CaS:Ce和ZnS:Mn,Cu粉末DCEL包铜化学反应过程

本文研究了CaS:Ce和ZnS:Mn,Cu粉末DCEL材料的包铜化学反应过程,发现了一些包铜量随包铜温度、包铜时间、铜盐浓度等因素的变化规律和电导率随包铜量的变化规律,并对这些规律进行了探讨,同时根据一些补助实验和化学的反应基本原理提出了包铜化学反应过程的初步模型。     

FAAS 测定铜对 CaS DCEL粉末包铜工艺的指导

利用火焰原子吸收光谱法（ＦＡＡＳ），建立了以ＣａＳ为基质的粉末发光材料，包铜量的定量分析方法，回收率和相对标准偏差分别为９９．４￣１００．６与０．４％。在准确度满足工艺要求的情况下，通过是到的测试数据及曲线，给出了在包铜过程中，包铜液的浓度，温度，时间等参数对包铜量的影响，进行了操作模式，使材料的性能得到了提高。     

DCEL材料的包铜新工艺

通过包铜过程的分析,了解到包铜反应主要是表面化学吸附反应,ZnS颗粒表面状况对生成的CuxS性质影响很大,据此设计了淬火包铜工艺,并得到形成功率较低,抗老化性能好的DCEL粉.本文初步分析了淬火生成的CuxS相,认为它的初态处于一种高度无序状击,经一段时间可自然发生某种相变.新相比较稳定,从而可能抑制由Cu+迁移造成的老化.     

ZnS:Mn,Cu粉末的直流电致发光(DCEL)

本文综述了本实验室对粉末DCEL材料的研究结果,文中叙述了直流发光材料和器件方面的研究进展,其中包括材料的制备方法,包铜工艺、ZnS原料,介质的选择原则,形成过程及DCEL机理等。     

用涨落模型解释有关主被动锁模Nd:YAG激光器的若干问题

应用锁模理论的涨落模型分析研究了已报道的若干主被动锁模Nd:YAG激光器的实验现象.对锁模的阈值行为,锁模几率随调制器调制功率的变化规律和系统的稳定性随可饱和吸收染料的相对浓度的变化规律等实验结果从理论上进行了比较成功的解释.     

用XPS研究GD-a-Si_xC_(1-x):H膜中等离子体激元的特征

对于GD-a-Si_xC(1-x):H薄膜进行了XPS分析,得到了一些与Katayama相类似的结果。本文将给出GD-a-Si_xC_(1-x):H样品的价电子等离子激元(Plasmon)的频率ω_p以及原子浓度(N_(si) N_C N_H)随样品含碳量的变化,Si2p和C1s芯电子结合能随含碳量变化的化学移动,并对这些结果进行了初步的分析。     

ZnS:Cu,Eu,Br粉末ACEL的老化

退火的处理方法对ZnS:Cu,Eu,Br粉末ACEL材料的老化性能有明显的改善,但处理时颗粒表面必须包有过剩的铜,否则将破坏发光性能。若用氰化钾洗去表面过剩的铜后,再进行包铜退火处理,发光亮度部分恢复,老化性能改善。我们认为处理后老化性能改善的原因,不是改善了发光中心的条件,可能是改善了Cu2S相的条件,因而抑制了离子的迁移。     

Ce:KNSBN晶体衍射特性研究

在非同时读出条件下测量了Ce:KNSNB晶体两波耦合体光栅衍射效率随写入光强比、写入光偏振态和写入光夹角的变化关系,并与同时读出条件下衍射效率变化规律的测量结果进行了比较,发现二者基本一致.利用耦合波理论对实验结果进行了理论分析和拟合,拟合结果和实验数据较好的吻合.     

ZnS:Cu,Eu,Br交流粉末材料的加热发光

本文以ZnS:Cu,Eu,Br交流粉末材料做为样品,对比了老化前后及包铜退火处理前后的加热发光曲线。老化后没有出现新的释光峰,仅表现在加热发光曲线所限面积缩小。这与老化过程中离子的迁移,浅陷阱浓度减少有关。处理的材料,老化前后曲线面积差别较小,估计这可能是在处理过程中改变了Cu2S相及表面状态,抑制了离子的迁移,改变了场的分布和初电子注入的条件,因而改善了老化。     

用XPS研究GD-a-SixC1-x:H膜中等离子体激元的特征

对于GD-a-Si_xC_1-x:H薄膜进行了XPS分析,得到了一些与Katayama相类似的结果。本文将给出GD-a-Si_xC_1-x:H样品的价电子等离子激元(Plasmon)的频率ω_p以及原子浓度(N_si+N_C+N_H)随样品含碳量的变化,Si2p和C1s芯电子结合能随含碳量变化的化学移动,并对这些结果进行了初步的分析。 关键词：     

HCl气氛制备的ZnS:Mn粉末DCEL材料

本文首次较系统报导了HCl气氛中制备的ZnS:Mn粉末DCEL材料的特性。指出HCl气氛的主要作用,一是使材料结晶更好,二是引进Cl施主能级,使得PL和DCEL亮度提高。本实验还研究了ZnS粉在HCl气氛中灼烧时的相转换特点,以及晶相比对抗老化性能的影响。讨论了晶相比与颗粒表面CuxS导电相性质的关系,认为这是晶相比影响老化的原因。     

CaS2：Eu的直流电致发光

制备了CaS,Se:Eu红色DCEL屏.在CaS:Eu中掺入少量Se可以改进DCEL性能.研究了Pb对CaS:Eu的影响.通过发射、激发光谱及衰减的测量,认为Pb2+敏化了Eu2+.与常规的CaS:Eu相比,CaS:Eu,Pb的DCEL效率和寿命都明显提高了.     

Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜电致发光

电致发光薄膜是平板显示器的重要材料之一,我们从研究ZnS:Mn,Cu直流电致发光薄膜的大面积稳定发光开始,首次将稀土离子引进直流电致发光薄膜,实现了各色的直流电致发光,并研究其激发机理、过热电子的能量分布、稀土离子的碰撞截面和稀土离子发光中心在晶格中的位置等。在国内首先研制成功ZnS:Mn交流电致发光薄膜计算机终端显示器,并扩大面积到640×480像素(对角线10英寸)。为了实现彩色化显示,研制出稀土离子掺杂的各色交流电致发光薄膜。研究不同稀土离子在薄膜中的浓度猝灭,以便提高薄膜的发光亮度。在致力于实现彩色的过程中,首要的任务是提高蓝色电致发光薄膜的亮度和探索新的蓝色电致发光薄膜材料:从ZnS:TmF₃到CaS:TmF₃,发光亮度有了很大的提高;使SrS:Ce薄膜蓝色电致发光的亮度超过1000cd/m²;同时探索纳米Si和非晶Si/SiO₂超晶格结构的蓝色电致发光。成功地实现了ZnS:Mn/SrS:Ce白色电致发光和SrS:HoF₃三基色线谱发射的白色电致发光,发光亮度也超过1000cd/m²。     

MOCVD技术制备的ZnS:Mn电致发光薄膜结晶性及Mn2+分布

本文报导了用MOCVD技术制备的ZnS:Mn电致发光薄膜为立方晶相,结晶取向性好,颗粒大。从高倍率的扫描电镜拍摄的照片观察到薄膜的表面平滑。SIMS测量表明Mn2+在ZnS薄膜纵向分布均匀,但在两侧有起伏,可能的原因是在生长的初终阶段流量的突变使化合物的化学计量比偏离而产生位错,引起原子的局部堆积,并且由于初终阶段ZnS:Mn生长的衬底不同使原子堆积层厚度不同。     

CaS:Ce,Tb中Tb3+到Ce3+的能量传递

本文通过发射光谱、激发光谱和发光的衰减特性,研究了三价稀土离子Ce3+和Tb3+在CaS基质中的相互作用。实验结果表明,在CaS中Tb3+敏化了Ce3+的发光,监测Ce3+的发光(505nm),在激发光谱中出现Tb3+中心特征辐射的激发带。而且在CaS:Ce、Tb中,Ce3+中心的发光衰减变慢,衰减后期的慢成份正是反映了能量施主Tb3+的衰减特性,证明在CaS:Ce、Tb中存在着Tb3+到Ce3+的能量传递。     

形成电压对直流电致发光(DCEL)器件在交流(AC)条件下亮度和寿命的影响

实验结果表明,不同形成电压的样品的起始亮度和工作寿命按高低的排列顺序随工作电压的增加表现出有规律的变化。还发现形成电压不问的DCEL器件在AC条件下的发光特性随工作电压的提高逐渐趋向一致,形成电压的影响逐渐消失。这一现象被解释为是由于在AC条件下也存在类似于在直流(DC)条件下的形成过程,即Cu+迁移过程。老化过程也是形成过程的继续。     

The basic growth parameters of ZnS single crystals grown by sublimation

The application of the crystal growth dislocation theory [11] to ZnS single-crystal growth is discussed. The experimental material, above all for determining the actual supersaturation in the growth region and the mechanism of ZnS transport (diffusion, transport gas, chemical transport) was found to be insufficient. An expression for the growth rate of the ZnS crystal plane (the dependence on the supersaturation is not linear) is derived and two different stages in growing ZnS crystals are described.     

ZnS:Mn.Cu粉末直流电致发光(DCEL)屏的光电导特性

本文首次研究了DCEL屏的光电导特性,结果表明,Zn:Mn.Cu粉末DCEL屏的光电导特性主要是由于DCEL屏形成过程中,因Cu⁺离子迁移而在发光区(或乏铜区)的ZnS颗粒表面形成的表面电子陷阱能级被激发所致。