静电六极装置电场分布的数值计算方法及在N2O分子转动态选择、取向中的应用

阐述求解极性分子转动态选择及取向静电六极装置中势能分布、电场分布的数值计算方法.为了获得电场分布公式,需通过数值迭代求解势能满足的Laplace方程,获取数值分布点,通过数值分布点,由待定系数的多级展开势能解析表达式进行最小二乘拟合获得势能分布公式,由势能对空间向量的微分获得电场分布.分子在六极电场中的运行轨迹采用经典Newton方程描述,并通过四阶龙格-库塔方法(Four Order Runge-Kutta Method)实现数值求解,其中能量处理采用量子力学方法.应用此方法给出静电六极装置的电场分布公式,运用获得的电场分布公式计算和讨论电场对极性分子N₂O的静电六极转动态选择、取向所带来的影响.     

共轴平行圆盘的电容系数

由泊松方程和边界条件,给出了共轴平行不同大小圆盘的电势含两个待定函数的积分表达式.电势在圆盘上为定值,电场在圆盘外所在平面上连续,由此得到两个待定函数的偶合积分方程.利用数值积分中的Gauss-Lobatto公式,得到了圆盘上电荷数值表达式.两个圆盘上的电荷与圆盘电势成线性关系,其系数矩阵为电容系数矩阵.给出了电容系数和圆盘半径与圆盘间距比值得等高线图.     

略论电偶极线

本文首先仿照电偶极子模型的定义给出了电偶极线模型的定义,然后导出了电偶极线的电势公式和电场公式,最后利用电偶极线模型求出了沿垂直于轴方向均匀极化的长圆柱体周围的电场.     

真空下气-固界面热适应系数的数值计算

根据热适应系数的理论研究成果,结合国外学者的部分实验数据,对气-固界面热适应系数的主要影响因素进行定性的讨论;同时在S.Song和M.M.Yovannovich的公式基础上,最小二乘法拟合国外学者低温下实验测量的热适应系数,采用C语言编程算出拟合公式中的参数,分析拟合公式α=aFM/(b+M)+2.4μ(1-F)/(1+μ)2,F=exp(c(T-T0)/T0)中的参数a,b,c的特性;数值计算迭代收敛和拟合公式的计算误差在±20%以内表明:数值拟合公式可用在工程上计算热适应系数,S.Song和M.M.Yovannovich的公式可数值拟合低温下不同气-固界面的热适应系数的计算公式。     

外电场下BH分子势能函数

运用密度泛函B3P86方法和cc-PV5Z基组,获得了BH分子基态在不同外电场下的键长、偶极矩和振动频率等物理性质参数.通过分析物理性质参数,判断离解电场所处的范围,设置合适的参数扫描该范围的单点能获得势能曲线.结果表明物理性质参数和势能值随外电场的变化而变化,特别是在反向电场中.利用Morse势模型拟合无外场下势能函数,得到的拟合参数与实验值吻合较好,采用偶极近似构建外电场下的势能函数模型,编制程序拟合对应的势能函数,得出拟合参数,再计算临界离解电场参量,结果与数值计算值较为一致,说明构建的模型是可靠和准确的.为分析外场下分子光谱、动力学特性和分子Stark效应冷却囚禁提供理论参考.     

接地条形导体板对均匀电场的影响及其数值模拟

利用保角变换法和复位函数法,研究接地条形导体板对均匀电场的影响,给出其电势和场强分布,并利用软件MATLAB对场分布进行数值模拟.     

外电场对BeH分子结构和势能函数的影响

采用密度泛函B3P86方法,结合Dunning的相关一致五重基cc-PV5Z,设置不同的外电场参量进行优化计算,获得了不同外电场下Be H分子的键长、偶极矩、振动频率和红外光谱等物理性质参数.通过分析参数随外电场的变化关系,判断离解电场所处的范围,设置合适的外电场参数,采用单双取代耦合团簇CCSD(T)方法,扫描计算该范围的单点能获得其势能曲线.结果分析表明物理性质参数和势能随外电场的变化而变化,且外加反向电场时变化幅度更大.采用偶极近似构建外电场下的势能函数模型,编制程序拟合对应的势能函数,得出拟合参数,进而计算临界离解电场参量,结果与数值计算和理论分析较为一致,说明构建的模型是合理和可靠的.这为分析外场下分子光谱、动力学特性和分子Stark效应冷却囚禁提供重要的理论和实验参考.     

外电场对BeH分子结构和势能函数的影响

采用密度泛函B3P86方法, 结合Dunning的相关一致五重基,设置不同的外电场参量进行优化计算,获得了不同外电场下BeH分子的键长、偶极矩、振动频率和红外光谱等物理性质参数. 通过分析参数随外电场的变化关系,判断离解电场所处的范围,设置合适的外电场参数,采用单双取代耦合团簇方法,扫描计算该范围的单点能获得其势能曲线. 结果分析表明物理性质参数和势能随外电场的变化而变化,且外加反向电场时变化幅度更大.采用偶极近似构建外电场下的势能函数模型,编制程序拟合对应的势能函数,得出拟合参数,进而计算临界离解电场参量,结果与数值计算和理论分析较为一致,说明构建的模型是合理和可靠的.这为分析外场下分子光谱、动力学特性和分子Stark效应冷却囚禁提供重要的理论和实验参考.     

CH自由基在外电场中的分子结构和势能函数

运用密度泛函B3P86方法,结合Dunning的相关一致五重基cc-PV5Z,获得了CH自由基分子在不同外电场中的键长、偶极矩和振动频率等物理性质参数.通过分析物理性质参数的变化,判断离解电场所处的范围,设置合适的参数扫描该范围的单点能获得势能曲线.结果表明物理性质参数和势能值随外电场的变化而变化,且反向电场中变化幅度较大.利用Morse势模型拟合无外场下势能函数,得到的拟合参数与实验值吻合较好,采用偶极近似构建外电场下的势能函数模型,编制程序拟合对应的势能函数,得出拟合参数,进而计算临界离解电场参量,结果与数值计算值较为一致,说明构建的模型是可靠和准确的.这为分析外场下分子光谱、动力学特性和分子Stark效应冷却囚禁提供重要的理论和实验参考.     

椭圆柱形电容器的电场及其耐压能力

利用复坐标系上的儒可夫斯基变换,分析椭圆柱形电容器内的电场分布,给出其内部的电势和场强分布表达式,并在场强分布矢量式的基础上,通过MATLAB数据处理软件的数值计算功能进行数值模拟,研究椭圆柱形电容器相对于圆柱形电容器耐压能力的变化情况.