强激光辐照下光电探测器响应性能的研究

 响应度R是反映探测器性能的一项重要指标,当探测器被强激光损伤后,光电探测器的响应度将发生改变。设计了一套实时测量探测器响应度的装置,用能量逐渐增加的Nd∶YAG激光辐照PIN光电探测器,获得了探测器响应度与入射强激光功率密度的变化关系。从实验数据可知,探测器被功率密度低于7.6×105W/cm2的激光辐照后不会发生损伤,探测器对532nm参考光的响应度不变;当激光的功率密度超过1.27×106W/cm2时,激光辐照后,探测器对532nm参考光的响应度开始下降,当探测器被功率密度为6.01×106W/cm2的激光辐照后,响应度迅速下降,PN结遭到破坏是探测器响应度下降的根本原因,扫描电镜的结果与我们的分析相一致。     

低温退火对HgCdTe中波光导器件γ辐照效应的影响

 研究了低温退火对HgCdTe中波光导探测器γ射线辐照效应的影响。经过剂量为1 Mrad的辐照后，器件的性能下降。对经过辐照的器件进行低温退火，退火温度范围为313～333 K，退火时间在5~16 h之间不等。在相同条件下测量了器件辐照前后及不同退火温度、不同退火时间下的体电阻、响应率、探测率和响应光谱。通过对比辐照前后及不同退火温度下性能参数的变化，分析了退火对器件的γ辐照效应的影响。实验表明：低温退火对辐照引起的性能的下降有一定的恢复作用。     

ZnO单晶和BeZnO合金的生长及其紫外探测器研究

用分子束外延(MBE)的方法在c面蓝宝石衬底上生长出了高质量的ZnO单晶薄膜和BexZn1-xO合金薄膜。X射线光电子能谱(XPS)测试结果表明,合金材料中Be元素的摩尔分数分别为1.8%、4.9%、8.0%和15.3%。在此基础上制备了ZnO基和BexZn1-xO基的金属-半导体-金属(MSM)结构紫外探测器。ZnO单晶探测器的响应波长为375nm,在1V电压下,350nm处的光响应度高达43A/W,光电流和暗电流之比达到105量级。在BexZn1-xO基紫外探测器中,其截止响应波长随着合金中Be含量的增加逐渐蓝移,其中Be0.153-Zn0.847O合金探测器的截止响应波长为366nm,紫外波段和可见波段的光电流之比达到2~3个数量级,具有良好的信噪比。此外,提出了氧气等离子体表面处理降低探测器暗电流的方法,并使ZnO单晶探测器的暗电流降低了4个数量级。     

不确定度优于0.035%的绝对光谱响应率标准探测器

讨论了由无窗硅光电二极管构成的反射式陷阱探测器的设计方案和工作原理 ,通过实验测试证明它具有良好的线性、空间响应均匀性、偏振非敏感性和稳定性。在可见波段的7个激光波长上（488nm-786nm),通过低温辐射计标定了陷阱探测器的绝对光谱响应率,不确定度小于0.035%,比现有的标准辐射源的精度提高了约2个量级,证明其可以作为高精度的绝对光谱响应率标准探测器。     

机载光电系统稳定精度测试方法研究

提出了一种实时高频角位移测量的新方案，采用该方案可对机载光电系统动态稳定精度进行测试。该方案采用激光自准直测量，以及高精度、高响应频率PSD探测器传感稳定平台的角位移，有效解决了频率达500Hz角振动状态下的稳定精度测量。与传统的脱靶量测试方法相比，精度提高了几个数量级，优于10μrad。该方法可用于机载高精度稳定平台稳定精度的实时测量。     

新型复合盖层延伸波长InGaAs红外探测器结构优化设计

设计并模拟计算了延伸波长至2.6 μm的复合盖层材料PIN结构In_0.82Ga_0.18As红外探测器,即PNN型盖层、PIN结构的In_0.82Ga_0.18As红外探测器。研究了不同厚度及载流子浓度的PNN盖层对探测器性能的影响。研究结果表明:在In_0.82Al_0.18As厚度为200 nm且载流子浓度为2E18、InAs_0.6P_0.4 厚度为50 nm且载流子浓度为2E17、In_0.82Ga_0.18As厚度为50 nm且载流子浓度为2E16时,探测器表现出最佳的性能。与传统PIN结构探测器相比,其相对光谱响应度仅降低10%,暗电流降低了1个数量级。计算分析了不同工作温度下的暗电流,结果显示:在120~250 K时,暗电流主要为缺陷隧穿电流;在250~300 K时,暗电流主要为带间隧穿电流;当温度大于300 K时,暗电流主要为产生-复合电流和扩散电流。     

背入射Au/ZnO/Al结构肖特基紫外探测器

设计制作了一种Au/ZnO/Al结构的紫外探测器,光的入射方式采用背入射式。ZnO薄膜是用磁控溅射在蓝宝石衬底上制备的。I-V测试表明:Au与ZnO形成了肖特基接触。得到探测器的光响应峰值在352nm,截止边为382nm,可见抑制比达一个量级。由于该探测器是一种垂直结构器件,对于进一步实现ZnO紫外探测器阵列及单光子探测有很好的研究价值。     

基于垂直晶体管结构的低电压并五苯光电探测器

并五苯(Pentacene)具有优良的场效应晶体管特性及在可见光区的高吸收系数, 被广泛应用于光敏(电)晶体管中. 垂直晶体管的沟道长度可做到纳米量级, 能有效提高器件的性能和工作频率, 同时降低能耗. 本文制备了一种基于垂直晶体管结构的低电压并五苯光电探测器ITO(S)/Pentacene/Al(G)/Pentacene/Au(D). 实验发现, 在工作电压低至-3 V时, 并五苯光电探测器ITO/Pentacene (80 nm)/Al(15 nm)/ Pentacene(80 nm)/Au 的阈值电压为-0.9 V, “开/关”电流比为10⁴, 表现出了良好的P型晶体管特性以及低电压调控性能. 在350-750 nm的不同波长单色光照射下, 器件的“明/暗”电流比和响应度随入射波长而变化; 在350 nm单色光照射下, 该光电探测器的“明/暗”电流比的最大值达到308, 其对应的响应度为219 mA·W^-1, 大于标准硅基探测器在350 nm 单色光照射下的探测率. 这为制备低电压下工作的高灵敏度全有机光电探测器提供了一种可行的方法.     

一种近红外探测器的光谱响应率测量

对近红外辐射功率光谱绝对响应率的定标技术进行了研究。设计了一种制冷扩展波长型的InGaAs探测器，为了使其能够作为功率传递的标准探测器工作在（1.2～2.5）μm波长范围，对探测器的光谱响应率进行了测量。首先在1260nm波长下进行绝对功率传递的标定试验，然后用基于红外单色仪的光谱比较系统（SCF）测量了探测器的相对光谱响应率。结合2个步骤的数据，最终可以得到探测器的绝对光谱响应率。     

热释电探测器积分响应测试系统研究

为了实现对红外探测器积分响应的自动测量,配合虚拟仪器技术搭建了一套热释电红外探测器积分响应自动测试系统。利用双绞线将测试仪器与计算机连接,以LabVIEW为开发平台编写软件测试系统,遥控测量仪器,实现计算机自动采集和处理数据实时绘制曲线,对LT-020-H型热释电红外探测器在不同调制频率下的积分响应度进行了测试并分析。在500K的黑体辐射下,探测器积分响应度达到3.5×106V/W。通过对实验结果进行分析,得到了探测器响应、黑体辐射温度以及信号调制频率之间的关系。     

用偏振烧孔实现的室温双波长光纤激光器

本文提出一种简单的掺铒光纤激光器的结构,在室温下实现了稳定的双波长激光运转.在该结构中,使用刻写在保偏光纤上的光纤布喇格光栅作为波长选择器件. 实验表明,通过调整偏振控制器的状态,在室温下能够得到稳定的双波长激光输出,波长间隔0.52 nm,16次重复扫描对应于每一波长的振幅变化及波长间振幅差异均小于0.2 dB.     

Stable Dual-Wavelength Oscillation of an Er-Doped Fiber Ring Laser at Room Temperature

We propose a simple Er-doped fiber laser configuration for achieving stable dual-wavelength oscillation at room temperature, in which a high birefringence fiber Bragg grating was used as the wavelength-selective component. Stable dual-wavelength oscillation at room temperature with a wavelength spacing of 0.23 nm and mutually orthogonal polarization stages was achieved by utilizing the polarization hole-burning effect. An amplitude variation of less than 0.7 dB over an 80 s period was obtained for both wavelengths.     

Stable Dual-Wavelength Oscillation of an Er-Doped Fiber Ring Laser at Room Temperature

We propose a simple Er-doped fiber laser configuration for achieving stable dual-wavelength oscillation at room temperature, in which a high birefringence fiber Bragg grating was used as the wavelength-selective component. Stable dual-wavelength oscillation at room temperature with a wavelength spacing of 0.23 nm and mutually orthogonal polarization stages was achieved by utilizing the polarization hole-burning effect. An amplitude variation of less than 0.7 dB over an 80 s period was obtained for both wavelengths.     

HFCVD法制备纳米晶态SiC及其室温下的光致发光

用热丝化学气相沉积(HFCVD)法以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了纳米晶态6H-SiC。为减小6H-SiC与Si衬底之间的晶格失配,在HFCVD系统中通过对Si衬底表面碳化处理制备了缓冲层,确立了形成缓冲层的最佳条件。采用扫描电镜、傅里叶红外吸收谱和X射线衍射等分析手段对样品进行了结构和组分分析。结果表明,在较低的衬底温度下所沉积的是晶态纳米SiC,纳米晶粒平均尺寸约为60nm,并在室温下观察到所制备的纳米SiC位于380～420nm范围内的短波可见光。研究和分析了碳化时间对发光峰及红外吸收峰位置的影响。     

Metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector based on GaN

A metal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet photodetector has been fabricated using unintentionally doped n-GaN films grown on sapphire substrates. Its dark current, photocurrent under the illumination with λ = 360 nm light, responsivity, and the dependence of responsivity on bias voltage were measured at room temperature. The dark current of the photodetector is 1.03 Na under 5 V bias, and is 15.3 Na under 10 V bias. A maximum responsivity of 0.166 A/W has been achieved under the illumination with λ= 366 nm light and 15 V bias. It exhibits a typical sharp band-edge cutoff at the wavelength of 366 nm, and a high responsivity at the wavelength from 320 nm to 366 nm. Its responsivity under the illumination with λ= 360 nm light increases when the bias voltage increases.     

An anomalous emission excited near the absorption edge of pyrene crystals

Emission spectra and decay times of the fluorescence excited at the absorption edge region in pyrene crystals were measured. At liquid nitrogen temperature, the fluorescence under the excitation at 390 nm is considered as the excimer emission and its band peak shifts a little to the short wavelength in comparison with that of the excimer emission under the excitation at 360 nm. The emission decay times under the excitation at the 390 nm and 360 nm are about 155 ns and 180 ns, respectively, at liquid nitrogen temperature. The former decay time changes its value abruptly near 127 K. This abrupt change of the decay time may be due to the phase transition in pyrene crystals.     

AlGaN nanostructures with extremely high quantum yield at 300 K

Theoretical optimization of a quantum well heterostructure based on AlGaN solid solutions is implemented in order to attain the maximum charge carrier activation energy and the maximum exciton binding energy at a radiation wavelength of ~300 nm. An optimized structure sample with the radiative recombination dominating over the temperature range of 5 to 300 K and the room temperature internal quantum yield as high as 80% of the value measured at 5 K has been manufactured via plasma-assisted molecular beam epitaxy.     

LiYF4:Nd3+中脉冲光泵浦的上转换蓝光

本文报道利用578.4nm的脉冲光泵浦,在室温和77K下,观察到LiYF4:Nd3+单晶中的上转换蓝光。由发光强度与泵浦光强度平方的直线关系,确定此上转换过程是双光子过程.通过对吸收谱和激发谱以及衰减曲线的研究,确定其上转换激发机制为两步激发和能量传递上转换。     

玻璃中CdSeS纳米晶体的室温光致发光谱

对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500～800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe_1-xS_x纳米晶体。测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300～800nm的范围没有观察到吸收和发光峰,表明温度低于550℃玻璃中不能形成纳米晶体。生长温度在600～650℃,纳米晶体的PL光谱主要为两个宽的发光带,即带边激子发光带和通过表面态复合的发光带。随着生长温度的升高,带边复合发光的蓝移减小,通过表面态的发光逐渐消失,并出现了叠加于宽发光带上的一系列明显的弱发射峰。不同温度生长的样品中,叠加峰的能量相同。同一样品中叠加峰的能量不随激发光波长的变化而变化。     

低温下单壁碳纳米管拉曼光谱温度效应研究

在单壁碳纳米管的低温拉曼光谱测量过程中,发现径向呼吸模(RBM)和正切拉伸模(GM)的拉曼频移在低温下的温度效应和在高温时的温度效应存在着很大的区别,在低温下拉曼光谱的频移和温度并不呈线性关系。而且,在温度为210K时,单壁碳纳米管内部的振动结构可能发生了变化。在低温下单壁碳纳米管拉曼峰的强度的变化是不可逆的。