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锥形渐变截面驻波管是用锥形管代替突变截面驻波管突变截面部分的驻波管.为对比研究锥形渐变截面驻波管与突变截面驻波管的声学及其极高纯净驻波场性质,首先借助传递矩阵,对锥形渐变截面驻波管的声学性质进行了实验研究.研究表明,与突变截面驻波管一样,锥形渐变截面驻波管也属于失谐驻波管.利用其失谐性,在一阶共振频率激励下,锥形渐变截面驻波管获得了181 dB的极高纯净驻波场.在对锥形渐变截面驻波管和等长的突变截面驻波管的驻波饱和性质进行对比实验研究后发现,在一阶共振频率下,锥形渐变截面驻波管不仅能很好地抑制管内驻波场高次谐波的增长,而且能有效地降低管内驻波场的能量损耗,在相同扬声器激励电压下获得声压级更高的大振幅纯净驻波场.实验研究还发现,在三阶共振频率激励下,锥形渐变截面驻波管的大振幅驻波场三次谐波频率接近声压级传递函数谷值对应的声源端七阶阻抗共振频率,三次谐波随基波快速增长并表现出趋于二次谐波的饱和性质. 相似文献
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通过改进等截面驻波管实验系统,在1阶峰值共振频率激励下获得了182.1 dB大振幅驻波场,并对1~5阶峰值共振频率激励下的大振幅驻波场谐波饱和情况以及波形畸变进行了实验研究。研究发现,尽管1阶峰值共振频率激励下声压级已达到182.1 dB,但波形畸变最小,谐波并未表现出饱和现象,而3阶峰值共振频率激励下的大振幅驻波场表现出了饱和趋势。对谷值共振频率激励下获得的大振幅驻波场进行对比实验研究,发现谷值共振频率激励下,1阶谷值共振频率所获得的驻波场声压级最大,但波形畸变也最大。在相同声源驱动电压下,1阶峰值共振频率激励下获得的驻波场声压级始终大于1阶谷值共振频率激励下获得的驻波场声压级。由此可见,利用扬声器在等截面驻波管中获取大振幅驻波场,驻波管由1阶峰值共振频率激励较为合适。 相似文献
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突变截面驻波管属于失谐驻波管,即其高阶共振频率不是一阶共振频率的整数倍。通过对STAS的优化设计,利用STAS的失谐性质在一阶和二阶共振频率下激励分别获得了180 dB和177 dB的极高纯净驻波声场。尽管声压级已经很高,但在接下来的对一阶和二阶共振频率激励下的声波波形畸变和谐波饱和情况进行的实验研究中仍然没有观察到谐波饱和现象。与此同时,对三阶共振频率激励下的声场进行了实验研究,由于三阶共振频率激励下的大振幅非线性声场的二次谐波频率接近六阶共振频率,在声压级达到170 dB时观测到了三阶共振频率激励下的声波波形畸变和谐波饱和现象。 相似文献
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由直径不同的两级直圆管连接而成的两级突变截面驻波管具有失谐性,即高阶共振频率不是一阶共振频率的整数倍. 两级突变截面驻波管的失谐性质能够很好地抑制一阶共振频率激励下的大振幅非线性驻波畸变产生的高次谐波,从而获得大振幅纯净驻波场. 通过对两级突变截面驻波管失谐性质的研究,采用大功率扬声器正接等措施,利用两级突变截面驻波管的失谐性质在一阶共振频率激励下获得了184 dB的极高纯净驻波场,并对二至五阶共振频率激励下的声场进行了相应的实验研究. 在二阶、四阶共振频率激励下分别获得了180和166 dB波形比较规整的大振幅非线性驻波,并在三阶、五阶共振频率激励下观察到了谐波饱和现象和锯齿波.
关键词:
失谐驻波管
大振幅驻波
畸变
饱和 相似文献
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大振幅驻波在激波形成前的过程中,谐波声压级随基波声压级(Lp1)增长而出现饱和现象。在Lp1<153dB时,m次谐波声压振幅pm与基波声压幅值p1;呈pm~pm1关系。基波升高1dB,m次谐波升高mdB。之后,各次谐波均开始趋于饱和。次数越高,饱和越快,pm~pm1的关系逐渐变为pm~p1的趋向。在频率域内,变化过程大致可划分为三个区域:I.线性区;Ⅱ.变化区;Ⅲ.激波区。三个区域对应了时域的激波形成。Lp1>160dB后,即可认为激波已经形成。基波与电信号的关系也呈饱和现象,但与频率有关。上述结果有助于理论研究工作的进一步深入。 相似文献
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BES Collaboration J. Z. Bat G. P. Chen H. F. Chen S. M. Chen Y. Chen Y. B. Chen Y. Q. Chen B. S. Cheng X. Z. Cui H. L.Ding W. Y. Ding Z. Z. DU X. L. Fan J. Fang C. S.Gao M. L.Gao S. Q. Gao J. H. Gu S. D. Gu W. X. Gu Y. F. Gu Y. N. Guo 《中国物理 C》1996,(11)
本文通过对J/ψ辐射衰变到K+K-πO和终态中iota能区的振幅分析,发现iota峰下有一个0-+共振态(M=1467±3MeV,=89±6MeV)和两个1++共振态(M=1435±3MeV,=59±5MeV;M=1497±2MeV,=44±7MeV),分别对应于η(1440),f1(1420)和f1(1510). 相似文献
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用Hartrce-Fock-Relativistic(HFR)自洽场方法,计算类锂铝离子1s^2nl(n=2~7,l=0~5),1snln’l’(n,n’=2~3,l,l’=0~2)各能级值,电偶极跃迁谱线的光谱线性质(波长、振子强度和跃迁几率),其波长计算值和现有文献结果符合得较好。特别是实验中已观察到的软X射线激光跃迁(3d-4f,3d-5f)的波长值与我们的计算值符合得也很好。 相似文献
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麦克斯韦分布中的最可几问题 总被引:2,自引:0,他引:2
麦克斯韦分布中的最可几问题刘承波(青岛大学师范学院物理系山东青岛266071)我们知道,按照麦克斯韦速度分布律,速率分布函数f(v)=4π(m2πkT)3/2e-mv2/2kTv2(1)求f(v)对速率v的一级微商,并令其等于零。即ddvf(v)=0... 相似文献
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氯代苯分子3d Rydberg态的共振多光子电离光谱研究 总被引:1,自引:1,他引:0
用共振多光子电离(MPI)技术,结合飞行时间质谱(TOFMS),对氯代苯(Cl)分子的3dRydberg态进行了研究。在λ=(473.0nm~483.0nm)范围内所获得的光离子光谱呈现出明显的可分辨的结构。经分析为3d态的(3+1)共振多光子电离,光谱结构可能为3d态振动能级的反映,考虑跃迁选律,对这些结构进行了尝试性指认。 相似文献
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本文对一维大振幅驻波场进行了较为全面的实验研究,介绍了实验研究系统,着重讨论二次谐波的特性、实验研究结果表明:二次谐波的量值在基波产压级为定值的条件下是驱动频率的函数.其变化曲线可用一简谐函数近似描述之。大振幅驻波场在频域内可划分为四个区域。在称之为“稳定区”内,其二次谐波最小值可用马大猷教授所提出的“大振幅驻波理论”求得。理论与实验符合良好。用更进一步发展的理[8],能定性地对二次谐波的变化趋势作出圆满解释。 相似文献
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在由两声光折变BaTiO3晶体(其中一块晶体为一内反射式自抽运相位共轭镜工作方式,起外反射镜作用)构成的半线性自抽运相位共轭吕中观察到了相位共轭光的自脉动现象。自脉动的平均频率f与入射光功率Ⅰ0的关系为f∞Ⅰ0^1.43;相位共轭光的平均维持时间ΔT与入射光功率Ⅰ0近似成反比。观察到光折变BaTiO3晶体蝇扇形散射光具有动态的空间结构,扇形散射光的这种特性是引起上述半线性自抽运相位共轭器中相位共轭 相似文献
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报道在镁金属蒸气中利用两束激光三光子共振激发原子3snp1P中高里德堡态时,观察到随泵浦激光功率的增强,出现3s4s1S0-3sns1S0、3snd1D2(n≈18~32)偶宇称态偶极禁戒跃迁增强,以及3sns1S0能级移动现象,并解释为光泵过程引起的原子激发态碰撞效应。利用禁戒跃迁首次测定了Mg3sns1S0(n=22~30)能级。 相似文献
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采用声-力-电类比建立粘接界面非线性力学行为的等效非线性振荡电路,以求解双层粘接板的超声非线性谐振频率。理论上导出非线性谐振频率方程,确定双层粘接板非线性谐振频率与激励幅度、三阶弹性劲度系数的解析关系。双层粘接铝板的超声实验发现:在不良粘接情形下,超声谐振频率发生偏移,其值大于粘接完好区,且激发了较强的三次谐波,但二次谐波幅度变化不大。实验结果表明三次谐波幅度上升,超声谐振频率也显著增大,与理论导出非线性谐振频率变化规律相吻合,且三次谐波与基波、二次谐波的比值反映了非线性谐振频率变化趋势,证实粘接层三阶劲度系数是产生非线性共振频率偏移的主要因素。 相似文献
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用频谱分析法测量声光驻波调制器的调制度 总被引:1,自引:0,他引:1
从调制的基本概念出发,指出声光驻波调制器件为宽带频率调制型。讨论了调制度概念的成立条件和适用范围。理论上求出其成立条件为v<0.9(v=2πL△u/λ为衍射光强I(θ,t)中的自变量)。鉴于一般驻波型声光器件都是含有一定的行波成份,但行波声场和驻波声场在拉曼-奈斯衍射范围内衍射角均遵从sinθmi=土mλ/,故两者在空间上是无法分开的。文中给出了从频域上测量调制度M的一种新方法。并给出了零级和一般衍射光的测量值。 相似文献
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在J/ψ强子衰变过程中,伴随f0(975)产生的玻色共振态X,若衰变为一对正反赝标介子,它的自旋-宇称只能是产JPC=(奇)--.这里给出了过程的角分布螺旋度形式,并就如何确认X为1--或3--介子作了讨论.认为北京谱仪在K+K-π+π-四叉道中见到的反冲f0(975)的共振态X1(1573)是一个可能的新共振态. 相似文献
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本文通过测量HT-6B等离子体中OⅥ的线辐射强度随放电参数的变化,利用杂质输运分析的数值结果,给出了在等离子体参数很大的变化范围内[ne=(0.2-2.0)×10^13cm^-3,qa=3-8.5]Zeff及杂质相对浓度随放电参数的变化规律。在外加共振螺旋磁场(RHF)抑制外撕裂模的实验中,OⅢ、CⅢ的线辐射测量表明RHF具有改善杂质约束的迹象,此时光谱信号中反映出的相应频率的粒子扰动也被RHF所 相似文献
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本文通过测量HT─6B等离子体中OⅥ的线辐射强度随放电参数的变化,利用杂质输运分析的数值结果,给出了在等离子体参数很大的变化范围内[ne=(0.2-2.0)×10(13),qa=3-8.5]Z(eff)及杂质相对浓度随放电参数的变化规律。在外加共振螺旋磁场(RHF)抑制外撕裂模的实验中,OⅢ、CⅢ的线辐射测量表明RHF具有改善杂质约束的迹象,此时光谱信号中反映出的相应频率的粒子扰动也被RHF所抑制。 相似文献