陡前沿脉冲产生的受激布里渊散射稳定性研究

受激布里渊散射转换效率及相位共轭保真度的稳定性与泵浦脉冲的前沿上升时间有关，对前沿上升时间与介质声学声子寿命接近的泵浦脉冲，在泵浦能量超过受激布里渊散射阈值较多时，会造成严重的相位共轭保真度不稳定。本文针对上升前沿时间为２ｎｓ的泵浦脉冲及声学声子寿命的１ｎｓ和ＣＣｌ４介质，在泵浦脉冲前沿根部引入缓慢上升的小信号后，采用振放双池受激布里渊散射相位共轭镜，在泵浦激光能量达到５００倍受激布里渊散射阈值时     

光折变“波导”诱失锁模ps激光脉冲自泵浦相位共轭

观察到失锁模５３２ｎｍｐｓ激光脉冲单独入射到掺Ｃｕ的ＫＮＳＢＮ晶体中，不能产生自泵浦相位共轭，但如果先用同波长的锁模ｐｓ激光脉冲在晶体中预制一条光折变“波导”，则可诱导失锁模激光脉冲形成自泵浦相位共轭．分别从“波导”形成和时间分辨光谱等方面研究了这一现象 关键词：     

利用环向电场提升等离子体电流以改善约束状态

利用一个小的环向涡旋脉冲电场（４．４Ｖ／ｍ，０．４５ｍｓ）成功地将ＨＴ－６Ｍ托卡马克等离子体电流从第一平顶（５５ｋＡ）提升到６０ｋＡ的第二平顶。其电流上升率大于１２ＭＡ／ｓ，电流上升时间远小于经典趋肤时间，实验中观察到了标志等离子体约束改善的明显物理现象。等离子体电流提升后，粒子约束时间提高了２．１倍，能量约束时间提高了１．６倍。 关键词：     

用于等离子体焦点装置的强流装置

研制了用于稠密等离子体焦点的强流装置,该装置采用八台低电感低内阻脉冲电容器和八个低感大电流、可控触发高压开关并联组成初级储能模块,高压开关同步击穿后产生μs级强电流经平行板传输线加载到负载。脉冲电容器和高压开关采用一体化设计,结构紧凑,使脉冲电容器与高压开关间的连接电感尽可能小;平板传输线为扇形结构,一个扇形平板传输线连接一个高压开关,平行板传输线可以将电感做得较小,有利于大电流回路的传输。在脉冲电容器充电20 kV时,假负载上可以得到500 kA的电流,电流上升时间约为3.7 μs。     

微型计算机在脉冲磁场作用下的效应试验

 介绍了脉冲强磁场模拟器的工作原理, 将微型计算机置于脉冲磁场模拟器中，通过改变脉冲磁场的幅度和上升时间，研究脉冲磁场对微电子设备的干扰途径、干扰阈值与脉冲上升时间、脉冲宽度的关系。试验结果表明，微电子设备的连接电缆是脉冲磁场干扰引入的主要途径；简单的屏蔽措施对于脉冲磁场干扰有一定的抑制作用；脉冲磁场的时间变化率越大，对微电子设备的干扰作用越强。     

掩模法制备高TcYBa2Cu3O7Josephson边缘结

本文利用脉冲激光沉积的定向性和掩模的阴影效应，原位沉积Ｎ－ＹＢＣＯ作为势垒层制备了高ＴｃＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ边缘结，在６０Ｋ，微波辐照观察到明显的Ｓｈａｐｉｒｏ台阶，在Ｔｃ附近，Ｉｃ∽（１－Ｔ／Ｔｃ），ｎ＝１．８８。     

铀氢锆脉冲反应堆脉冲特性研究

在Ｆｕｃｈｓ－Ｈａｎｓｅｎ绝热模型的基础上,推导了铀氢锆脉冲堆的脉冲参数计算公式,计算了西安脉冲堆在引入不同反应性时的脉冲参数,并分析了计算西安脉冲堆堆芯水腔和Ｍｏ－Ｔｃ靶件对堆的安全参数的影响。     

利用较完善模型研究半导体光放大器对皮秒光脉冲的放大

提出了一个描述半导体光放大器（SLA）对皮秒脉冲的放大这一物理过程的较为完善的物理模型，并数值分析了光脉冲经SLA放大后的上升时间和下降时间.结果表明：随着SLA偏置电流的增大，上升时间将缩短而下降时间将延长；输入脉冲的大峰值功率将加速上升时间的缩短和下降时间的延长；增益压缩对脉宽为几个皮秒的输入脉冲的上升时间和下降时间有明显的影响，而对脉宽为几十皮秒的输入脉冲可近似认为没有影响；增益非对称和漂移强烈影响上升和下降时间. 关键词： 半导体光放大器 皮秒光脉冲 上升和下降时间     

一种陡脉冲高电压电阻分压器的补偿方法

在对实用分压器构型进行分析比较的基础上提出了一种补偿法。其特点是,采用高阻高压臂一级分压构型,利用低阻低压臂自身电感对分压器的对地分布电容进行抵偿。按这种方法设计的兆估级纳秒脉冲电阻分压器自身的方法响应上升时间约为1ns。     

不对称五氮齿大环金属配合物的光克尔效应

用飞秒脉冲激光作光源,利用泵浦－－探测方法测量了９个不对称五氮齿大环金属配合 物的时间分辨光克尔效应的响应信号,据此得到了它们的三阶光学非线性极化率ｘ＾（３）１１１１＝１．１９－３．３８×１０＾－１３ｅｓｕ和分子二阶超极化率γ１１１１＝８．０×１０＾－３２－２．８３×１０＾－３１ｅｓｕ以及光克尔效应响应不大于１６５ｆｓ等信息,讨论了周边取代基,中心金属离子和共轭π电子数对配合物三阶光学非线性极化率     

600 kV波形可调快前沿脉冲源的研制

 介绍了一种波形可调的高电压快前沿脉冲源。该脉冲源由Marx发生器、脉冲成型组件、主开关、匹配负载、分流电阻、串联电感等部件构成。各部件自成一体,呈模块化分布。以Marx发生器作为初级储能,通过调节发生器输出端分流电阻、串联电感及脉冲成型组件等模块,可以输出包括双指数波和方波在内的5种脉冲波形。输出脉冲幅值在200~600 kV范围内可调,最小脉冲前沿可达2 ns。     

The effect of the laser pulse shape on the wakefield generation in field-ionized plasma

In this paper, the effect of the laser pulse shape on the generation and evolution of the wakefield during the interaction of the intense laser pulse with the gas have been studied utilizing the parallel relativistic PIC simulation code. In order to reach this aim, three pulses with length 300 fs and different rise-times 30, 45, and 60 are typically selected. Our results show that, the amplitude of the laser wakefield produced in the gas in comparison with the plasma strongly depends on the laser pulse shape. The simulation results indicate that for the high-slope laser pulse time (here 30 fs), ionization and thus density fluctuations have no significant effect on the wakefield generation because of rapid increase of the laser electric field. While by increasing the laser pulse rise-time to 45 fs, the rapid wave breaking due to the change in the medium refractive index during the gas ionization, prevents from the wakefield amplitude growth, so that the wakefield with larger amplitude is emerged in the plasma. For a slow-sloping pulse (here 60 fs), the ratio of the wakefield generation in the gas to the plasma is altered for the different gas densities and laser intensities. Moreover, it is represented that the longer the laser pulse rise-time, the sooner difference between the wakefield produced in the gas and plasma is observed. In fact, the larger the rise-time, the greater the density fluctuations and, consequently, the larger the initial noise is generated to seed the Raman instability.     

Influence of Z-pinch evolution on laser pulse duration at 46.9 nm in Ne-like Ar ions

A capillary discharge 46.9 nm Ne-like Ar laser is achieved with peak current of 20–23 kA. The variation of laser pulse duration with initial Ar pressure and rise-time of main current is reported. Measurements show that the laser pulse durations slightly increase with the increased pressure and increased rise-time of current. A comparison of the experimental results with the calculation of snow-plow model indicates that the increase of laser pulse duration is the result of decreased Z-pinch velocity at the pinch time when the radius of plasma is minimal.     

分布式负载平行板有界波电磁脉冲模拟器的模拟分析

将并行时域有限差分方法用于分布式负载平行板有界波电磁脉冲模拟器模拟,并给出模拟器的尺寸参数对工作空间半高处几个测试点场的影响。研究结果表明:与源在x轴向距离上越靠近的点,其电场的上升沿越小;模拟器传输线最大宽度和最大高度之比为2,且下金属板宽度与传输线最大宽度相同时,测试点场的上升沿较小,半高宽较大;随着传输线在x方向投影长度的增加,与源位置x轴向等距离的测试点场的峰值增大,场的上升沿减小,但减小的量趋于平缓。且同轴线馈电时得到的各测试点场脉冲的上升沿要比直接加平面电场源的方式更大一点,半高宽则要小一点,但两者波形相似。     

重复频率纳秒脉冲聚四氟乙烯薄膜击穿特性

实验研究了聚四氟乙烯薄膜在重复频率纳秒脉冲下的击穿特性,选用脉冲上升时间约15 ns,脉宽30~40 ns,重复频率1~1 000 Hz。测量并计算了击穿前后的电压电流波形、重复频率耐受时间和施加脉冲个数与击穿特性密切相关的参数。结果表明,重复频率纳秒脉冲下聚四氟乙烯薄膜击穿场强为MV/cm量级,重复频率耐受时间随施加场强和重复频率的增大而减小。薄膜本身性质及油浸时间使实验数据具有分散性,重复频率纳秒脉冲下聚四氟乙烯薄膜击穿应考虑重复频率条件下的热积累效应和材料缺陷。     

轴线起爆式螺线管型爆磁压缩发生器理论模型

 对轴线起爆式螺线管型爆磁压缩发生器进行了理论模型研究，建立了爆炸管的一维爆轰驱动模型、螺线管内空间磁场强度分布模型、爆炸管外表面磁压力模型和发生器系统的等效电路模型等，对此类发生器的物理过程进行系统描述。在此基础上，编制了相应的零维数值模拟程序CEMG 1.0，利用该程序分别对四种不同模型参数的发生器进行了理论计算和参数优化，并对其中一模型发生器爆炸管外表面的磁压力及其引起的剩余电感进行了计算，给出了剩余电感与初始输入条件及负载电感的关系，从而得到该模型的输出性能极限。对理论模型的正确性进行了实例验算证明。     

陶瓷介质在固态脉冲形成线中的应用

开展了固态脉冲形成线相关材料的研究,基于脉冲形成线的特性参数与材料介电性能之间的关联性,可实现固态脉冲形成线材料的筛选和评估。对不同类型材料介电性能的比较和固态脉冲形成线性能的分析表明:介电常数可调的微波陶瓷是制备固态脉冲形成线较为理想的材料。以Ba-Nb-Ti微波陶瓷制备的固态脉冲形成线可获得高压脉冲前沿5~6 ns,脉宽为13 ns,脉冲平顶为5~6 ns,击穿场强超过17.5 kV/mm。     

两级同轴Blumlein线理论及其模拟分析

利用拉普拉斯变换求解两级同轴Blumlein线对负载的放电过程,得到了纯电阻负载上理想输出电压的解析表达式。分析了开关电感、负载电感及回路电感对负载主脉冲的影响。对PSpice模拟的结果与推测的负载电压表达式进行对比,两者符合得较好。分析结果表明:脉冲的前沿主要是由开关电感决定,而平顶幅值的变化趋势主要是由回路电感决定;开关电感越小,上升沿越小,回路电感越大;脉冲输出电压和能量传输效率越高。     

基于雪崩管Marx电路的高稳定度脉冲技术

采用Marx电路提高雪崩管脉冲源输出脉冲幅度,分析基于雪崩管Marx电路脉冲源的时基稳定度和波形稳定度的影响因素。采用适当的优化措施提高稳定度指标,设计了高稳定度的雪崩管脉冲源,脉冲峰值电压2 000 V(50Ω负载),脉冲全底宽度5 ns,上升时间400 ps,重复频率达到25 kHz,具有很高的稳定度指标:短时抖动小于30 ps,长时漂移小于100 ps/min,峰值电压和脉冲宽度抖动小于1%。     

Dynamical Hopf bifurcation in piezoelectric semiconductor resonators

Time-dependent Hopf bifurcations in the current-voltage characteristics of piezoelectric semiconductor resonators were investigated experimentally. The switching transition between acoustic bistable states was observed under a quasi-static variation of applied voltage. The peculiar pulse responses of the resonant currents were observed when the rise-time of the pulses exceeded the eigen-period of the system. The existence of a metastable state in the dynamical Hopf bifurcation are discussed.