石英中Al3+-空穴取向变化弛豫过程中的红外发散响应

基于α石英的晶体结构，将红外发散响应模型和双势阱模型应用到含Ａｌ杂质的α石英中Ａｌ³⁺－空穴的取向变化弛豫过程，研究其低温介电损耗特性，结果表明Ｔ＜６．５Ｋ时，介电损耗的主要贡献来自于单声子助隧道弛豫过程；Ｔ＞１０Ｋ时，主要贡献来自于热跃迁弛豫过程；而在中间温区，介电损耗是两种过程的迭加，同一弛豫体不同的弛豫过程对应于不同的红外发散响应，还讨论了同一弛豫体引起的超声弛豫损耗。 关键词：     

KCl:OH中结构弛豫的红外发散响应

本文将红外发散响应理论应用到晶态KCl:OH中OH^-的取向变化弛豫过程,研究KCl:OH的低温超声吸收特性。结果表明T>4.5K时,超声吸收的主要贡献来自于热激活弛豫过程;T<4.5K时,超声吸收是热激活弛豫过程和隧道弛豫过程贡献的迭加。 关键词：     

含红外发散的集团自旋玻璃体系的超声吸收

本文将红外发散响应理论应用到集团自旋玻璃体系中磁集团取向变化弛豫过程,研究自旋玻璃体系(COF_7)_(0.5)(BaF_2)_(0.2)(NaPO_3)_(0.3)的低温超声吸收特性。结果表明T<4.0K时,超声吸收的磁贡献部分主要来自于磁集团的集体转向弛豫过程;T>4.0K时,超声吸收的磁贡献部分是集团集体转向过程和集团内部贡献的迭加。     

掺杂的高温超导体的自旋晶格弛豫率

本在赝隙和剩余态密度基础上对ＹＢａ２（Ｃｕ１－ｘＺｎｘ）３Ｏ７及Ｔｌ２Ｂａ２ＣｕＯ６＋ｙ（Ｔｃ＝４０Ｋ）在超导态下的自旋晶格弛豫行为进行了研究，在低于Ｔｃ的整个温区内计算值与实验符合较好。研究表明在稍低于Ｔｃ的温区赝隙导致了ＢＣＳ理论预言的相干峰消失，而在低温，剩 余态密度对体系的自旋晶格弛豫率的贡献起了主要作用。     

六氯铅铵晶体相变的拉曼散射研究

在５Ｋ～３００Ｋ温度范围内对六氯铅铵晶体进行了拉曼散射测量，该晶体在Ｔｃ＝７８Ｋ发生从立方结构（Ｏ＾５４）至三方结构（Ｃ＾２３ｉ）的二级相变，ＰｂＣｌ＾２－６八面体Ａ１ｇ模和ＮＨ＾＋４四面体Ａ１模的拉曼频移在Ｔｃ时出现极大值，八面体Ｔ２ｇ模，四面体Ｔ２模和外振动Ｔ２ｇ模在Ｔｃ以下发生连续分裂，另外在Ｔｃ以下观测到对应于高温相ＰｂＣｌ＾２－６八面体Ｔ１ｇ模的软模。     

冰晶石类氟化物的红外光谱分析

用傅里叶变换红外光谱法研究了Ｋ３ＡｌＦ６，α－Ｒｂ３ＡｌＦ６，β－Ｒｂ３ＡｌＦ６和Ｃｓ３ＡｌＦ６等注晶石类氟化物的远红外及中红外光谱，并对远红外光谱和部分中红外光谱带进行了指认。     

THE SUPERCONDUCTIVITY IN Al-DOPEDY_(1-x)Al_xBa_2Cu_3O_y

本文系统地分析了在Ｙ１－ｘＡｌｘＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ（ｘ＝０～０．７）中用Ａｌ替代Ｙ的替代效应．我们发现当ｘ＜０．４时，Ａｌ主要替代在Ｙ位，引起结构畸变，从而导致氧含量的减少和Ｏ－Ｔ相变，转变温度随Ａｌ含量增加而下降．当掺杂量大于０．４，Ａｌ开始占据Ｃｕ（１）和Ｃｕ（２）位，样品变为四方结构，Ｔｃ迅速下降．ＸＰＳ分析表明，Ａｌ的位置依赖于掺杂量，随掺杂浓度的增加Ａｌ依次替代Ｙ，Ｃｕ（１），Ｃｕ（２）．同时我们观察到Ｔｃ和ＣｕＯ２平面间相互作用的正比关系．     

热激活磁弹性弛豫的多体普适方法研究

本文基于多体相互作用导致红外发散响应的弛豫机制,研究无序铁磁合金中的热激活磁弹性弛豫。即认为:引起磁畴壁弛豫的磁取向有序,除取向有序原子的热激活跃迁外,还应包括多体相互作用引起的两种不同的位形隧道效应。在此新机制的基础上,导出了分指数的磁化强度弛豫规律和磁导率减落公式。再利用波耳兹曼迭加原理,得出普适的磁弹性内耗公式,此公式得到实验数据的证实。 关键词：     

混晶（RbxK1—x）2SnCl6的相变研究

用非极性喇曼散射光谱研究了混晶（ＲｂｘＫ１－ｘ）２ＳｎＣｌ６性质随组份（０〈ｘ〈１）及温度（１０Ｋ〈Ｔ〈３００Ｋ）的变化，发现在纯Ｋ２ＳｎＣｌ６晶体中用Ｒｂ＾＋部分替代Ｋ＾＋后，将降低原Ｋ２ＳｎＣｌ６的相变温度Ｔｃｌ。当混晶中Ｒｂ＾＋成份超过极限浓度（ｘ〉０．７）后，该相变就被抑制，不同组份样品的同一喇曼模频率，随Ｒｂ＾＋的增加，向低频方向移动，用平均力常数拟合给出很好的理论解释。     

高分辨率多晶多反射X射线衍射仪在半导体材料分析中的应用

用高分辨率多晶多反射Ｘ射线衍射仪进行衍射空间的二维扫描是目前非损伤性表生半导体材料质量的手段之一。不同质量的材料在二维衍射空间中的衍射图形状不同。本文以ＧａＡＳ／ＡｌＧａＡｓ为例，展示了如何利用Ｘ射线的二维衍射空间图的形状来定性地分析半导体单晶样品的宏观弯曲，微观倾斜，组分梯度，应变，弛豫以及平行于界面的连续性等问题。     

混晶（Rb_xK_（1－x））_2SnCl_6的相变研究

用非极性喇曼散射光谱研究了混晶（Ｒｂ_ｘＫ_（１－ｘ））_２ＳｎＣｌ_６性质随组份（０＜ｘ＜１）及温度（１０Ｋ＜Ｔ＜３００Ｋ）的变化。发现在纯Ｋ_２ＳｎＣｌ_６晶体中用Ｒｂ￣＋部分替代Ｋ￣＋后，将降低原Ｋ_２ＳｎＣｌ_６的相变温度Ｔｃｌ。当混晶中Ｒｂ￣＋成份超过极限浓度（ｘ＞０．７）后，该相变就被抑制。不同组份样品的同一喇曼模频率，随Ｒｂ￣＋的增加，向低频方向移动。用平均力常数拟合给出很好的理论解释。     

1MeVSi~＋衬底加温注入Al＿（0．3）Ga＿（0．7）As／GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究

用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ￣＋在衬底加温和室温下以不同剂量注入Ａｌ＿（０．３）Ｇ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温下，观察到Ａｌ＿（０．３）Ｇａ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围，以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比ＧａＡｓ更难以损伤，并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于ＧａＡｓ中的相应临界剂量，用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用ＣＮＤＯ／２量子化学方法计算了ＧａＡｓ和Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ中化学键的相对强度，并根据计算结果解释了注入过程中Ａｌ＿（０．３）Ｇａ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ中晶格损伤程度的差别。     

Cu-Al混合粉经过球磨后的27Al核磁共振谱与机械合金化反应

测量了ＣｕＡｌ 混合粉末经过不同时间球磨后的２７Ａｌ 核磁共振（ＮＭＲ） 谱，分析了２７Ａｌ ＮＭＲ 谱的特征参量随球磨时间的变化．根据２７Ａｌ ＮＭＲ 谱所提供的信息，研究了ＣｕＡｌ 混合粉末机械合金化反应的微观过程．ＣｕＡｌ 混合粉末的２７Ａｌ Ｋｎｉｇｈｔ 位移随球磨时间的增加而减小．对于ＣｕＡｌ 混合粉末，球磨不仅改变了２７Ａｌ 附近的化学短程序，而且也直接地影响了２７Ａｌ 的外层电子态，后者使传导电子的ｓ 态成分减小．实验结果表明，ＣｕＡｌ 混合粉末在球磨过程中发生了真正的合金化反应；经过９０ ｈ 球磨完成了合金化反应；用机械合金化法制备的ＣｕＡｌ 合金与用熔融法制备的同成分合金有相同的化学短程序     

激光沉积法制备（Y1—xHox）Ba2Cu3O7—δ薄膜

本文报道了用激光沉积法在（１００）ＬａＡｌＯ３衬底上制备（Ｙ１－ｘＨｏｘ）Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０，０．２，０．４）超导薄膜．结果表明，新超导薄膜表面光滑，具有很强的ｃ轴织构，零电阻温度Ｔｃ０约９１Ｋ，最佳临界电流密度Ｊｃ为４．７×１０６Ａ／ｃｍ２（７７Ｋ）．     

Ga1—xAlxAs外延片有源区Al组份的测定方法

由于ＧａＡｓ与ＡｌＡｓ晶格常数相近，ＧａＡｓ晶格常数为０．５６５３５ｎｍ，ＡｌＡｓ的晶格常数为０．５６６０５ｎｍ，当固熔体中Ａｌ组份ｘ值从０变到１时，晶格常数变化约为０．１５％．因此，在ＧａＡｓ衬底上生长Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ时，在界面处的失配位错少，...     

1MeV Si+衬底加温注入Al0.3Ga0.7As/GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究

用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ⁺在衬底加温和室温下以不同剂量注入Ａｌ_0.3Ｇ_0.7Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温下，观察到Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围，以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比ＧａＡｓ更难以损伤，并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于ＧａＡｓ中的相应临界剂量，用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用ＣＮＤＯ／２量子化学方法计算了ＧａＡｓ和Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓ中化学键的相对强度，并根据计算结果解释了注入过程中Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ中晶格损伤程度的差别。 关键词：     

时间和空间无序对玻璃超声弛豫的影响——红外发散响应理论的推广

本文采用时间连续无规行走(CTRW)的分形理论(Fractal),讨论玻璃超声弛豫过程中时间和空间无序对缺陷态激发寿命几率分布和特征弛豫时间的影响,并由此修正红外发散响应(IDR)理论,使其可能解释金属玻璃态超声弛豫现象。 关键词：     

KNO3／Al2O3和K2CO3／Al2O3的强碱性研究

采用ＣＯ２－ＴＰＤ及Ｈａｍｍｅｔｔ批示剂法测定了ＫＮＯ３／Ａｌ２Ｏ３及Ｋ２ＣＯ３／Ａｌ２Ｏ３样品的碱量和碱强度。当ＫＮＯ３，Ｋ２ＣＯ３的负载量低于其单层分散阈值时，能在ＡｌＯ３均匀分布并产生强度为１８．４的强碱位；高于其单层分散阈值后则能生成强度为２７．０的超强碱位。     

AlGaN薄膜的微区Raman散射光谱研究

利用微区Ｒａｍａｎ散射技术,对低压ＭＯＣＶＤ生长的不同Ａｌ组分的ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜（ｘ＝０,０．０７,０．１５）进行了背散射Ｚ（Ｘ,Ｘ）Ｚ－几何配制下的测量．Ａ１（ＬＯ）模式的声子频移随Ａｌ组分的变化关系为：ω（ＡｌｘＧａ１－ｘＮ）＝（１＋０．２２０ｘ）ω（ＧａＮ）．观察到了Ａ１（ＬＯ）模式由于空间相关效应引起的展宽．Ｅ２模式随Ａｌ组分的的增大产生的移动很微小,但趋于展宽．这被认为是Ｅ２模式的声子频移随Ａｌ组分的增加而增大与其受到的张应力导致的声子频移随Ａｌ组分的增加而减小共同作用的结果．在多种配置下,观察到了Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎ薄膜的Ａ１（ＴＯ）模式、Ａ１（ＬＯ）模式、Ｅ１（ＴＯ）模式和Ｅ２模式．验证了ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜的Ｒａｍａｎ选择定则．表明ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜具有单模行为．     

快速热退火引起的GaAs／AlGaAs双量子阱中铝原子的扩散研究

用分子束外延生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ双量子阱激光器结构样品，并对不同温度快速热退火导致量子阱组分无序即阱和垒中三族元素的扩散过程进行了实验和理论研究 。用光荧光技术测量退火样品的ｎ＝１量子阱能级跃迁峰值位置，结果表明退火前后样品量子阱能级位置发生蓝移，蓝移量随温度的提高而增大，对退火过程中ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱中三族元素的扩散过程中进行了理论分析，并与实验结果相比较，获得了不同退火温度下