SF6在惰性气体中输运性质的理论研究

利用Tang-Toennies势模型(以下简称TT势),计算了(Ne、Ar、Kr、Xe)-SF6相互作用势,在此基础上得到了SF6在惰性气体中的扩散系数,粘滞系数和热传导系数,通过相互作用势与M3SV势比较及输运性质与实验值的比较,说明了TT势模型是一种简单、可靠的势模型。     

惰性气体原子间相互作用势比较研究

原子间相互作用势是预测惰性气体输运性质的必要输入条件. 文章对描述惰性气体原子间相互作用的Lennard-Jones势、指数排斥势、Hartree-Fock-Dispersion-B (HFD-B)势和唯象势的形式和特点进行了分析. 基于Chapman-Enskog方法, 计算得到了惰性气体在300–5000 K温度区间内基于四种原子相互作用势的黏性和热导率, 并与文献报道的实验和理论计算结果进行了比较. 研究结果表明, 基于Hartree-Fock排斥理论与色散理论发展起来的HFD-B势能够合理反映惰性气体原子相互作用的趋势与特征, 因而可以较好地预测惰性气体的宏观输运性质.     

碰撞积分中的截面数值计算

全面描述和处理了截面数值计算中所遇到的临界现象、振荡现象和积分限的截断等问题。根据用我们的方法求出的原子间相互作用势,计算了惰性气体的截面、碰撞积分和输运系数。对输运系数的计算结果与实验值进行了比较。     

惰性气体输运系数的物理力学计算

根据用我们提出的方法求出的惰性气体原子间的相互作用势,计算了惰性气体的粘滞系数和热传导系数,其结果与实验值符合得很好,相对误差都在3%以下。证实了我们提出的计算原子间相互作用势的方法的准确性。     

液态铅的电阻率计算

根据费米面实验数据修正Behari关于液态铅的模型赝势,构建新的模型赝势,结合实验结构因子及硬球结构因子,计算不同温度下液态铅的电阻率,计算结果与实验数据较为符合,并对计算过程中的误差及模型赝势的适用性进行了分析. 关键词： 电阻率计算 电子输运 液态铅 模型赝势     

惰性气体原子间远程吸引势的padé近似计算法

原子与分子间相互作用势能可分为二部分,一部分可表达为近程排斥势,另一部分则表达为远程吸引势,对这两种势能的表达方式和计算方法已有很多。此文主要对原子间远程吸引势采用ｐａｄé近似处理法,从动态极化率来计算范德瓦尔斯系数,并进而计算吸引势,为惰性气体原子间远程势的计算提供一个有效的计算方法。     

惰性气体原子间远程吸引势的pade近似计算法

原子与分子间相互作用势能可一部分,一部分可表达为近程排斥势,另一部分则表达为远程吸引对这两种势能的表达方式和计算方法已有很多,此文主要对原子间远程吸引势采用ｐａｄｅ近似处理法,从动态极化率来计算范德瓦尔斯系数,并进而计算吸引势,为惰性气体原子间远程势提供一个有效的计算方法。     

电子散射和能量分配方式对电子输运系数的影响

电子输运系数是确保低温等离子体建模准确性的关键因素,通过模拟电子的输运过程可对其数值求解.在模拟电子输运时,电子和中性粒子碰撞后的散射和能量分配方式有多种处理方法.为了研究不同处理方法对电子输运系数的影响,本文基于蒙特卡罗碰撞方法,建立了电子输运系数的计算模型,模拟约化电场10—1000 Td (1 Td=10~(–21) V·m~2)氢原子气中的电子输运过程.计算结果表明,各向同性假设对电子输运系数的影响随电场强度增加而增加,但即使对于较低的约化电场(10 Td),各向异性散射假设下电子的平均能量、通量迁移率和通量扩散系数也分别比各向同性假设下的值高38.34%, 17.38%和119.18%.不同的能量分配方式对中高电场强度下( 200 Td)的电子输运系数影响较为显著.在高电场时,均分法计算得出的电子平均能量、通量迁移率和通量扩散系数均小于零分法对应的值,汤森电离系数则相反. Opal法得出的电子输运系数介于均分法和零分法之间.此外,考虑各向异性散射时,不同能量分配方式对输运系数的影响高于各向同性.本研究表明,在计算电子输运系数时需要考虑各向异性的电子散射,高电场条件下尤其要注意能量分配方式的选择.     

局域热力学平衡态空气电弧等离子体输运参数计算研究

空气电弧等离子体的物性参数为空气电弧放电过程的仿真提供了可靠的微观理论基础和参数输入. 假定体系处于局域热力学平衡态, 基于Chapman-Enskog理论, 采用Sonine多项式三级展开(对黏滞系数采用二级展开) 得到的输运参数表达式, 数值计算得到了不同气压条件下(0.1 atm-20 atm, 1 atm = 1.01325×10⁵ Pa)、 不同温度范围内(300-30000 K) 空气电弧等离子体的输运参数(扩散系数、黏滞系数、热导率、电导率). 与以往的理论研究相比, 最新的相互作用势和碰撞截面研究成果被应用到涉及粒子的碰撞积分计算中, 提高了输运参数计算结果的精度和可靠性.     

用模型势方法研究正电子与稀有气体的弹性散射

用模型势方法和STO波函数系统地计算了低能正电子与He, Ne, Ar, Kr, Xe和Rn惰性气体原子在非弹性阈值以下的散射角分布, 计算结果与已有的理论和实验数据吻合. 通过对算得的大量微分截面(散射角从20°到160°)的数据进行分析, 总结出了低能正电子与惰性气体原子弹性散射的规律.     

核磁共振碳谱研究:烷烃化学位移和(CSS)与分子路径指数矢量(VPM)

系统研究了核磁共振碳谱和化学位移规律及其定量构谱关系(QSSR).本文研究了一组十元素分子路径指数矢量VPM,并发现它与烷烃化学位移和CCS有良好线性相关性.采用多元线性回归进行准确估计与预测,结果优良.     

Interrelations of discrete Painlevé equations through limiting procedures

We study the discrete Painlevé equations associated to the affine Weyl group which can be obtained by the implementation of a special limits of -associated equations. This study is motivated by the existence of two -associated discrete both having a double ternary dependence in their coefficients and which have not been related before. We show here that two equations correspond to two different limits of a -associated discrete Painlevé equation. Applying the same limiting procedures to other -associated equations we obtained several -related equations most of which have not been previously derived.     

反向衬底偏压下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生电流特性研究

研究了反向衬底偏压V_B下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生(GMG)电流I_GMG特性, 发现I_GMG曲线的上升沿与下降沿随着|V_B|的增大向右漂移. 基于实验和理论模型分析, 得出了V_B与这种漂移之间的物理作用机制, 漂移现象的产生归因于衬底偏压V_B 调节了表面电势φ_s在栅电压V_G 中的占有比重: |V_B|增大时相同V_G下φ_s会变小, φ_s 的变化继而引发上升沿产生率因子g_r减小以及下降沿产生率因子g_f增大. 进一步发现I_GMG 上升沿与下降沿的最大跨导G_MR, G_MF 在对数坐标系下与V_B成线性关系, 并且随着|V_B|增加而增大. 由于漏电压V_D在I_GMG 上升沿与下降沿中的作用不同, 三种V_D下G_MR-V_B曲线重合而G_MF-V_B曲线则产生差异. 增大V_D 会增强g_f 随V_G的变化, 因此使得给定V_B 下的G_MF变大. 同时这却导致了更大V_D下G_MF-V_B 曲线变化的趋势减缓, 随着V_D从0.2 V变为0.6 V, 曲线的斜率s从0.09减小到0.03. 关键词： 产生电流 表面势 衬底偏压 N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管     

Universal enveloping algebra and differential calculi on inhomogeneous orthogonal q-groups

We review the construction of the multiparametric quantum group ISO_q,r(N) as a projection from SO_q,r (N + 2) and show that it is a bicovariant bimodule over SO_q,r(N). The universal enveloping algebra U_q,r(iso(N)), characterized as the Hopf algebra of regular functionals on ISO_q,r(N), is found as a Hopf subalgebra of U_q,r(so(N + 2)) and is shown to be a bicovariant bimodule over U_q,r(so(N)).

An R-matrix formulation of U_q,r(iso(N)) is given and we prove the pairing U_q,r(iso(N)) — ISO_q,r(N)). We analyze the subspaces of U_q,r(iso(N)) that define bicovariant differential calculi on ISO_q,r(N).