) 3 phen/Alq/Al的发光进行了比较。表明该器件具有单色性好 ,整流性好的特性 ,同时得到了最大亮度为 10 2尼特的红光     

PBD在稀土配合物与PVK混合体系电致发光中的作用

研究了PBD以较低浓度与铽配合物[Tb(m-MBA)₃phen]₂·2H₂O、PVK共掺杂体系的电致发光,制作了两类电致发光器件：ITO/PVK:Tb complex/PBD/LiF/Al,ITO/PVK：Tb complex:PBD/PBD/LiF/Al。在共掺杂的发光层中铽配合物的电致发光来源于两个途径,一个是由PVK到铽配合物的能量传递,另一个是电子和空穴在铽配合物上直接复合发光。改变PBD在发光层中的掺杂比例,制得一系列器件,通过对其光谱和亮度的研究,发现PBD在较低浓度掺杂时器件的稳定性和亮度随掺杂浓度的增加而降低。通过分析认为PBD的加入对给体(PVK)到受体(Tb complex)的能量传递效率影响较小,主要是由于PBD的加入使得电子和空穴在PVK链间的跳跃受到限制,使在由PVK、铽配合物和PBD三者掺杂组成的发光层中,注入的电子和空穴不能有效地在铽配合物上复合,这样就会减少激子在铽配合物上直接复合的概率,而造成器件的亮度和效率降低。     

一种新型稀土配合物Eu(TTA)(2NH_2-Phen)_3的发光特性研究

合成了一种新型的稀土配合物Eu(TTA)(2NH_2-Phen)_3,将其作为掺杂物与基质聚乙烯基咔唑(PVK)按照不同质量比混合共溶,旋涂成膜.测量了混合薄膜的光致发光光谱,确认了所合成的Eu(TTA)(2NH_2H-Phen)_3具有发射荧光的能力,进而将其应用于电致发光器件中.还制备了以PVK:Eu(TTA)(2NH_2-Phen)_3为发光层,器件结构为ITO/PVK:Eu(TTA)(2NH_2-Phen)3/2,9-dimethy1-4,-diphenyl-1,10-plaenan thmline(BCP)/8-hydroxyquinoline aluminum(Alq_3)/Al的多层器件,得到了 Eu~(3+)的红色电敛发光.研究不同掺杂浓度时器件发光光谱的变化及PVK的发射光谱与Eu(TTA)(2NH_2-Phen)_3的吸收光谱的交叠情况,证明了混合薄膜中Eu~(3+)电致发光机理主要足载流子的直接俘获.     

稀土配合物Eu(asprin)3phen发光特性的研究

将稀土配合物Eu(asprin)3phen掺杂到导电聚合物PVK中，制成结构分别为ITO/PVK：RE配合物／LiF／Al(1)，ITO／PVK：RE配合物／PBD/LiF/Al(2)的电致发光(EL)器件。发现二者的电致发光谱存在着较大的差别：在器件(1)中，来自Eu^3 的位于594nm(^5D0→^7F1)和614nm(^5D0→^7F2)处的发光强度大致相当，而在器件(2)中，EL主要来自Eu^3 位于614nm的发光，594nm处的发光很弱，与薄膜状态下的光致发光谱(PL)一致。并针对此现象进行了初步讨论。     

PBD的掺杂对PVK:Ir(ppy)3体系发光特性的影响

从三线态激子的发光机理入手,研究了PBD作为电子传输材料对PVK:Ir(ppy)3体系的影响。实验中制备了单层器件ITO/PVK:Ir(ppy)3/PBD/Al,ITO/PVK:Ir(ppy)3:PBD/Al和双层器件,ITO/PVK:Ir(ppy)3:PBD/BCP/Al,其中PVK:Ir(ppy)3的掺杂浓度比例不变,通过改变PBD的掺杂浓度,其变化范围是PBD与PVK的质量比从0:100到20:100,制得了一系列器件,研究了它们的光致发光(PL)光谱和电致发光(EL)光谱。发现PBD这种电子传输材料的加入对器件的亮度有很大提高,当PBD与PVK质量比为10%时,器件亮度最大。     

铽配合物Tb(o-MBA)3phen与PVK掺杂体系的发光机理

合成了一种新型的稀土铽配合物材料Tb(o-MBA)₃phen,并把它作为发光材料应用于有机电致发光器件中。将铽配合物与PVK的混合溶液用旋涂法制得发光层,并利用Alq₃作为电子传输层制备了多种结构的电致发光器件:器件A:ITO/PVK:Tb(o-MBA)₃phen/LiF/Al;器件B:ITO/PVK:Tb(o-MBA)₃phen/BCP/Alq₃/LiF/Al;器件C:ITO/BCP/PVK:Tb(o-MBA)₃phen/Alq₃/LiF/Al。由器件A和C得到了纯正的、明亮的Tb³⁺的绿光发射,发射光谱中四个特征峰分别对应着能级⁵D₄→⁷F_J(J=6,5,4,3)的跃迁,而PVK的发光完全被抑制。在光致发光中PVK的发射光谱和铽配合物的激发光谱有一定的重叠,两者之间可能存在Frster能量传递。同时PVK与铽配合物掺杂体系的激发光谱与纯PVK的激发光谱非常相像,而与铽配合物的激发光谱差别很大,这也说明掺杂体系中铽的发光有一部分来源于PVK分子的激发,PVK与铽配合物之间存能量传递过程。研究了掺杂体系的电致发光性能,在电致发光中,铽的发光主要来源于稀土配合物直接俘获载流子形成激子并复合发光。通过优化选择得到了发光性能较好的器件,器件的最大亮度在17V时达到180cd/m²。     

一种新型有机稀土配合物的合成及发光特性的研究

合成了具有双配体TTA和5NO_2Phen的稀土有机配合物Eu(TTA)_35NO_2Phen,通过元素分析、差热-热重、红外光谱和吸收光谱研究了配合物的组分、结构。元素分析的实验结果与理论计算的结果相吻合。从紫外可见吸收光谱中可以看出,稀土有机配合物的两个吸收峰分别位于340 nm和270 nm,这两个吸收峰分别与配体TTA和5NO_2Phen的吸收峰相关。在350 nm的光激发下,得到了三价铕离子的特征发射峰:583,593和612 nm,它们分别对应着铕离子5D_0→7F_0,5D_0→7F_1,5D_0→7F_2的跃迁发射,这说明有机配体可以将吸收的能量传递给三价铕离子使其发光,配体对稀土铕离子的发光有协同增强的作用。以Eu(TTA)_35NO_2Phen作为发光层,制备了ITO/PEDOT:PSS/PVK:Eu(TTA)_35NO_2Phen/BCP/Alq_3/Al的电致发光器件,在18 V驱动电压下器件发出了色坐标为(x=0.51,y=0.31)的红色电致发光。     

稀土配合物Eu(asprin)_3phen发光特性的研究

将稀土配合物Eu(asprin)_3phen掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构分别为ITO/PVK:RE配合物/LiF/AI(1),ITO/PVK:RE配合物/PBD/LiF/AI(2)的电致发光(EL)器件。发现二者的电致发光谱存在着较大的差别:在器件(1)中,来自Eu~(3 )的位于594nm(~5D_0→~7F_1)和614nm(~5D_0→~7F_2)处的发光强度大致相当,而在器件(2)中,EL主要来自Eu~(3 )位于614nm的发光,594nm处的发光很弱,与薄膜状态下的光致发光谱(PL)一致。并针对此现象进行了初步讨论。     

电场变化对有机磷光器件中激子形成影响的研究

激子形成区域随电场变化的移动会使得有机电致发光器件(OLEDs)的效率和色度发生改变,从而影响器件的性能。文章首先制备了两种OLED器件,器件1为ITO/PEDOT∶PSS/PVK∶Ir(ppy)₃∶DCJTB (100∶2∶1 wt)/BCP(10 nm)/Alq₃(15 nm)/Al,器件2为ITO/PEDOT∶PSS/PVK∶Ir(ppy)₃(100∶2 wt)/BCP(10 nm)/Alq₃(15 nm)/Al,研究了电场强度对单层多掺杂结构器件激子形成的影响。实验发现在多掺杂发光层中,随着电压的增加,Ir(ppy)₃,PVK和DCJTB的发光均增强,PVK和DCJTB发光增强更快。对其发光机制进行分析,认为较高电场下,载流子获得较高能量,更容易形成高能量激子,产生宽禁带材料PVK的发光;另一方面,从能级结构分析DCJTB的带隙较窄, 俘获更多的载流子发光更强。同时,在器件的电致发光(EL)光谱发现在460 nm处一新的发射峰, 发光随着电压的增大相对减弱。为了研究460 nm发光的来源,制备了器件：ITO/PEDOT∶PSS/PVK∶BCP∶Ir(ppy)₃(x∶y∶2 wt)/Alq₃(15 nm)/Al, 改变x, y的比值研究发现,460 nm处的发光依然存在,推测此发光峰应与PVK及BCP之间有关。     

Charge carriers bulk recombination instead of electroplex emission after their tunneling through hole-blocking layer in OLEDs

Charge carriers bulk recombination instead of forming electroplex after their tunneling through a hole-blocking layer, i.e. 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP), in organic electroluminescence (EL) device ITO/poly-(N-vinyl-carbazole)(PVK)/BCP/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq₃)/Al is reported. By changing the thickness of BCP layer, one can find that high electric fields enhance the tunneling process of holes accumulated at the PVK/BCP interface into BCP layer instead of forming “electroplex emission” as reported earlier in literatures. Our experimental data show that charge carriers bulk recombination takes place in both PVK layer and BCP layer, and even in Alq₃ layer when BCP layer is thin enough. Further, it is suggested that PVK is the origin of the emission shoulder at 595 nm in the EL spectra of trilayer device ITO/PVK/BCP/Alq₃/Al.     

一种新型的稀土Tb配合物的光致和电致发光性能的研究

用一种新型的含酚羟基的Schiff碱三足配体H₃L3稀土Tb配合物作发光层制备了三层结构电致发光器件,器件在正向直流偏压下发出明亮的绿光。器件的电致发光(EL)光谱和Tb配合物薄膜的光致发光(PL)光谱与典型的Tb配合物的发光光谱相同。研究了器件发光及电学特性,讨论了该种新型的稀土Tc配合物的发光机理。     

The roles of zinc selenide sandwiched between organic layers and its applications in white light-emitting diodes

In this paper, the roles of zinc selenide (ZnSe) sandwiched between organic layers, i.e. organic/ZnSe/aluminum quinoline (Alq₃), have been studied by varying device structure. A broad band emission was observed from ITO/poly(N-vinylcarbazole)(PVK)(80 nm)/ZnSe(120 nm)/ Alq₃(15 nm)/Al under electric fields and it combined the emissions from the bulk of PVK, ZnSe and Alq₃, however, emission from only Alq₃ was observed from trilayer device ITO/N,N^′-bis-(1-naphthyl)-N,N^′-diphenyl-1, 1^′-biphenyl-4, 4^′-diamine (NPB) (40 nm)/ZnSe(120 nm)/ Alq₃(15 nm)/Al. Consequently the luminescence mechanism in the ZnSe layer is suggested to be charge carrier injection and recombination. By thermal co-evaporating Alq₃ and 4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran (DCJTB), we get white light emission with a Commission Internationale de l’E clairage (C.I.E) co-ordinates of (0.32, 0.38) from device ITO/PVK(80 nm)/ZnSe(120 nm)/ Alq₃:DCJTB(0.5 wt% DCJTB)(15 nm)/Al at 15 V and the device performs stably with increasing applied voltages.