（Gd,Y）P5O14：Ce,Tb中Gd的中介能量传递和传递几率计算

研究了稀土五磷酸盐ＧｄｘＹ１－ｘ）Ｐ５Ｏ１４：Ｃｅ０．０１，Ｔｂ０．０２体系中以Ｇｄ＾３＋子晶格为中介的Ｃｅ＾３＋→Ｇｄ＾３＋→Ｔｂ＾３＋的能量传递现象。当ｘ＞０．７，在室温下激发Ｃｅ＾３＋离子可以产生有效的Ｔｂ＾３＋的发光。对ｘ＝１和０时，激发Ｃｅ＾３＋产生Ｔｂ＾３＋的发光，前者的强度约为后者的１０倍。     

杂质对（Ce,Gd,Tb）MgB5O10灯用荧光粉发光量子效率的影响

研究了杂质对Ｃｅ０．１ｇＤ０．６ｔＢ０．２ｍＧｂ５ｏ１０发光量子效率的影响。低浓度的Ｐｒ＾３＋、Ｎｄ＾３＋、ＤＦ＾３＋、Ｈｏ＾３＋和Ｅｒ＾３＋不能有效地与Ｇｄ＾３＋和Ｔｂ＾３＋竞争Ｃｅ＾３＋离子的激发能。此外，因电子传递过程，Ｓｍ＾３＋和Ｅｕ３＋使Ｃｅ＾３＋的发光效率大大降低。     

Ca3Al2M3O12（M=Si,Ge）石榴石中Ce^3＋离子的荧光光谱

本文研究了Ｃａ３Ａｌ２Ｍ３Ｏ１２（Ｍ＝Ｓｉ，Ｇｅ）石榴石中Ｇｅ＾３＋离子的荧光光谱。在这两种石榴石中，Ｃｅ＾３＋的发射光谱均为Ｃｅ＾３＋的５ｄ→４ｆ能级跃迁发射宽谱带，但有很大差异。在锗酸盐中，Ｃｅ＾３＋的发射强度很弱，而在硅酸盐中发射强，２９５和７７Ｋ下在Ｃａ３Ａｌ２Ｓｉ３Ｏ１２中Ｃｅ＾３＋的荧光寿命分别为４６和４９ｎｓ。Ｇｄ＾３＋和助溶剂的引入可提高Ｃｅ＾３＋的发射强度。     

均苯四甲酸-三苯基氧化膦-铽-钇配合物的高效发光

合成了ＰＭＡ－Ｔｂ＾３＋,ＰＭ－ＡＴＰＰＯ（Ｐｈｅｎ）－Ｔｂ＾３＋及其掺杂Ｙ＾３＋,Ｇｄ６３＋的系列配合物,常温下研究了它们的固体粉末荧光光谱,发现在二元配合物中掺杂Ｙ＾３＋比掺杂Ｇｄ＾３＋发光强,在三元配合物中以三苯基氧化膦作第二配体比以邻菲罗林作第二配体的配合物发光强,得到了鲜艳绿色的高效荧光材料ＰＭＡ－ＴＰＰＯ－Ｔｂ＾３＋,Ｙ＾３＋。     

A3M2GeO12石榴石体系中Cr^3＋离子的宽带发射光谱

首次报道在Ａ３Ｍ２Ｇｅ３Ｏ１２：Ｃｒ（Ａ＝Ｃｄ＾２＋,Ｍ＝Ａｌ＾３＋,Ｇａ＾３＋,Ｓｃ＾３＋）锗酸盐石榴石体系中,Ｃｒ＾３＋离子室温下的红－近红外宽发射带光谱性质。随位于八面体格位上的Ａｌ＾３＋→Ｇａ＾３＋→Ｓｃ＾３＋和十二面体格位上的Ｃｄ＾２＋→Ｃａ＾２＋组成顺序变化,室温下,Ｃｒ＾３＋离子的＾４Ｔ２→＾４Ａ２能级跃迁的Ｒ－ＮＩＲ宽发射带,发射峰及光谱的长波和短波边逐渐向低能长波边移动。     

KAlF4：Ce,Tb磷光体的发光特性及Ce^3＋对Tb^3＋的敏化作用

采用溶液反应法和高温固相反应法合成了ＫＡ１Ｆ４基质化合物及ＫＡ１Ｆ：Ｃｅ，Ｔｂ磷光体，测定了磷光体的激发光谱和发射光谱，研究了在碱金属氟铝酸盐基质中Ｃｅ＾３＋对Ｔｂ＾３＋的能量传递，根据Ｃｅ＾３＋，Ｔｂ＾３＋在ＫＡｌＦ４中的能级关系，分析了其发光特性和Ｃｅ＾３＋对Ｔｂ＾３＋能量传递过程。     

KAIF4：Ce,Gd磷光体的荧光特性及能量传递

采用溶液反应和固相反应,分别合成了ＫＡＩＦ４基质化合物及ＫＡＩＦ４：Ｇｄ、ＫＡＩＦ４：Ｃｅ,Ｇｄ等磷光体,研究了它们的光谱特性。结果表明,ＫＡＩＦ４：Ｇｄ无认顷皮或长波紫外辐激发下,均无任何吸收和发射。在ＫＡＩＦ４：Ｃｅ,Ｇｄ中,Ｃｅ＾３＋离子能有效地将能量传递给Ｇｄ＾３＋离子,使Ｇｄ＾３＋产生了特征锐发射,具发射强度很大。但当Ｃｅ＾３＋浓度固定不变,改变Ｇｄ＾３＋的＾６Ｐ１／２→＾８Ｓ７／２发射     

含Ce3+,Tb3+简单氟化物磷光体的荧光特性

采用溶液反应和固相反应合成了ＣａＦ２：Ｃｅ,Ｔｂ和ＡｌＦ３：Ｃｅ,Ｔｂ磷光体,研究了它们的光谱特性,结果发现,在ＣａＦ：Ｃｅ,Ｔｂ和ＡｌＦ３：Ｃｅ,Ｔｂ中Ｃｅ＾３＋对Ｔｂ＾３＋的能量传递不能有效进行,有时Ｔｂ＾３＋甚至对Ｃｅ＾３＋起猝灭作用。     

A3Ln（Ⅲ）1—xTb（Ⅲ）x（A=邻氨基苯甲酸;Ln=La,Gd,Y;x=0—0.1）稀土配？…

采用共沉淀法合成了掺杂Ｌａ、Ｇｄ、Ｙ的Ｔｂ－邻氨基苯甲酸配合物,研究其荧光性能,结果显示,掺杂Ｌａ、Ｇｄ、Ｙ后,对Ｔｂ配合物的发光有增敏作用,讨论了不同的掺杂离子（Ｌａ、Ｇｄ、Ｙ）及掺杂量对其荧光性能的影响。发现,当掺杂离子取代大部分Ｔｂ＾３＋时,其发光增强仍十分显著。     

Ce3+,Tb3+氟化物磷光体的发光性质比较

采用溶液反应和固相反应分别合成了Ｋ３ＡｌＦ６基质化合物及ＫＢＦ４：Ｃｅ,Ｔｂ和Ｋ３ＡｌＦ６：Ｃｅ,Ｔｂ等磷光体,研究了它们的光谱特性,并与ＫＡｌＦ４：Ｃｅ,Ｔｂ、ＣａＦ２：Ｔｂ和ＡｌＦ３：Ｃｅ,Ｔｂ等磷光体的发光特性进行了比较。结果发现,ＣａＦ２：Ｃｅ,Ｔｂ、ＡｌＦ３：Ｃｅ,Ｔｂ、ＫＢＦ４：Ｃｅ,Ｔｂ和Ｋ３ＡｌＦ６：Ｃｅ,Ｔｂ等磷光体中Ｃｅ＾３＋对Ｔｂ＾３＋的能量传递不能有效进行,有时Ｔｂ＾３＋起     

发射光谱法测定高纯银中微量金、铂、钯、铑、铱、锑、铅、铋、铁、铜、镍、铬、铝和锌

本文研究了贵金属标准溶液除氯离子的有关问题，解决了高纯硝酸银中贵金属等杂质元素的标样配制，以硝酸银直接压样于普通电极中直流电弧激发，可测定９９．０～９９．９９％的高纯银，该方法简便、快速、准确。     

ICP-AES法测定金属硅中的Al、B、Ba、Ca、Cr、Cu、 Fe、Mg、Mn、Ni、Sr、Ti、V和Zn杂质元素

本文提供了一种测定金属硅中Ｂ,Ｆｅ,Ａｌ,Ｃａ,Ｍｎ等１４个杂质元素的ＩＣＰ－ＡＥＳ方法,在样品处理过程中,加入适量体积的甘露醇能够抑制Ｂ的挥发。用本方法测定了一个国家地球化学标准样（ＧＳＲ－４）,结果令人满意。     

纯硒中杂质元素的ICP-AES测定

电感耦合等离子体-原子发射光谱同时测定纯硒中的碲、铅、铋、锑、铜、铁、镍、铝、锡、砷和硼12种元素的含量,优化出各元素的分析波长和分析条件;用基体匹配补偿基体效应,方法简单,快速可靠,样品回收率为94%-107%.     

ICP-AES法直接测定锡锭中的As、Al、Bi、Cd、Cu、Fe、Pb、Se、Sb、Zn

以电荷耦合器件为检测器的全谱直读等离子体光谱仪直接测定锡锭中As、Al、Bi、Cd、Cu、Fe、Pb、Se、Sb、Zn十种杂质元素的含量.该方法简便、快速且具有比化学法更低的检出限,加标回收试验结果表明,回收率为92%-105%,RSD均小于1.5%.     

BN,AlN, GaN,InN: Charge Neutrality Level,Surface, Interfaces,Doping

Russian Physics Journal - On the basis of the charge neutrality concept, the analysis is fulfilled of the experimental data on the electron properties of the defective semiconductors after the...     

Solution absorption and luminescence studies of tetraphenylboron, -carbon, -silicon, -germanium, -tin, -lead, -phosphorus, -arsenic,and -antimony

The lowest absorption band of the tetraphenyl compounds resembles that of the lowest absorption band of benzene with the following difference. In benzene the electronic origin is strictly forbidden, and all intensity is associated with a symmetric progression built on one mode of asymmetric vibration. In the tetraphenyl compounds the intensity associated with the asymmetric vibration is relatively unaffected; however, there is increasing intensity associated with the electronic origin and a symmetric progression built on it along the series

$\text{φ}{}_4\text{Pb}\text{< φ}{}_4\text{Sn}\text{< φ}{}_4\text{Ge}\text{< φ}{}_4\text{Si}\text{< φ}{}_4\text{C}\text{? φ}{}_4\text{B}{}^{\mathrm{?}}\text{< φ}{}_4\text{Sb}{}^{\mathrm{+}}\text{< φ}{}_4\text{As}{}^{\mathrm{+}}\text{< φ}{}_4\text{P}{}^{\mathrm{+}}$

. For the cations it is the electronic origin and the progression built on it that are the primary source of intensity. This effect is attributed to an inductive perturbation. A similar effect is observed in the fluorescence spectrum. In phosphorescence, the relative enhancement of the electronic origin and the progression built on it is far less marked. The phosphorescence emission of φ₄Pb and φ₄Sb⁺ are red shifted from the others by ～0.5 eV, an effect attributed to formation of a triplet excimer. Increasing spin-orbit coupling in the triplet due to a heavy atom effect can be seen in the decreasing phosphorescence lifetime (range 4 sec to 4 msec) and decreasing ratio of $\text{φ}{}_{\mathrm{f}}\text{φ}{}_{\mathrm{p}}$ (fluorescence to phosphorescence quantum yields) in the order

$\text{φ}{}_4\text{C}\text{> φ}{}_4\text{B}\text{> φ}{}_4\text{Si}\text{> φ}{}_4\text{P}{}^{\mathrm{+}}\text{> φ}{}_4\text{Ge}\text{> φ}{}_4\text{As}{}^{\mathrm{+}}\text{> φ}{}_4\text{Sn}$

In all cases nonexponential decay of phosphorescence is observed.     

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定高纯铼酸铵中Ca、Cd、Mn、Fe、Mg、Al、Cu、Co、Mo、Pb、Sn和Ni

本文介绍了电感耦合等离子体发射光谱法（ICP－AES）测定高纯铼酸铵中12个杂质元素的方法。采用挥发健康基体，探讨了高铼酸铵基体的干扰及其消除办法。ICP－AES测定结果的准确度和精密度均能满足分析要求。     

Surface energies of the solid solutions between Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, and W

The surface energy for different surface orientations of the solid solutions as a function of concentration formed by Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, and W is computed and analyzed using the BFS method for alloys. Similarities and differences among the different binary alloys are examined in terms of strain and chemical effects.