氧化锌压敏电阻器

压敏电阻器1)是一种特殊的半导体非线性电阻器.在它的工作范围内,即使有微量的电压增加,都有可能引起电流的倍增现象,呈现出对电压非常敏感的伏安特性(见图1).其伏安特性大致可用下式表示,式中I为通过压敏电阻器中的电流,U为相应的端压降,a为非线性系数(a>0),C为材料常数. 压敏电阻器的品种很多,按其材料的不同可分为氧化锌压敏电阻器、碳化硅压敏电阻器等;按其制造工艺的不同可分为体型压敏电阻器、结型压敏电阻器等;按其伏安特性的不同可分为对称型压敏电阻器和非对称型压敏电阻器.压敏电阻器的品种不同,其技术性能、制造工艺和导电机理…     

略论滑线电阻器的两种误差

一、引言滑线电阻器,是物理、电工实验中最常用的器件。在实验时,通常把它当作分压器,用来取出一部分电压,还可用作限流,以改变电路中的电流大小。在工业上,它是自动平衡电桥、自动电子电位差计中的重要调节元件,以及还用于自动控制系统中的给定部分等。绕线式滑动电阻器事实上要比碳膜式的精度高。但是,由于结构上的原因,它还是存在误差的。本文拟就其存在的两种误差作一探讨。     

异轴圆柱形电阻器的电阻

利用复变函数保角变换 ,将平行轴圆柱形电阻器变换为同轴圆柱形电阻器 ,并对电阻进行了计算和详细讨论     

物理奥林匹克竞赛实验专题

第 1 1期试题解答设已知电阻为 R,滑动电阻器电阻为 Rx,直流电源电压为 U(工作电路的电源 ) ,电池电压为 E(补偿电路的电源 ) .电路如图 1 .图 1　实验电路图　　图 1 ( a) ,闭合 K1,用跃接法接通 K2 ,调滑动电阻器 ,直至灵敏电流计指零 .记录滑动电阻器在补偿电路中的长度比例 a,有EU=a Rx R+Rx( 1 )图 1 ( b) ,调换已知电阻 R和滑动电阻器Rx 的位置 .用上述跃接法 ,调整滑动电阻器 ,使灵敏电流计指零 .记录活动端标尺读数 .设这时滑动电阻器在补偿电路中的长度比例为 b,有EU=R+b Rx R+Rx( 2 )由 ( 1 ) ,( 2 )式可得Rx=Ra-b,　 E…     

液态气体用超声液位传感器

最近研制的许多液位传感器或液位控制器,是用碳制电阻器作为液态气体的传感元件.这些与温度有关的电阻器的工作原理,是检测稍低于或稍高于低温液体表面诸点之间的小温差.对于在固定温度下的特定液态气体,这些装置必须专门设计或重新调整.     

探究直流导线周围磁场的变化

利用螺绕环、线圈、电流计和可变电阻器等设备,设计了探究直流导线周围磁场变化的实验装置.由电源、转向开关和电阻来改变导线中电流大小和方向,进而改变直流导线周围的磁场,通过灵敏电流计来探究缠有线圈的螺绕环中感应电流的变化,由此得出直流导线周围的磁场大小和方向与直流导线中电流的大小和方向的关系.     

TGS—200/35型高速电影摄影机抓片爪加工工艺浅谈

TGS—200/35同步高速电影摄影机,是一种使用35毫米胶片的间歇抓片式高速电影摄影机,它的拍摄频率可达240帧/秒,同步拍摄频率最高200帧/秒。该机的间歇输片是靠双边六爪的抓片爪(见图)和双边四爪的定片针准确配合来实现的,而抓片爪设计与加工质量,是摄影机拍摄频率和画幅质量能否达到设计指标的关键因素。 TGS—200/35的抓片爪,几何形状复杂,尺寸精度和形位公差要求比较高。     

硅衬底Ba1-xSrxNbyTi1-yO3薄膜光敏特性的研究

利用硅平面工艺和氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积一层厚45nm的钛铌酸锶钡(Ba1-xSrxNbyTi1-yO3)薄膜，制成Al/Ba1-xSrxNbyTi1-yO3/SiO2/Si结构平面型薄膜电阻器。测试了该薄膜电阻器的吸收光谱，不同照度、电压下的光电流，调制光下的频率特性。实验结果表明：在钛酸钡中掺入锶(Sr)和铌(Nb)后，禁带内引入了杂质能级，钛铌酸锶钡禁带宽度变为2.7eV，且可见光区域存在连续的吸收峰。该薄膜在近紫外及可见光范围内具有良好的光敏特性，其灵敏度和光电导增益较高，并且具有较好的线性光照特性。光照强度较低时，电阻器的光照特性属于单分子复合过程；光照强度较高时，电阻器的光照特性属于双分子复合过程。通过对该薄膜电阻器频率特性的测量得出：在光照度为200lx时，薄膜中光生载流子的寿命为27ms。     

光成像技术用于地铁电阻式制动器热变形的测量

由于瞬间负载大电流产生电热冲击,使得地铁使用的制动电阻器内部电阻片在热力耦合作用下过度变形。为消除接触式传感器本身对温度场和位移场的干扰,对温度和变形均采用了非接触式测量。在温度的测量中,采用了红外线遥感测温仪;在变形的测量中,应用了以数字光栅投影和Gray-code编码法为基础的结构光三维成像技术,对13个不同温度点进行了电阻片的热变形测量。通过系统标定和误差控制,使得变形测量系统的误差在0.1mm以内。非接触式测量是热应力实验研究的发展方向,而光学成像技术在热变形检测中的应用,为热应力的实验研究开辟了新的途径。     

基于脉冲宽度调制的直流电机调速电路的设计

在自动控制领域中,实现复杂的机械动作离不开对电机转速的精确控制。基于脉冲宽度调制的直流电机调速方式,可使电机转速在调节过程中变化连续而平稳。通过调节矩形波信号的占空比,控制调速电路上下桥臂导通与截止时间的比例,改变电枢供电电压的有效值,以实现对电机转速的精确控制。     

忆阻混沌振荡器的动力学分析

忆阻器(memristor)是一种有记忆功能的非线性电阻器,它是除电阻器、电容器和电感器之外的第四种基本电路元件.采用一个具有光滑磁控特性曲线的忆阻器和一个负电导替换蔡氏振荡器中的蔡氏二极管,导出了一个基于忆阻器的振荡器电路.采用常规的动力学分析手段研究了电路参数和初始条件变化时该光滑忆阻振荡器的动力学特性.研究结果表明,光滑忆阻振荡器与一般的混沌系统完全不同,它的动力学行为除了与电路参数有关外,还极端依赖于电路的初始条件,存在瞬态混沌和状态转移等奇异的非线性物理现象.     

三相异步电动机变频调速实验装置

三相异步电动机变频调速实验装置黄灿，秦光戎（北京师范大学物理系１００８７５）交流异步电动机应用非常广泛．变频调速是三相交流异步电动机无级变速的一种重要方法．变频调速操作方便，调速范围广，转速稳定，对电网的干扰小并能以最佳转矩启动．与其它调速方式相比具...     

以高温超导体为基础的颗粒复合磁电阻器件

外加磁场对超导电性有强烈抑制作用，等效于一个显的正磁电阻．将高温超导体与具有不同磁电阻特性的其它材料复合，构成纳米颗粒复合体，可改变其磁场响应，调节成分配比还可使总磁电阻在特定的温度和外磁场下改变符号，即可调谐磁电阻．根据这一原理，我们制备了以La1.85Sr0.15CuO4和YBa2Cu3O7-δ为基础的颗粒复合磁电阻器件，并在其中观测到了以可调谐磁电阻为代表的丰富的磁电现象．这些器件在磁探测、磁记录和磁场标定等方面具有重要应用价值．     

波导型高功率微波输能窗的研究进展

波导型高功率微波输能窗是高功率速调管和高能粒子加速器的关键部件,输出窗高频击穿是引起高功率速调管失效的一个重要因素。综述了国内外电真空领域波导型输能窗的研究进展,介绍了传统盒型窗的研究现状、工艺要求和击穿机理;介绍了锥型窗、行波窗、复合模窗以及过模窗等新型输能窗的设计特点,给出了改变窗片材料属性、改变窗片表面形态、窗片边缘倒角、外置直流电场/直流磁场、改变信号波形等击穿抑制技术的研究进展。     

加装导流罩的大功率LED强化换热特性研究

针对大功率LED光源存在的散热问题,在风冷散热条件下,对加装导流罩的大功率LED散热器进行优化设计。在肋片结构参数固定的条件下,利用流体分析软件对导流罩的内径、高度、进气口直径以及散热器肋片夹角进行优化。通过改变这些参数来改变散热片表面气体流体的流形、风速等值,最终改变肋片表面对流换热系数。获得的导流罩和肋片夹角参数:导流罩高度85 mm,进气口直径76 mm,出气口直径83 mm,散热器肋片夹角9。通过优化使散热器温度有一定程度的降低,为大功率LED灯具散热设计提供了一种优化方案。     

改进测电阻方法

1测量电阻器的电阻Rx 常用电流表的内接法或外接法伏安法测Rx.由于忽略RV、RA的影响,实验测量存在系统误差.减小误差测法如图1、图2所示.     

波长片相移量的测定

波长片是偏振光实验中常用的光学原件。λ/2片可使线偏振光改变振动方向,而λ/4片则可产生和检验圆偏振光和椭圆偏振光。目前市售波长片相移量误差常常极大,绝大部分生产单位亦不提供产品数据,造成教学上困难。我们在利用云母片自己制备波长片过程中解决了相移量的定性、定量的测定问题。下面分别介绍测定方法及原理。     

用传感器探究影响向心力大小的因素

针对传统探究向心力 F大小与质量m、角速度ω和半径r之间关系的实验存在的不足,重新设计了实验装置,该实验装置利用PASCO力传感器测向心力的大小,用调速电机来改变金属小球作圆周运动的角速度,并用霍尔传感器测量电机的转速,而金属小球的质量和小球的旋转半径则可以定量改变,由此可定量探究向心力的大小 F与质量m、角速度ω和半径r之间的关系。     

用传感器探究影响向心力大小因素的实验装置研究

实验探究向心力F的大小与质量m、角速度ω和半径r之间的关系是高中物理的一个重要实验。针对传统实验装置存在的不足,新设计的实验装置利用PASCO力传感器测向心力的大小,用调速电机来改变金属小球作圆周运动的角速度,并用霍尔传感器测量电机的转速,金属小球的质量和小球的旋转半径则定量改变。新的实验装置能定量地探究向心力的大小F与质量m、角速度ω和半径r之间的关系,实验结果精确度高,演示效果明显,方便师生使用和操作,值得推广。     

单电子晶体管-金属氧化物半导体场效应晶体管多峰值负微分电阻器件

传统的共振隧穿二极管的多峰值负微分电阻器件的峰值数目受到限制，由单电子器件和传统的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件组成的多峰值负微分电阻器件在原理上具有无穷多个峰值，并且MOSFET使单电子晶体管(SET)的峰值和谷值电流大小受其源漏电压的影响减小.利用这种多峰值负微分电阻器件实现了多值存储器，该存储器原理上是无穷多值的.并且利用它的折叠的I-V特性，实现了一个4位的Flash A/D转换器，与传统的Flash A/D转换器相比，SET-MOSFET的A/D转换器大大地简化了电路. 关键词： 库仑阻塞 库仑振荡 负微分电阻 多值存储器