掺钐和掺镧铁酸铋的拉曼光谱

本文对Bi1-xSmxFeO3和Bi1-xLaxFeO3样品的拉曼光谱进行了研究, 结果表明当掺Sm量达15%时, 170 cm-1和272 cm-1模消失, 287 cm-1新模出现, Bi1-xSmxFeO3样品发生了三角到三斜的结构相变; 而当La量达30%时, 175 cm-1、219 cm-1和348 cm-1模消失, Bi1-xLaxFeO3样品才发生三角到正交的结构相变。这归因于Sm的有效离子半径与Bi的差别较大。掺杂导致的拉曼峰蓝移归因于离子间的作用增强。     

掺氢、掺氮碳纳米线的合成及其焊接

利用一种有效而别致的双离子(N⁺和Ar⁺)辐照和热处理技术合成并焊接无定形碳纳米线(ACNWs).实验样品用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)进行了表征证实,适当搭配的双离子辐照与热处理的结合将会引起多壁碳纳米管无定形化并导致相互交叉纳米线的焊接.此外碳结构相变中的原子演化也在目前已有的概念基础上进行了简单地讨论. 关键词： 无定形碳纳米线 相变 透射电子显微镜     

掺铜及掺铝多孔硅的光致发光及其发光机理

分别将特定杂质铜和铝引入多孔硅后，观察到了杂质铜和铝所引起的附加发光带：对于没有掺铜的多孔硅，其光致发光谱只有一个发光带；而掺过铜的多孔硅，其光致发光谱出现两个发光带，其中能量较低的发光带随主发光带而变化。在掺铝多孔硅的光致发光谱中，则出现4个与铝杂质能级有关发光带。我们认为上述与杂质有关的发光带是由截流子在杂质深能级上复合所致。     

掺铒光纤Sagnac环掺铒光纤放大器增益平坦特性

在通信领域,特别是波分复用方面,为了同时调整多通道增益和实现多波长光纤激光器大范围稳定的光波输出,本文提出了一种未泵浦掺铒光纤Sagnac环透射端掺铒光纤放大器增益平坦特性研究方案,其由Sagnac环自身谐振模式、未泵浦掺铒光纤的吸收特性和由环中双折射拍长引起的谐振模式3者共同作用。通过调节Sagnac环中的偏振控制器,使得掺铒光纤放大器(EDFA)增益光谱在非泵浦掺铒光纤Sagnac环透射端可以被部分或者全部平坦化。实验结果表明:在透射端14 nm的波长范围内,部分增益光谱的平坦度为±0.145 dB;整个C波段光谱36.5 nm的波长范围内,增益光谱的完全平坦度为±1.225 dB。该增益谱平坦方案结构简单,输出光谱平坦度好,有望用于波分复用系统和多波长激光器中。     

共掺氧化镱对掺铋硅酸盐玻璃的发光性能调控

掺铋玻璃及其光纤材料在近红外（中心波长1300nm）具有200-400nm的超宽带发光特性，是用作超宽带光纤放大、可调谐激光以及飞秒激光的理想基质材料。武汉光电国家实验室李进延教授带领的新型光纤材料与器件团队从事新型光纤材料与器件的前沿研究。     

掺钛蓝宝石的发展

线性调频脉冲放大系统放大级的进展归结为新材料和波长、大能量、高平均功率。对开发新材料做了大量的工作，其中一些工作对线性调频脉冲放大具有很大的意义。当然，掺钛蓝宝石无疑是最通用的增益材料。这或许是因为掺钛蓝宝石早期就用于线性调频脉冲放大，更可能是因为这...     

智能化掺铒光纤放大器

介绍一种智能化的掺铒光纤放大器(EDFA)技术.基于掺铒光纤的光放大特性与EDFA内外部工作参量(如构成EDFA的元器件参量、泵浦激光参量、输入/输出光信号参量等)的关系,采用智能化处理技术使EDFA能按照外界条件,自动地调整自身工作状态,使之符合应用系统的需要.智能化掺铒光纤放大技术可以使EDFA的应用更灵活,既可用作前置放大,也可用作功率放大或线路放大,同时还带来一些新的特点和优越性能.实验制作的智能化EDFA可以在输入信号小到-40dBm或大到+10dBm即约50dB的宽动态范围内正常工作.     

保偏光纤掺硼应力棒中掺硼量的模拟计算

基于结构性能定量关系研究思路,把理化性质参量折射率和密度与物质结构参量摩尔折射度以及成分参量掺硼量联系起来,构建了反映物质结构、成分与性质之间关系的数学模型,模拟计算掺硼应力棒中掺硼量.通过实验数据计算出了B_2O_3和SiO_2在掺硼应力棒中的摩尔折射度分别为10.546 13和7.373 32.对该数学模型和计算结果进行了验证,掺硼量计算值与实测值的相对误差在0.5%以内,表明该数学模型的精度高,能够满足生产实践中掺硼应力棒中掺硼量的估算.     

长波段掺铒光纤放大器用掺铒光纤的设计考虑

本文分析了长波段掺铒光纤放大器(EDFA)的增益系数与Er³⁺离子浓度的关系.研制了铝共掺杂的高浓度掺铒光纤,以缩短长波段掺铒光纤的长度.用两级泵浦实现了L-波段EDFA.光纤放大器的掺铒光纤总长18m,在1570nm波长处的小信号增益为42.26dB,输出功率为17.5dBm.我们认为,较低的浓度淬灭效应归因于光纤中较高的A1掺杂浓度.当总的输入信号功率为-3dBm时,在1570至1600nm间的7路WDM信号的增益不平坦度仅为0.68dB..     

掺富勒烯光学玻璃的吸收光谱

成功地将富勒烯掺入两种不同的高温光学玻璃，发现在可见光波段有较强的附加吸收带，同时，掺杂玻璃的本征吸收边端发生明显光移。     

掺硼金刚石的超导电性

金刚石以它的光泽和超强的硬度屹立于材料世界之林.它本身是绝缘体,但它的导热能力优于铜,并且能承受极高的强电场.为使金刚石能够在电子学领域获得应用(例如,作为微电子芯片衬度、电子发射电极、光探测器和晶体管等) ,需要引入电荷载流子.硼原子的半径较小,它比碳原子少一个电     

掺铒纳米晶硅和掺铒非晶纳米硅薄膜的发光性质

采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法制备含有纳米晶硅的SiO2（NCSO）和含有非晶纳米硅颗粒的氢化非晶氧化硅（a—SiOx：H）薄膜。采用离子注入和高温退火方法将稀土Er掺入含有纳米晶硅（ncSi）和非晶纳米硅（a—n—Si）颗粒的基体中。利用IFS／20HR傅里叶变换红外光谱仪和微区拉曼散射光谱仪研究含有纳米晶硅和非晶纳米硅颗粒的薄膜掺稀土前后的发光特性。结果表明来自Be-Si在800nm的发光强度比来自a—SiOx：H基体中非晶纳米硅的发光强度高近一个数量级,而来自a-SiOx：H在1．54μm的发光强度比NCSO高4倍。还研究了掺铒a-SiOx：H薄膜中Si颗粒和Er^3＋的发光强度随退火温度的变化,结合掺铒纳米晶硅和非晶纳米硅薄膜发光强度随Er掺杂浓度变化和Raman散射等的测量结果,进一步明确指出a-Si颗粒在Er^3＋的激发中可以起到和nc-Si同样的作用,即作为光吸收介质和敏化剂的作用。     

掺铒SiO_x的光致发光特性

利用分子束外延设备生长了掺铒ＳｉＯｘ，观察到铒掺入的同时Ｏ的掺入效率也得到提高．铒可以促进氧的掺入的原因是铒与氧在硅衬底表面反应，以络合物形式掺入硅中，从而提高了硅中氧的浓度．测量了铒在ＳｉＯｘ中的光致发光特性，结果表明掺铒的ＳｉＯｘ的发光强度从１８Ｋ到３００Ｋ仅下降了约１／２，这说明Ｅｒ掺在ＳｉＯｘ中是一种降低发光强度的温度淬灭效应的途径，最后讨论了温度淬灭的机制．     

掺铒光纤自发辐射特性研究

本文对掺铒光纤的自发辐射特性进行了研究,分析了掺杂铒离子光纤的吸收截面、辐射截面、自发辐射谱、净增益系数等的特性,以及在掺铒光纤中,泵浦功率、自发辐射功率、光纤长度、自发辐射谱之间的关系,并用单色仪和波长为1.48um的InGaAsP半导体激光器测试了国产掺铒光纤的吸收谱和它的自发辐射谱。     

掺钛宝石的光谱研究

用IFUS(Induction Field Up-shift Method)方法生长了浓度高,光学质量好的Ti:Al2O3单晶,通过测量Ti3+离子的吸收,激发,荧光光谱以及荧光寿命,分析研究了Ti:Al2O3单晶的发光特性和发光谱随温度的变化,(τFluo=3.1μs,300K;β=[Ti3+]/[Ti]=0.999,αm/αr=380,α488nm=9.5cm-1。     

水流掺气量超声测试研究

本文利用超声波在含有气泡水流中传播特性，提出一种新型的水流掺气量测试方法，并进行了大量的试验研究。结果表明，本文所提超声掺气量测量方法，具有结构简单，使用、维护方便、性能稳定等优点。是水工建筑物等工程野外观测及室内模型试验研究中，值得进一步研究和推广的一种方法。     

高功率掺铒光纤宽带光源

本文提出并实现了一种新型结构的掺铒光纤超荧光光源。这种光源通过改变两级的参数来分别调整光谱和输出功率,从而获得了较高功率的定带输出。第一级的双程结构提高了光源的效率。这种结构的光源可以广泛应用于光谱测量、光纤传感器。尤其是光纤陀螺等很多领域。     

Y共掺对掺Er硅酸盐玻璃光致荧光及荧光寿命的影响

采用固相反应方法制备了Er/Y共掺激光玻璃，其中Er³⁺浓度分别为0.5at%和1.0at%，所对应的Y³⁺浓度的变化范围分别为0.0at%—2.5at%和0.0at%—5.0at%.通过吸收光谱、瞬态和稳态光致发光光谱测量，研究了Y共掺对Er³⁺吸收截面、发射截面、荧光寿命和光致荧光特征的影响.研究结果表明：Y共掺杂导致1530nm附近的吸收峰宽化，对Er³⁺的吸收起到了一定的增强作用，并且这种宽化作用随着Er关键词： Er/Y共掺玻璃 光致荧光 荧光寿命     

掺铒、镱铒共掺硅酸盐玻璃1.54μm荧光寿命测量

对自制的掺铒、镱铒共掺硅酸盐玻璃1.54μm荧光寿命进行了测量。实验结果表明:荧光衰减曲线是一条单指数曲线,与理论分析相一致,荧光寿命数量级为ms量级;在所考虑的泵浦功率范围内,两种样品的荧光寿命基本不随功率的变化而变化;荧光寿命随着样品掺铒浓度的增加呈现减小趋势,而在掺铒浓度一定的情况下随掺镱浓度的变化不明显,主要由于受激发的铒离子把能量通过间接耦合给了猝灭中心。