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通过对合成金刚石的原材料和合成产物——石墨、Ni70Mn25Co5触媒、普通人造金刚石、黑色人造金刚石、NiMnCoC熔体的磁化率测试,以及对黑色人造金刚石和普通人造金刚石破碎断面扫描电镜的对比分析,认为黑色人造金刚石形成低磁性的原因是由于合成过程中温度偏高、压力偏低,生长的金刚石质量差、裂纹多。晶体内夹杂了很多石墨与触媒包裹体,同时金刚石表面与金刚石晶体内的触媒包裹体之间形成贯穿性的裂纹。在金刚石化学提纯处理过程中,金刚石晶体内的铁磁性触媒包裹体杂质被通过裂纹进入的酸除去。因而在检测金刚石磁性时,黑色金刚石的磁性很小,呈弱磁性。 相似文献
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为了探索功能金刚石聚晶的高压合成,使其具有优异的透红外和散热性能,我们采取了提高合成压力、温度和尽量减少结合剂的办法进行试验。首先探索如何使合成的金刚石聚晶具有D-D型结合,然后尽量减少结合剂,以合成出高密度的D-D型金刚石聚晶。为了尽量减少结合剂含量,不用粉末混合法,而是分别采用7~14 μm和63~80 μm粒度的金刚石为原料,与纯Ni或Ni70Mn25Co5合金为基底积层组装,通过高温高压下触媒金属向金刚石晶粒间渗透进行烧结生长。在6.3 GPa的压力和1 440~1 650 ℃的不同温度下分别保持3~40 min。所得到的金刚石聚晶在触媒金属渗透得充分的区域形成了D-D结合型结构,而没有发现碳化物生成及金刚石表面石墨化等现象。 相似文献
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以金属锆粉(Zr)和六方氮化硼粉(h-BN)为原料,结合高能球磨和高温高压合成技术,制备出了ZrN-ZrB2纳米复合材料。利用X射线衍射、透射电镜和拉曼光谱等测试手段,对材料的结构和合成规律进行了研究。结果表明,高能球磨过程中只合成出了ZrNx,没有出现ZrB2,从N、B原子与Zr进行固态反应的热力学和动力学方面分析了原因。利用Zr与BN粉球磨10 h后的混料,在压力为5 GPa、温度为1 300 ℃的条件下,制备出了具有高致密度的ZrN-ZrB2纳米复合材料。其维氏显微硬度(17 GPa)、热膨胀系数(7.57×10-6 ℃-1)和电阻率-温度系数(8.846×10-4 ℃-1)等材料参数的测量结果表明,ZrN-ZrB2复合材料是一种集优良的力学、热学和电学性能于一体的纳米复合材料。 相似文献
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Effects of Al and Ti/Cu on Synthesis of Type-IIa Diamond Crystals in Ni70Mn25Co5-C System at HPHT 下载免费PDF全文
High-quality type-Ⅱa gem diamond crystals are successfully synthesized in a NiToMn25Co5-C system by temperature gradient method (TGM) at about 5.5 GPa and 1560 K. Al and Ti/Cu are used as nitrogen getters respectively. While nitrogen getter Al or Ti/Cu is added into the synthesis system, some inclusions and caves tend to be introduced into the crystals. When Al is added into the solvent alloy, we would hardly gain high-quality type-Ⅱa diamond crystals with nitrogen concentration Nc 〈 1 ppm because of the reversible reaction of Al and N at high pressure and high temperature (HPHT). Piowever, when Ti/Cu is added into the solvent alloy, high-quality type-Ⅱa diamond crystals with Nc 〈 1 ppm can be grown by decreasing the growth rate of diamonds. 相似文献
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本文采用高压X光衍射方法在金刚石对顶压砧中在位地(in situ)研究了Fe68Co24Ni8(wt%)合金在室温下的压致bcc→hcp结构相变和直到40.5 GPa的等温压缩行为。实验结果表明该合金在常压下为bcc结构,晶格常数a0=(0.287 0±0.000 1) nm,体积V0=(7.119±0.007) cm3/mol,密度ρ0=(7.981±0.008) g/cm3;在20.9 GPa附近出现bcc→hcp结构相变,两相共存压力区约10 GPa,在此区域内有晶面间距d(002)hcp=d(110)bcc,且原子平面(002)hcp//(110)bcc,hcp相比bcc相体积减小(0.33±0.02) cm3/mol;高压相hcp结构的晶格参数比值c/a=1.608±0.004;相变后原子配位数的增加使得hcp相(002)平面内及(002)平面间的最近邻原子间距比bcc相最近邻原子间距分别增大约1.6%和0.5%;用Murnaghan状态方程对实验数据进行最小二乘法拟合,得到bcc相B0=(130±13) GPa,B0'=12.6±0.5;hcp相V0=(6.62±0.04) cm3/mol,B0=(243±21) GPa,B0'=6.8±0.3;对于该合金的bcc→fcp相变时的结构转变机制做了详细的讨论。 相似文献
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Hetero-Epitaxial Diamond Single Crystal Growth on Surface of cBN Single Crystals at High Pressure and High Temperature 下载免费PDF全文
We report a new diamond synthesis process in which cubic boron nitride single crystals are used as seeds, FesoNi20 alloy powder is used as catalyst/solvent and natural flake-like graphite is used as the carbon source. The samples are investigated using laser Raman spectra and x-ray diffraction (XRD). Morphology of the sample is observed by a scanning electron microscope (SEM). Based on the measurement results, we conclude that diamond single crystals have grown on the cBN crystal seeds under the conditions of high temperature 1230℃ and high pressure 4.8 GPa. This work provides an original method for synthesis of high quality hereto-semiconductor with cBN and diamond single crystals, and paves the way for future development. 相似文献
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本实验选用TiH2及其它微量元素做粘结剂,在DS-029B型六面顶压机上烧结人造金刚石与硬质合金复合材料。实验中,采取TiH2脱氢与金刚石净化同时进行的工艺,在高真空和一定温度下脱氢,得到高活性的新鲜钛,使其具有更强的粘结作用,以获得高磨耗比的金刚石复合材料。实验中比较了不同净化温度对磨耗比的影响;同一种粘结剂不同含量与磨耗比之间的关系;同时还测试了其耐热性及时间极限。结果表明,这种复合材料在850 ℃下,加热3 min,磨耗比没有明显改变。 相似文献
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本文采用DAC(金刚石压砧高压腔)装置,对氧化镍进行了静水压、非静水压、电导率测量等系统高压实验,获取了氧化镍等温压缩、高压相变及电导率压力效应的新结果,并在实验数据的基础上,对其高压相变与电性及磁性变化关系及体弹性模量作了分析讨论。 相似文献