| 稀释磁性半导体Sn1-xMnxO2的室温铁磁性 |
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| 引用本文： | 匡安龙,刘兴翀,路忠林,任尚坤,刘存业,张凤鸣,都有为.稀释磁性半导体Sn1-xMnxO2的室温铁磁性[J].物理学报,2005,54(6):2934-2937. |
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| 作者姓名： | 匡安龙 刘兴翀 路忠林 任尚坤 刘存业 张凤鸣 都有为 |
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| 作者单位： | (1)南京大学固体微结构国家重点实验室,南京 210093; (2)西南师范大学物理系,重庆 400715; (3)西南师范大学物理系,重庆 400715;南京大学固体微结构国家重点实验室,南京 210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规范项目973“纳米材料和纳米结构”(G199906508)和国家自然科学 基金项目(10374044) |
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| 摘 要： | 采用固相反应法，制备了不同成分的稀释磁性半导体Sn1-xMnxO 2(x=002，004，006)．利用x射线衍射和傅里叶变换红外光谱法证明 了锰均匀地掺杂到二氧化锡中．在室温下研究了掺锰二氧化锡基稀释半导体的磁性，发现它具有明显的铁磁性 ，同时对磁性的强弱与锰的含量和烧结温度的关系作了研究．
关键词：
稀释磁性半导体
掺杂
烧结
铁磁性
1-xMnx O2')" href="#">Sn1-xMnx O2
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| 关 键 词： | 稀释磁性半导体 掺杂 烧结 铁磁性 Sn1-xMnx O2 |
| 文章编号： | 1000-3290/2005/54(06)2934-04 |
| 收稿时间： | 7/9/2004 12:00:00 AM |
Room-temperature ferromagnetism in Mn-doped SnO2 diluted magnetic semiconductor |
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| Kuang An-Long,Liu Xing-Chong,Lu Zhong-Lin,Ren Shang-Kun,Liu Cun-Ye,Zhang Feng-Ming and Du You-Wei.Room-temperature ferromagnetism in Mn-doped SnO2 diluted magnetic semiconductor[J].Acta Physica Sinica,2005,54(6):2934-2937. |
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| Authors: | Kuang An-Long Liu Xing-Chong Lu Zhong-Lin Ren Shang-Kun Liu Cun-Ye Zhang Feng-Ming and Du You-Wei |
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| Abstract: | Using the solid_state diffusion method, a series of Sn1-xMnxO2(x=002—006) diluted magnetic semiconductors(DMSs) are fabricated.By u sing x_ray diffraction(XRD) measurements and Fouier transform infrared spectrosc opic(NEXUS870) analyses,a uniform Mn distribution in the SnO2 is conf irmed. An obvious ferromagnetism in Mn_doped SnO2 DMS at room temperature is f ound and the ferromagnetism is weak with the increase of Mn concentration. |
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| Keywords: | DMS doped sintered ferromagnetism Sn1-xMnxO2 |
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