GaAs非对称X结波导混合耦合器的研究

本文报道了ＧａＡｓ非对称Ｘ结波导耦合器的工作原理。该器件制作在ｎ＾－／ｎ＾＋ＧａＡｓ外延材料上。文中采用有效折射率法分析了这个耦合器的分离角、波导脊高及其两个非对称波导传播常数差之间的关系。器件在λ＝１．１５μｍ下测量，得到了小于－２．９ｄＢ的分光性能和小于－２０ｄＢ的串音比。     

SOI大截面单模脊形X型分支波导的研制

报道了硅片直接键合（ＳＤＢ）ＳＯＩ大截面单模脊形互型分支波导的研制．对于波长为１．３μｍ的光，在θ＝２°小分支角时，这种分支波导的通道串音小于－２０ｄＢ，辐射损耗小于０．３ｄＢ．直通传输损耗小于０．８５ｄＢ／ｃｍ．     

GaAs／GaAlAs脊型波导交变式△β耦合器

研制了具有肖特基势垒电极的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结脊型波导交变式△β耦合器。通过合理设计器件结构，降低波导层中载流子浓度和上、下包层中Ａｌ的含量，以及采用反应离子刻蚀和和剥离等技术，使器件总损耗降为１０ｄＢ，消光比为２６．８ｄＢ，器件在１．３μｍ下实现单模工作。     

GaAs／GaAlAs脊型波导交变式Δβ耦合器

研制了具有肖特基势垒电极的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结脊型波导交变式Δβ耦合器．通过合理设计器件结构，降低波导层中载流子浓度和上、下包层中Ａｌ的含量，以及采用反应离子刻蚀和剥离等技术，使器件总损耗降为１０ｄＢ，消光比为２６．８ｄＢ，器件在１．３μｍ下实现单模工作．     

行波电极偏振无关干涉型光开关

提出并实现了一种Ｘ切ＬｉＮｂＯ３上的行波电极偏振无关干涉型光开关。达到的指标为：串间地－１４ｄＢ，偏振无关的开关电压为１９Ｖ，带宽达到６ＧＨｚ以上。进一步减小定向耦合器部分中光波导间距的分级步距，串音可达到－２０ｄＢ以下 。     

SOI梯形大截面单模脊形波导的研制

报道了硅片直接键合ＳＯＩ单模梯形大截面脊形波导的研制，对于小长为１．３μｍ的光这种脊形波导的传输损耗小于０．８５ｄＢ／ｃｍ。     

单模光纤中Raman光放大

本文报道在单模光纤中，背向受激拉曼散射（ＢＳＲＳ）对通信光的光放大研究。所用泵浦源为声光０开关Ｎｄ￣（＋３）：ＹＡＧ激光器，工作波长１．０６４μｍ。信号源为ＩｎＧａＡｓＰ半导体激光器，工作波长１．３０μｍ。在１．３０μｍ处实现了Ｒａｍａｎ光放大，增益达１９．４ｄＢ以上，增益系数为２．３×１０￣（－１２）ｃｍ／ｗ。     

硅键合SOI平面光波导探索

本文分析了ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ和ＤＷＢ／ＳＯＩ结构的性能特点。尝试用ＤＷＢ／ＳＯＩ材料制备不同波导层厚度的平面光波导样品，并测试了１．１５μｍ和１．５２３μｍ激光的ＴＥ和ＴＭ模的传输损耗。１．５２３μｍ光的ＴＥ模的最小传输损耗已达０．２７ｄＢ／ｃｍ。说明ＤＷＢ／ＳＯＩ材料是一种有潜力的光波导材料。     

GaAs/GaAlAs定向耦合器型行波调制器Ⅱ.实验

在理论分析设计的基础上，进行了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ定向耦合器型行波调制器实验。建立了器件行波电极微波特性的测试系统，由此系统进行实验确定器件最佳结构参数，完成器件的制作。器件采用共平面行波电极，击穿电压２８Ｖ。用１．０６μｍＹＡＧ激光器进行测试，开关电压８．５Ｖ。由微波网络分析仪测试器件行波电极的微波特性，测得电极中微波与波导中光波间的速率失配小于３％，且在３０ＧＨｚ下，微波传输损耗小于３０ｄＢ，表明器件的３ｄＢ调制带宽超过３２ＧＨｚ     

1.5μm波导声光可调滤光器研究

对１．５μｍ波导型声光ＴＥ－ＴＭ模式转换光滤波器进行了研究。采用了可降低驱动功率的表面声波导结构。在１．５￣１．６μｍ波段实现了可调滤光，通带宽度小于２ｎｍ，达到９７￥以上转换率所需的射频驱动功率约８０ｍＷ（１９ｄＢｍ），器件总插入损耗约９ｄＢ。     

Ge_xSi_（1－x）／Si异质结无间距定向耦合光开关模型分析

提出一种简便可行的ＧｅｘＳｉ１－ｘ异质结无间距定向耦合光开关（ＢＯＡ型－ＢｉｆｕｒｃａｔｉｏｎＯｐｔｉｃａｌＡｃｔｉｖｅ）模型分析方法。该方法采用等离子体包散效应分析了这种光开关的电学调制机理；采用异质结超注原理分析了开关的电学性质；并根据典单模脊形波导理论和上述分析，设计了利用双模干涉机制工作的Ｇｅ０．０５ＳＩ０．９５／Ｓｉ异质结ＢＯＡ型光开关的结构参数和电学参数。     

GexSi1—x／Si异质结无间距定向耦合光开关模型分析

提出一种简便可行的ＧｅｘＳｉ１－ｘ异质结无间向耦合光开关（ＢＯＡ型－Ｂｉｆｕｒｃａｔｉｎ ＯｐｔｉｃａｌＡｃｔｉｖｅ）。该方法采用等离子体色散效应分析了这种光开关学调制查理；采用异质结超注原理分析了开关的电学性质，并根据曲单模脊形波导理论和上述，设计了利用双模干涉机制工作的Ｇｅ０．０５Ｓｉ０．９５／Ｓｉ异质结ＢＯＡ型光开并的结构参数和电学参数。     

SOI波长信号分离器的研制

根据大截面单模脊形波导理论和双模干涉机制，在硅片直接键合、背面抛光减薄的ＳＯＩ材料上，通过氢氧化钾各向异性腐蚀的方法，成功地研制出ＳＯＩ波长信号分离器，在波长为１．３μｍ，其插入损耗为４．８１ｄＢ，串音小于－１８．６ｄＢ。     

全光数字光开关和光限幅器

分析了级联单端输入非线性光波导耦合器的输出特性。理论分析表明这类器件具有极好的开关、限幅以及稳定光功率的特性。调整耦合器的耦合长度,可改变开关的阈值功率和限幅器的门限,且随着级联耦合器数目的增加,开关的动态开关区、消光比以及输出功率的起伏下降。数值分析表明,级联耦合器作为全光开关,消光比可小于－９０ｄＢ,动态开关区可小于３×１０－４Ｐｃ;作为光功率稳定器和光学限幅器,其输出光功率起伏可小于１０－７Ｐｃ。     

GaAs／GaAlAs定向耦合器型行波调制器II.实验

在理论分析设计的基础上，进行了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ定向耦合器型波调制器试验，建立了器件行波电极微波特性的测试系统，由此系统进行实验确定器件最佳结构参数，完成器件的制作，器件采用共平面波电极，击穿电压２８Ｖ。用１．０６μｍＹＡＧ激光器进行测试，开关电压８．５Ｖ。由微波网络分析仪测试器件行波电极的微波特性，测得电极中微波与波导中光波间的速率失配小于３％，且在３０ＧＨｚ下，微波传输损耗小于３０ｄＢ表明     

低损耗有机聚合物光波导的制备及其数字化测量技术

介绍了低损耗有机聚合物光波导的制备工艺, 并采用 Ｃ Ｃ Ｄ 摄像法对波导的传输损耗进行测量。制备了在 ６３２．８ ｎｍ 波长下传输损耗小于 ０．５ ｄ Ｂ／ｃｍ 的有机聚合物光波导     

硅衬底上锗硅合金光波导的研制

报道锗硅合金在λ＝１．３μｍ的脊形单模光波导的设计，工艺及测量结果。这种光波导的传播损耗已达０．７ｄＢ／ｃｍ。脊形的高４－８μｍ，宽８－１２μｍ，均和单模光纤芯径相当，此外，其数值孔径在光波导的输入，输出端均能和单模光纤匹配，它已满足硅光集成对光波导的要求。文中最后报道了用这种锗硅合金光波导试制Ｙ分支器，并观察到二支分路输出的单模光斑。     

Y分支有机聚合物热光开关的研制

利用有机聚合物材料热光效应进行Y分支结构光波导开关的研究和制作，实验结果显示光开关具有小于－20dB的串音，驱动功率为110mW-130mW。同时给出插入损耗的测试结果，并分析了其产生的各种原因。针对器件的开关速度问题，提出了解决方法。     

SOI无间距定向耦合光开关模型分析及设计

提出了一种简便可行的ＳＯＩ无间距定向耦合光开关（ＢＯＡ型－Ｂｉｆｕｒｃａｔｉｏｎ Ｏｐｔｉｑｕｅ Ａｃｔｉｖｅ）模型分析方法，采用等离子体色散效应这种光开关的电学调制机理；而用ｐｎ结大注入效应分析开拳电学性质；并根据大截面单模ＳＯＩ脊形波导理论和上棕分析，设计了利用双模干淑机制工作的这种器件的结构参数和电学参数。     

GeO2—Sb2O3—K2O玻璃空芯光纤材料的光学特性研究

系统地研究了传输ＣＯ２激光用的新型光材料ＧｅＯ２－Ｓｂ２Ｏ３－Ｋ２Ｏ玻璃空芯光纤的光学特性。通过理论计算，得到了该材料ｎｒ＜１的波长范围，消光系数Ｋ和损耗数ａ，通过工艺和材料的选择，使ａ理论值达到０．０５ｄＢ／ｍ。同时讨论了ＨＥ１１，ＴＭ０１，ＴＥ０１模式损耗和频率的关系。