稀释磁性半导体Sn1-xMnxO2的室温铁磁性

采用固相反应法，制备了不同成分的稀释磁性半导体Sn_1-xMn_xO ₂(x=002，004，006)．利用x射线衍射和傅里叶变换红外光谱法证明 了锰均匀地掺杂到二氧化锡中．在室温下研究了掺锰二氧化锡基稀释半导体的磁性，发现它具有明显的铁磁性 ，同时对磁性的强弱与锰的含量和烧结温度的关系作了研究． 关键词： 稀释磁性半导体 掺杂 烧结 铁磁性 1-xMn_x O₂')" href="#">Sn_1-xMn_x O₂     

稀释磁性半导体Zn1—xFexSe薄膜的光学特性

用真空蒸镀法制备了稀释磁性半导体Zn_(1-x)Fe_xSe多晶薄膜,用X射线衍射和电子扫描电镜测定了薄膜结构和成份.其光吸收数据表明:光学能隙E_g随着Fe~(2+)成分x增加而线性减小,用线性回归法拟合得其关系.E_g=2.722-2.2x(eV).     

溶胶凝胶合成锰掺杂ZnO的室温磁性行为

通过溶胶凝胶自燃法合成锰掺杂氧化锌纳米晶体, 研究了Mn掺杂ZnO稀磁半导体(简称DMS)的性质．X射线衍射光谱表明,锰掺杂氧化锌保留纤锌矿型状氧化锌六角晶体结构．采用能量色散X射线能谱和扫描电子显微镜分别对成分和形态进行研究．温度依赖的电阻率显示了DMS的半导体材料行为．振动样品磁强计测定的室温磁性行为,揭示了锰掺杂氧化锌的铁磁性和反磁性特性.     

第一原理计算稀磁半导体(In1-xMnx)As的晶格常数,磁性和电子结构

用紧束缚近似线性Muffin-tin轨道的方法计算了稀磁半导体(In1-xMnx)As(x=1/2,1/4和1/8)的晶格常数,磁性和电子结构.给出了Mn掺杂浓度的变化对(In1-xMnx)As的晶格常数,磁性和电子结构的影响.     

源于非晶合金的透明磁性半导体

磁性半导体兼具磁性和半导体特性,通过操控电子自旋,有望实现接近完全的电子极化,提供一种全新的导电方式和器件概念.目前磁性半导体的研究对象主要为稀磁半导体,采用在非磁性半导体中添加过渡族磁性元素使半导体获得内禀磁性的方法进行制备.但大部分稀磁半导体仅具有低温磁性,成为限制其在室温可操控电子器件中应用的瓶颈.针对这一关键科学问题,本文提出与传统稀磁半导体制备方法相反的合成思路,在磁性非晶合金中引入非金属元素诱发金属-半导体转变,使磁性非晶获得半导体电性,研制出具有新奇磁、光、电耦合特性的非晶态浓磁半导体,揭示其载流子调制磁性的内禀机理,发展出可在室温下工作的p-n结及电控磁器件.     

Zn1-xCoxO稀磁半导体薄膜的结构及其磁性研究

利用X射线吸收精细结构、X射线衍射和磁性测量等技术研究脉冲激光气相沉积法制备的Zn1-zCoxO(x=0.01,0.02)稀磁半导体薄膜的结构和磁性.磁性测量结果表明Zn1-xCoxO样品都具有室温铁磁性.X射线衍射结果显示其薄膜样品具有结晶良好的纤锌矿结构.荧光X射线吸收精细结构测试结果表明,脉冲激光气相沉积法制备的样品中的Co离子全部进入ZnO晶格中替代了部分Zn的格点位置,生成单一相的Zn1-xCoxO稀磁半导体.通过对X射线吸收近边结构谱的分析,确定Zn1-xCoxO薄膜中存在O空位,表明Co离子与O空位的相互作用是诱导Zn1-xCoxO产生室温铁磁性的主要原因.     

操控磁性原子进入半导体晶格

半导体和铁磁体是当代信息产业的两大支柱：半导体微处理器用于计算机的逻辑线路，而铁磁体则在硬盘中承担数据的存储并接受访问。在磁性半导体材料中，上述两种功能可融为一体，在此基础上将发展出一大批功能更为强大的自旋电子学设备．锰掺杂砷化镓Ga1-xMnxAs是一种具有应用前景的磁性半导体，它在中等的Mn浓度下（x超过0．015）便成为铁磁体．GaAs原本是性能优越的半导体，在DVD播放器（激光头）和移动通信（高频线路）中已被广泛应用。不幸，在Ga1-xMnxAs中获得铁磁性是以牺牲掉GaAs良好输运性质为代价的。为解决此问题，最好先排除高Mn浓度所导致的缺陷和无序，在稀磁环境下从凝聚态物理的角度观察Mn原子在半导体晶格中的行为。     

Ba2+掺杂钙钛矿Bi0.5Ca0.5MnO3多晶材料的结构、磁性和输运性质研究

本文系统地研究了具有电荷有序(CO)和C型反铁磁(AFM)磁结构的钙钛矿锰氧化物Bi0.5Ca0.5-xBaxMnO3(x=0,0.03,0.05,0.07 and 0.10)的结构、磁性和电输运性质.系统晶格对称性保持Pnma空间群正交结构不变.随着Ba掺杂浓度的提高,电荷有序转变温度和反铁磁转变温度明显降低,表明掺...     

多层结构双自旋过滤隧道结中的电子输运特性

在转移矩阵方法及Mireles和Kirczenow的量子相干输运理论的基础上,研究了正常金属层/磁性半导体层/非磁绝缘层/磁性半导体层/正常金属层型双自旋过滤隧道结中Rashba自旋轨道耦合效应和自旋过滤效应对自旋相关输运的影响.讨论了隧穿磁电阻（TMR）、隧穿电导与各材料层厚度、Rashba自旋轨道耦合强度以及两磁性半导体中磁矩的相对夹角θ之间的关系.研究表明：含磁性半导体层的双自旋过滤隧道结由于磁性半导体层的自旋过滤效应和Rashba自旋轨道耦合作用可获得极大的TMR值.另外TMR和隧穿电导随着Rashba自旋轨道耦合强度的变化而振荡,振荡周期随Rashba自旋轨道耦合强度的增大逐渐减小. 关键词： 双自旋过滤隧道结 Rashba自旋轨道耦合 隧穿磁电阻 隧穿电导     

钙钛矿结构La_(1-x)Ca_xMnO_3的激光拉曼光谱分析

用固相反应法制备了具有钙钛矿结构的La1-xCaxMnO3(x=0和0.33)并对其晶体结构、磁性、电阻和激光显微共聚焦散射拉曼光谱进行了测试、表征和分析.每种样品在激光拉曼光谱上都呈现出高波数峰(～640cm-1)、中波数峰(～500cm-1)和低波数峰(～220cm-1)三个明显的特征峰.它们分别对应锰氧八面体面内氧原子的对称伸缩振动模式,氧原子的反对称伸缩振动模式和氧原子的旋转振动模式.高波数峰随温度的演化呈现出明显的变化行为,并且这种行为及对应的特征温度与材料的磁性和电子输运随温度的变化行为及特征温度基本吻合.但其他两种峰随温度变化没有较为明显的规律性.高波数峰对应的锰氧八面体面内氧原子的对称伸缩振动模式与锰氧化物材料的磁性和电子输运存在本质上的联系.