排序方式： 共有1条查询结果，搜索用时 3 毫秒
1
1.
采用密度泛函B3P86方法,结合Dunning的相关一致五重基cc-PV5Z,设置不同的外电场参量进行优化计算,获得了不同外电场下Be H分子的键长、偶极矩、振动频率和红外光谱等物理性质参数.通过分析参数随外电场的变化关系,判断离解电场所处的范围,设置合适的外电场参数,采用单双取代耦合团簇CCSD(T)方法,扫描计算该范围的单点能获得其势能曲线.结果分析表明物理性质参数和势能随外电场的变化而变化,且外加反向电场时变化幅度更大.采用偶极近似构建外电场下的势能函数模型,编制程序拟合对应的势能函数,得出拟合参数,进而计算临界离解电场参量,结果与数值计算和理论分析较为一致,说明构建的模型是合理和可靠的.这为分析外场下分子光谱、动力学特性和分子Stark效应冷却囚禁提供重要的理论和实验参考. 相似文献
1