提高V棱镜折射仪测试精度的V槽研究

用V棱镜折射仪测量光学玻璃的折射率,常规测试精度可以达到±5×10-5。通过分析V棱镜折射仪折射率误差的原因发现,V槽与被测件折射率越接近,测量误差越小,因而对V槽进行了改进。在最新的光学玻璃nd-vd图上选取6种高品质材料,将原来的V槽进行细分,组成新的测试标准块。对生产产品进行了实测,与标准样块进行了比对。实测结果表明,采用改进的V槽可以得到更精确的测量结果,测试精度可以达到±2×10-5。     

800 V行波管研究

提出了一种角度对数周期微带曲折线慢波结构,该结构具有微带型慢波结构尺寸小、易加工的特点,同时特殊的结构使得它可以工作在极低的电压下,可用于低工作电压、宽频带毫米波径向束行波管。给出了这种慢波结构在Ka波段的色散特性和传输特性,并进行了注波互作用的分析。计算结果表明:该新型慢波结构的工作电压可低至809 V,输出功率26 W,3 dB带宽约为19 GHz (27~46 GHz),虽然单个角度对数周期微带曲折线慢波结构的输出功率较小,但是这种结构通过功率合成,可以达到数百W的功率输出。     

EAST ƫ����V ��������ȴˮ�ܵķ���ʴ����

针对EAST前几轮实验中出现的偏滤器DOME板和外靶板间隙区域冷却水管被等离子体烧蚀破坏的问题,提出延伸外靶板石墨瓦结构以扩大打击面积和给冷却水管加装护套两种解决方案,并通过分析确定了具体参数。研究表明,适度的延伸外靶板可有效地防止高能粒子轰击靶板后水管,且对偏滤器区域流导影响不大;采用5mm壁厚高温耐熔钼管护套可有效地保护水管。后一轮的实验结果证明,该方案较好的解决了问题。     

强子衰变过程J/ψ→V+X,X→V+V的角分布分析

本文讨论了J/ψ的强子衰变过程J/ψ→V₁+X,X→V₂+V₃,V₂,V₃→2P(或3P)(其中V_i代表矢量介子,P代表赝标介子).对于具有不同自旋-宇称J^P的中间态X,得到了相应的角分布的螺旋度形式.这些公式对于利用BEPC上得到的J/ψ事例,确定上述过程中间态X的自旋-宇称是有帮助的.     

V型无烟燃烧技术

V型无烟燃烧技术的要点,是将固体燃料在同一个燃烧设备内先进行干馏,然后再分相燃烧,使燃料接近完全燃烧,达到无黑烟、低污染和节约能源的目的。 一、燃烧问题 固体燃料是当代主要能源。我国年产煤十亿多吨,年消耗秸杆、薪柴五亿吨以上。我国能源利用率仅30％左右,浪费之多十分惊人。同时,由于燃料燃烧不完全造成的大气污染,已危害到人类的健康和生存。问题的原因是现有层燃技术存有许多缺陷。严峻的现实迫切需要新的层燃技术改进老技术。     

V.A. Fassel

V.A.Fassel是美国依阿华州立大学已退休的名誉教授,美国能源部Ames试验室杰出的学者,1988年获美国化学会分析化学奖。Perkin-Elmer公司资助奖励,促进了光谱化学的发展和进步。1986年他获4000美元奖金,在美国化学会1988年9月25～30日在洛杉矶举行的秋季会议上颁发一个奖牌。Fassel早在学生时代的化学竞争中名列前茅荣获冠军,得到200美元奖金,使他有可能进入大学继续深造。Fassel在国内和国外得到     

物理学难题选登V解答

题解134考虑一座平均密度为P的“盒子形状”的山脉，其底部面积A，高度为h．要使其底部厚度为d、比热为L的一层熔化，所需的能量为AdpL．山脉的总质量近似为Ahp，并且如果山脉下降一定的距离d所释放的能量为Ahpgd．     

荧光法同时测定饲料及食品中V.A和V.E

用石油醚(30°～60℃)作抽提剂和萃取剂,借乙醇介质中的抗坏血酸使V.E避免氧化;用60%的硫酸抑制V.A对V.E的干扰作用。用荧光法分別在λ_(EX)295nm/λ_(EM)340nm和λ_(EX)340nm/λ_(EM)480nm处简便、快速地测定饲料和食品中V.A和V.E含量。样品不需经充氮皂化和柱分离,即可得到满意的结果。测定V.A和V.E的相对标准偏差分别为3.59%和1.76%,V.A和V.E的平均回收率分别为95.74%和95.05%。     

高精度V棱镜折射仪光机结构设计

针对传统V棱镜折射仪采用光学度盘,目视对准方式无法满足现代光学玻璃生产线以及高精度折射率测量的需求。提出一种新型的高精度基于CCD 机器视觉对准的V棱镜折射仪的总体设计方案,并对准直光管、传动机构、锁紧和微调机构以及轴角编码测角机构等主要组成部分进行了光机结构设计。在考虑空气折射率影响因素的修正公式的基础上,分析了仪器的检测误差。实验结果表明:其折射率检测精度可达 310-6,满足了高精度V棱镜折射仪的技术指标要求。     

1000V可调脉动直流电源设计

本文将自耦调压器与升压变压器相结合，设计出了一种1000V可调脉动直流电源，构思独特，可广泛应用于可调高压大功率电源的设计。     

拉格朗日函数中的T与V

拉氏函数Ｌ＝Ｔ－Ｖ中的Ｔ与Ｖ必须是运动系统在惯性系中的动能与势能．当取非惯性系坐标作为广义坐标时，拉氏方程将直接给出运动系统在非惯性系中的相对运动微分方程．本文就单质点运动给出了直接证明．     

III–V based-semiconductor photonic crystals

Three-dimensional (3D) and two-dimensional (2D) photonic crystals based on III–V semiconductors are described. On the 3D photonic crystals, the development of complete photonic crystals at optical wavelengths and their applications to ultrasmall optical integrated circuits including 3D sharp bend waveguide are described. On the 2D photonic crystals, two-unique device and/or phenomena are demonstrated.     

Complete spectroscopy of51,52V via the50,51V(n, γ) reactions

The gamma-ray spectra emitted after thermal neutron capture in highly enriched⁵⁰V and^natV targets have been studied using in-pile targets at the ILL high flux reactor and pair and germanium detectors. The neutron binding energies in⁵¹V and⁵²V were determined to beB _n (⁵¹V)=11051.11(17) keV andB _n (⁵²V)=7311.22(26) keV. The thermal neutron capture cross-section in⁵⁰V was measured to be 21 _–2 ⁺⁴ b. From 724 lines attributed to⁵¹V, 330 transitions, comprising 90% of the-ray flux, were placed into the level scheme. Fifty-nine primary dipole transitions from the 11/2⁺ or 13/2⁺ capture states in⁵¹V were established from which the E1 strength distribution was deduced. The energy scaling of these primary transitions was found to follow the E1-giant dipole resonance dominance. Many new levels were established; a number of states proposed in previous (d,p) and (n,) work were confirmed from their primary population and decaying secondary radiations. The density of levels in the high spin (9/2I15/2) region was parametrized with the Fermi gas model. The spin distributions of⁵¹V were analyzed and a spin cut-off parameter =2.8 (3) was deduced. — A nearly complete level scheme of⁵²V up to 3.5 MeV excitation and similar results concerning the level density and the primary -ray spectrum were obtained in the⁵¹V (n, )⁵²V study.Supported by Deutsches BMFT under contract 06GÖ141     

V 型槽的小改动

<正> 我们试制某零件时常采用传统的110°V 形槽铸铁模具加工,见图1。由于被加工零件硬度较高,毛坯棒不规则,余最大(直径方向余量3mm 左右),所以模具磨损很快。加之在加工中,零件直径足由大逐渐磨小,这样,磨损     

V掺杂ZnO透明导电薄膜研究

本文分别采用磁控溅射技术与基于密度泛函理论的平面波赝势方法两种方式, 对高价态差元素V掺杂ZnO薄膜进行研究. 实验研究结果表明: V的掺入并未改变ZnO的生长方式, 所制备的薄膜都呈(002)择优生长; 随着衬底温度增加, VZO薄膜的结晶质量逐步改善, 当衬底温度超过280 ℃时薄膜的结晶质量恶化; 在280 ℃时获得的VZO薄膜电阻率最低3.8×10^-3 Ω·m, 500-2000 nm平均透过率高于85%. 理论模拟结果表明: V以替位形式掺入ZnO六角纤锌矿晶格结构中, 费米能级进入导带, 材料表现出n 型半导体的特性, 导电电子主要由V 3d及O 2p电子轨道提供. 理论计算结果与实验结果的一致性, 表明VZO薄膜具有作为高效Si基薄膜太阳电池透明导电薄膜的应用潜力.     

V2的泡利自旋阵表示

在用矩阵法求解二维伊辛模型时，需要用泡利自旋矩阵来表示Ｖ２矩阵，本文给出该表示的一种推导方法。     

AT1受体拮抗剂V8、V12和BZI8结构的量子化学研究

基于Mavromoustakos等人的分子动力学和蒙特卡罗方法结果，本文利用量子化学计算的方法研究了SARTANS（沙坦）类的3种AT1受体拮抗剂（V8、V12和BZI8）. 在B3LYP/6-31G(d)方法下计算得到了3种药物分子的平衡几何结构，并且采用B3LYP-GIAO/6-311G(d，p)方法计算了这些药物分子中的质子化学位移. 通过研究结果可以看出，本文采用量子化学方法计算得到的3种分子的结构与Mavromoustakos等人通过分子动力学和蒙特卡罗方法得到的结果比较接近，计算结果与核磁共振实验的ROE数据和¹H谱相比吻合得较好，说明所获得的结构较为合理. 另外通过对所获得分子结构进行叠合分析发现，同属SARTANS类的3种分子在联苯咪唑环区域具有很大的相似性.     

DC24V5A电源设计

针对部分企事业单位供电的特殊性,在市电供给突然断电的情况下,设计出24V、5A恒压源做为后备电源。此电源可以自动切换,不需人工干预,确保后续设备正常工作。经过试验证明完全满足设计要求。     

V2的泡利自旋矩阵表示

在用矩阵法求解二维伊辛模型时，需要用泡利自旋矩阵来表示Ｖ２矩阵，本文给出该表示的一种推导方法