合肥800MeV电子储存环测量四极铁磁中心的初步研究

对四极铁的直流K调制进行了理论分析和推导,并采用可开关的电阻分流法构成基于束流准直系统.该技术不仅可以测量束流位置检测器(BPM)相对相邻四极铁磁中心的位置,还可以进行储存环的β函数测量.给出了合肥光源基于束流准直系统的一些测量结果.     

升级的合肥光源闭轨测量系统及其应用

 描述了合肥同步辐射光源二期工程中，电子储存环升级的闭轨测量系统及其在设备研制中的应用。介绍了性能稳定可靠的Bergoz束流位置监测电子学信号处理器。升级后的闭轨测量系统中处理电子学电路的束流位置分辨率可达1μm，系统误差小于10μm。整个测试系统的分辨率小于3μm。利用该高精度闭轨测量系统和基于束流准直系统完成了束流准直四极铁磁中心的测量，并和控制系统完成了储存环全环闭轨反馈校正试验。一个完整的束流位置监测系统已投入了在线运行，保障了为用户提供高稳定高品质的光源。     

基于束流的准直的初步实验研究

束流位置探头电中心相对于邻近四极磁铁磁中心的位置偏移,可以通过基于束流的准直技术加以确定,其准直精度可以比用传统的准直方法提高一个数量级.介绍了基于束流的准直的基本原理和在BEPC储存环上的初步实验结果,以及对今后进一步开展该项实验研究的设想.     

BEPC基于束流准直的BPM OFFSET测量系统

束流轨道对加速器的运行很重要,为了能准确的测量束流的位置,有必要对束流位置监视器(BPM)本身进行快速,准确的准直.介绍在BEPC上用束流作为基准来测量BPM的零点偏差(OFFSET) .这套测量系统用辅助绕组来改变四极磁铁的强度,已经应用到BEPC上,并且取得一定效果.     

合肥光源上采用干涉方法测量束流截面

 束流截面尺寸测量对优化系统参数、确保光源运行至关重要。采用干涉法测量合肥同步辐射光源束流截面垂直方向的尺寸。基于Cittert-Zernike 定理,利用双缝干涉条纹的对比度得出相干度和束流截面尺寸。测量系统由干涉成像与图像处理系统组成。进行了5组试验,试验结果证明了干涉法测量合肥同步辐射束流截面尺寸的可行性。     

八电极束流能散检测器的计算与标定

针对合肥光源高亮度注入器设计了一种四轴对称八条带电极束流能散检测器(BESM),以实现束流能散的非拦截测量。理论推导了从BESM电信号中提取束流横向尺寸分量的公式。通过对BESM的灵敏度、阻抗匹配、电极的时域频域响应等的分析,确定了BESM的电极张角、半径、长度等各方面的物理参数。通过天线法对BESM进行了位置和四极分量的标定,得到了电中心相对于机械中心的偏移、 BESM的位置灵敏度和四极分量灵敏度等参数。通过对多组电信号和位置信号的处理拟合出了机械位置与对数比电位置信号的相关多项式,并给出了四极分量关于束流横向尺寸、束流中心位置以及它们高次项的经验公式。     

合肥光源储存环束流截面测量系统改造和软件升级

 存储环束流截面及发射度是同步辐射加速器重要的基本参数。从束流截面大小的变化和束斑位置的移动规律，可以进行环上的束流不稳定性的研究。介绍了合肥光源，储存环束流截面测量系统局部改造和它的软件升级并且着重介绍西欧核子中心(CERN)的软件框架ROOT在数据处理和显示方面的应用。     

合肥光源基于同步光的测量与研究

介绍了合肥光源同步光测量系统, 包括条纹相机系统、快速光电测量束团长度系统、束团横向截面测量系统和光位置测量系统. 利用条纹相机系统和快速光电测量束团长度系统进行了束团长度测量和束团伸长效应的研究. 利用束流截面测量系统进行了六极铁对横向不稳定性抑制效果和横向反馈系统反馈效果的测量研究. 光位置测量系统采用丝型光位置检测器和自行研制了对数处理器, 用于测量光源点的束流位置和角度.     

Libera数字束流位置处理器在工作点测量中的应用

 数字信号处理技术在现代束流诊断中有成熟的应用，特别是在束流位置检测器信号分析和工作点测量时有优越的性能。在合肥光源工作点测量中,采用高斯白噪声激励起束流横向振荡，再利用Libera数字束流位置处理器采集激励后的束流位置信号，并进行幅度解调得到束流横向振荡频率，再利用Matlab进行快速傅里叶分析处理，得到工作点的小数部分，从而实现工作点测量。在合肥光源上进行实验，测量得到其水平工作点是3.535 2，垂直工作点是2.629 9。     

合肥光源基于束流准直系统的控制软件设计

束流位置监测器(BPM)和与其相邻的四极铁之间的电偏移对于电子储存环轨道校正十分重 要。改变四极铁的强度,并通过测量轨道变化就能够计算出该四极铁的磁中心相对于相邻的BPM的电中心 之间的偏差。基于NSRL储存环的BBA硬件系统和EPICS控制系统,采用Labview平台开发出了BBA测量 的软件控制程序。由计算机控制四极铁的强度,连续测量后拟合得到四极铁的磁中心与相邻BPM的相对偏 差,测量精度可以达到100μm。     

Preliminary Study on Measurement of Magnetic Center of Quadrupoles Using Quadrupole Shunt for Hefei Storage Ring

The theoretical analysis of the DC K-modulation of quadrupole for the beam-based alignment method is presented. It is shown that the shift of the orbit,when the focussing strength of one quadrupole magnet is changed,can be described by the perturbed or unperturbed linear lattice parameters. The beam-based alignment system is constructed using DC K-modulation of quadrupole. In order to use the beam-based alignment method one must be able to individually adjust the strength of the quadrupole magnet. So,a switchable shunt resistor is installed on quadrupole to bypass 1%-2.5% magnet current and some solid-state relays are used to switch the shunt resistor in this beam-based alignment system. To improve the measurement accuracy,two methods are used. First method is that beam positions in measured quadrupole magnet are moved by local bump of beam closed orbit using the corrector magnets. Second method is that the root-mean-square of difference in closed orbit is fitted by a parabola function. The system can be not only used to position the beam in the magnetic center of quadrupoles,but also to measure the β function in quadrupole magnets. Some preliminary measurement results are given for Hefei 800MeV electron storage ring. These experimental results show that this system is valid to position the beam to the center of the quadrupole magnets and measure the β function at Hefei Light Source.     

HLS Ⅱ储存环条带束流位置检测器的离线标定

针对合肥光源二期改造工程设计了一条带束流位置检测器(BPM), 用于储存环中束流参数在线测量。对条带BPM进行了位置信号的离线标定,采用差比和法和对数比法进行计算,获得了灵敏度系数、映射图和拟合经验多项式,发现采用对数比法得到的灵敏度大小和线性范围好于差比和法。对和信号进行离线标定,发现和信号相对中心位置处的归一化值在(-5 mm, -5 mm)到(5 mm, 5 mm)范围内变化不超过6%。该条带BPM也用来测量合肥光源储存环上束团横向四极振荡,所以需对横向四极分量进行标定。采用二维网格结构高斯加权法模拟高斯束团,使用差比和法进行计算,并将测量结果与模拟结果比较,发现横向四极分量随 (x2-y2)线性变化的灵敏度与模拟结果相同,均为0.001 1 mm-2。得到的拟合经验公式用于在线测量。     

静力水准系统用于基准高差测量的研究

为了拓展静力水准系统（HLS）在粒子加速器准直测量工作中的应用,开展了针对HLS系统用于多点间基于水平面的基准高差测量的实现方法的研究。基于传感器工作原理,设计并搭建了一套由双频激光干涉仪、高精度位移平台、HLS传感器等组成的比对系统,利用该系统控制多传感器在同一坐标系下观测同一液位。通过比对获得多传感器间基于底部坐标系的零位高度差,实现了多个传感器坐标系间相对于水平面的高差值测量,并验证了高差测量精度优于5 μm。除此之外,通过在HLS传感器上方安装靶座,使用三坐标测量机(CMM)严格标定各传感器电极板至靶球球心的距离,实现了多靶球球心位置基于水平面的高差值测量,并验证了其测量精度优于30 μm。     

合肥光源Beta函数测量和分析

 利用四极铁调制的方法可以改变工作点，测量工作点的改变，可以计算出四极铁位置的Beta函数值，这样测量得到的值是四极铁位置的平均Beta函数值。采用该方法在合肥光源(HLS)储存环进行了实验，四极铁电源电阻并联后，分流调制四极铁的电流，从而改变四极铁强度，对环上的30块四极铁进行Beta函数测量。以理论值为参考，对采用计算公式得到的结果进行了比较和分析，利用四极铁中心位置的理想Beta函数计算值和测量值作比较，结果表明：测量最大绝对差为2.741，平均绝对差为0.521；垂直方向的测量最大绝对差为1.711，平均绝对差为0.009，四极铁自身电流和分流电流的测量对Beta函数测量值误差的影响非常小。通过改进工作点测量系统，适当加大分流电流可以减小Beta函数测量误差。     

合肥光源逐圈测量系统试验结果及其在注入调试中的应用

 介绍了合肥光源(HLS)逐圈束流位置测量系统在升级后的注入系统联调中的作用。该逐圈测量系统信号处理器采用对数比电路，数据获取采用NI5102 ADC。为了保证长达2s数据获取，采样数据通过突发的DMA方式实时写入工控机的系统内存。注入Kicker用作为激励束流，以便监测衰减率和研究β振荡。     

合肥光源测量束团纵向精细结构的单光子计数系统设计

本文介绍了用单光子计数法测量束团纵向精细结构的原理.介绍了合肥同步辐射光源测量束团纵向精细结构的单光子计数系统的设计.由于单光子计数法具有高时间分辨率(2ps)和大的动态测量范围(10⁵)等优点,所以该系统不仅可以测量束团长度,而且可以精密测量单束团的纯净度.最后,分析了该系统的性能,并讨论了该系统在尾场和纵向阻抗的研究、束团伸长效应的研究以及影响单束团不纯净机理的研究中的应用.     

一种新的永久周期磁铁聚焦的高功率宽带放大器

提出了一种新的高功率宽带放大器，它由速调管和自由电子脉塞组成，用永久周期磁铁聚焦。研究了这种器件的电子束聚焦、群聚和辐射。在速调管提供一阶调制系数为30%，波导管的半径1.51cm，摇摆器的磁场振幅0.16T，周期7.92cm，电子束的电压490kV，电流50A和半径0.368cm的条件下，预估这种器件的辐射波频率为11.4GHz，输出辐射功率为18MW，输出辐射带宽为44%。     

A new circuit model of HgCdTe photodiode for SPICE simulation of integrated IRFPA

We propose a novel sub circuit model to simulate HgCdTe infrared photodiodes in a circuit simulator, like PSPICE. We have used two diodes of opposite polarity in parallel to represent the forward biased and the reverse biased behavior of an HgCdTe photodiode separately. We also connected a resistor in parallel with them to represent the ohmic shunt and a constant current source to represent photocurrent. We show that by adjusting the parameters in standard diode models and the resistor and current values, we could actually fit the measured data of our various HgCdTe photodiodes having different characteristics. This is a very efficient model that can be used for simulation of readout integrated circuit (ROIC) for HgCdTe IR photodiode arrays. This model also allows circuit level Monte Carlo simulation on a complete IRFPA at a single circuit simulator platform to estimate the non-uniformity for given processes of HgCdTe device fabrication and Si ROIC fabrication.