He-N2碰撞体系散射截面的理论研究

本文运用量子化学从头计算MP2方法6-311 G(3df,2p)基组,计算了He-N2相互作用的势能,拟合出He原子与N2分子相互作用的各向异性势函数,其势函数参数:势能球平均势阱位置、势阱深度、势能零点位置与通过散射实验数据分析的ESMSV(Exponential-Spline-Morse-Spline-Van der waals)势比较吻合.然后,用公认精确度高的密耦方法计算了He原子与N2分子碰撞体系的总微分截面、弹性微分截面、转动激发的非弹性微分截面和积分截面,计算结果与实验数据符合得较好.     

He-HF体系势能模型对散射截面影响的理论研究

用BFW势函数拟合在CCSD(T)/aug-cc-pVQZ理论水平下计算的He-HF相互作用能，获得了He原子与HF分子相互作用的各向异性势，并与其他势模型进行比较，验证了拟合势的可靠性；然后采用量子密耦(Close-Coupling)方法分别计算了He-HF碰撞体系在五种不同势能模型下的微分散射截面、分波散射截面和总截面，并对计算结果进行了详细的比较和分析.研究表明：势能球平均零点能位置、势阱深度、排斥势的强度以及势能在势阱附近的方向性都对散射截面有较大影响. 关键词： 势能模型 密耦方法 散射截面     

He-CO散射截面的量子力学研究

采用精确度较高的密耦方法(Close-Coupling)计算了He-CO碰撞的散射截面,能量从5meV～70meV,计算结果与M.Keil等的实验结果(64meV)基本相符,研究表明:势能的零点能位置、势阱深度、势阱位置、排斥势强度以及势能在势阱附近的方向性都对散射截面有较大的影响.     

He-HI复合物势能面及微分散射截面的理论研究

采用超分子单双迭代(包括非迭代三重激发)耦合簇理论CCSD(T)方法和由键函数3s3p2d1f组成的大基组, 计算得到了基态He-HI复合物相互作用的全程势能面. 该势能面上存在2个势阱, 分别对应于线性He-I-H和He-H-I构型, 势阱深度分别为4.473和2.996meV, He原子到HI分子质心的距离R分别为0.363和0.442nm. 使用Barker, Fisher和Watts提出的BFW势函数拟合计算得到的相互作用能数据, 获得了He原子与HI分子相互作用势的解析表达式. 在 关键词： He-HI复合物 势能面 微分散射截面     

He-LiH的从头算势能面

采用超分子CCSD(T)方法和由键函数3s3p2d1f组成的大基组,计算得到了He-LiH体系的全程势能面.计算结果表明该势能面存在2个势阱:较深的势阱在Rm=4.25a0,阱深为177.53?cm-1,对应于线性He-LiH构型;较浅的势阱在Rm=10.0a0处,阱深仅为9.88?cm-1,对应于线性He-HLi构型.     

He-LiH的从头算势能面

采用超分子单双迭代耦合簇理论CCSD(T)方法和由键函数3s3p2d1f组成的大基组,计算得到了He-LiH体系的全程势能面.计算结果表明该势能面存在2个势阱:较深的势阱在Rm=0.225 nm处,阱深为177.53 cm-1,对应于线性He-LiH构型;较浅的势阱在Rm=0.529 nm处,阱深仅为9.88 cm-1,对应于线性He-HLi构型.     

He-HCl体系各向异性势及分波散射截面的理论研究

首先用BFW势函数形式拟合了在CCSD(T)/aug-cc-pVQZ理论水平下计算的He-HCl相互作用能数据，获得了He原子与HCl分子相互作用的各向异性势；然后采用CC近似方法计算了He-HCl碰撞体系的微分散射截面和分波散射截面，并总结了分波散射截面的变化规律.结果表明，拟合势不但表达形式简洁，而且较好地描述了He-HCl系统相互作用的各向异性特征；利用碰撞体系分子间势的量子化学从头计算结果，可解决势能参数难以确定的问题.对进一步研究原子与分子碰撞机理有一定参考价值. 关键词： 各向异性势 势能参数 密耦近似 分波散射截面     

Be-CO体系的相互作用势和光谱预测（英文）

采用单双迭代(包括非迭代三重激发)耦合簇CCSD(T)理论方法和大基组,计算Be-CO体系的相互作用势,得到该体系势能面的解析表达.发现在R_e=8.29a0和θ_e=115.42°处存在的一个全局极小势阱,阱深-69.21cm~(-1),势能面呈现较弱的各项异性.根据势能面,计算了体系的束缚态能级和其光谱常数.     

Ne-Xe体系势能曲线和光谱研究

本论文对Ne-Xe体系的势能曲线和束缚态能级作了系统的研究.采用耦合簇CCSD(T)方法和超分子近似,以及aug-cc-PVXZ(X=T,Q,5)基组,计算了Ne-Xe体系的相互作用势,并采用三种方案外推得到基底限值,给出了不同基底和外推方法下的势能曲线平衡位置和势阱深度.计算了Ne-Xe体系振转能级和各同位素基振动态的纯转动跃迁频率,及相应的光谱常数,并与实验结果进行了比较.     

He—LiH的从头算势能面

采用超分子CCSD(T)方法和由键函数3s3p2d1f组成的大基组，计算得到了He—LiH体系的全程势能面。计算结果表明该势能面存在2个势阱：较深的势阱在Rm=4．25a0，阱深为177．53cm^-1，对应于线性He—LiH构型；较浅的势阱在Rm=10．0a0处，阱深仅为9．88cm^-1，对应于线性He—HLi构型。     

碰撞能量对He-N2的散射截面的影响

用密耦近似方法计算了He和N2体系的微分截面和总截面及转动激发分波截面,得出微分截面及总截面随入射能量变化的规律.     

He-O_2转动激发截面的理论计算

用公认精确的密耦 (Close Coupling)方法、采用两种不同的相互作用势计算了He -O2 碰撞的态 态转动激发截面 (E =2 6.8meV) ,通过系统研究和计算发现 :低能散射时 ,He -O2 碰撞的弹性散射主要发生在小角部分 ,而非弹性转动激发主要发生在大角部分。研究表明 :转动激发截面对势能表面的方向性和散射角都非常敏感。     

He原子与HI分子碰撞截面的密耦计算

基于发展的分子间相互作用势, 采用密耦方法计算了入射能量从1到140?meV范围内He原子与HI分子碰撞的微分截面、分波截面和积分截面.通过与He-HX（X=F,Cl,Br）体系分波截面的比较, 印证了He-HI体系相互作用势以及密耦计算结果的可靠性.结果表明：小角散射的概率大于大角散射的概率;碰撞能量越高,散射概率就越小, 尾部效应也越弱.总积分截面主要来自弹性碰撞的贡献;非弹性积分截面以00→01和00→02跃迁的贡献为主,其中00→02跃迁的贡献最大. 关键词： 碰撞截面 密耦计算 HI-He体系     

Ne-HF体系的相互作用势及散射截面的密耦计算

利用非线性最小二乘法拟合在CCSD(T)/aug-cc-pVQZ理论水平下计算的相互作用能,得到了基态Ne-HF体系相互作用势的解析表达式.基于拟合的CCSD(T)势,通过密耦计算得到了入射能量分别为60,75,100和150meV 时,Ne-HF散射的微分截面和分波截面,详细讨论了散射截面随能量的变化趋势以及态-态激发截面对总非弹性散射截面的影响. 关键词： 相互作用势 散射截面 密耦计算 Ne-HF体系     

电子被HF和HCl分子散射总截面的计算

利用光学势方法计算了能量在１０ｅＶ—１０００ｅＶ范围内电子被Ｈ、Ｆ和Ｃｌ原子散射的总截面，并与已有的实验结果和理论计算进行了比较；又利用可加性规则（ａｄｄｉｔｉｖｉｔｙｒｕｌｅ）计算得到了电子被ＨＦ和ＨＣｌ分子散射的总截面，计算结果也与已有的实验结果和理论计算进行了比较     

30-3000eV的正电子被O2、H2O及CH4散射的总截面计算

使用可加性规则，在Hartree-Fock水平上计算了30-3000eV的正电子被三个分子（O2、H2O及CH4）散射的总截面。计算正电子被三个分子散射的总截面时，首次使用了被束缚原子概念修正过的复光学势（这一复光学势考虑了分子中两个原子间的电子云重叠效应）。将正电子被这三个分子散射的总截面计算结果与实验结果及其它理论计算结果进行了比较，结果显示出在30-3000eV内，文中的计算结果与实验结果及其它理论计算结果具有较好的一致性。因此，可加性规则与修正后的复光学势相结合，完全适用于正电子被分子散射的总截面的计算。     

He-HBr体系各向异性势及非弹性散射截面的理论研究

首先用BFW势函数形式拟合在CCSD(T)/aug-cc-pVQZ理论水平下计算的He-HBr相互作用能数据,得到了He原子与HBr分子各向异性势;并与ESMSV势进行比较,验证了拟合势的可靠性;然后采用公认的精确度较高的CC近似方法计算了He-HBr碰撞体系能量在150meV下He原子和HBr分子碰撞的转动激发微分截面和分波截面,总结了该碰撞体系非弹性散射截面的变化规律.研究表明:①拟合势较好地描述了He-HBr系统相互作用的各向异性特征;利用碰撞体系分子间势的量子化学从头计算结果,可解决势能参数难以确定的问题.②低激发态被激发的几率要远远大于高激发态被激发的几率;激发态越高,大角散射的几率越大.③尾部效应仅在低激发态中产生,高激发态不产生尾部效应.