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相似文献
 共查询到14条相似文献,搜索用时 333 毫秒
1.
本文研究了PN结正向电压与温度关系实验中升温和降温、不同的升温速度对PN结正向电压的影响,实验发现:降温测量的不确定度小于升温测量结果.  相似文献   

2.
介绍了PN结物理特性综合实验原理,利用绘图软件Matlab对实验数据进行曲线拟合,得到了PN结伏安特性函数表达式和PN结正向压降与温度间关系的拟合曲线,计算了常温下玻尔兹曼常数和PN结温度传感器灵敏度及T=0 K时的半导体近似禁带宽度。  相似文献   

3.
一、引言半导体PN结电流-电压特性是半导体器件的基础,也是半导体物理学和电子学教学的重要内容。本实验以PN结为研究对象,用一个简单的电路来测量PN结电流-电压关系,并用最小二乘法对数据进行曲线拟合,得出经验公式,说明PN结Ⅰ-Ⅴ关系符合指数  相似文献   

4.
应用C-V法研究了GaN基蓝光LED的PN结特性.通过变温的C-V曲线、相应的C-2-V曲线和C-3-V曲线判断GaN基PN结的结类型,计算杂质浓度分布和PN结接触电势差,并分析了温度变化对PN结特性的影响.该实验不仅能加深学生对二极管PN结及C-V法应用的认识和理解,还可以让学生了解GaN新型半导体材料的相关知识.  相似文献   

5.
在验证PN结伏安特性实验中用Matlab软件求经验公式   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了验证PN结伏安关系特性实验的实验原理,对实验测得的数据进行处理,给出了每一步处理的数据和最后结果数据、曲线,提供源代码.  相似文献   

6.
当1个交流小信号被1个PN结和1个大电容分压,且该电容的电容值远大于PN结电容时,大电容两端的电压与PN结电容成正比,该信号的相位与PN结的电阻以及信号的频率有关.把PN结当作1个电容和1个电阻并联,可定性解释该信号的相位与PN结正向电阻、与加在PN结两端的直流反向偏压、在零直流偏压下与交流信号频率的关系.  相似文献   

7.
介绍了验证PN结伏安关系特性实验的实验原理,对实验测得的数据进行处理,给出了测量公式和最后结果数据,提供程序界面、源代码。  相似文献   

8.
利用PN结中P区和N区的耗尽层宽度的计算公式和图像法绘制出的耗尽层宽度和掺杂浓度之间的关系曲线,得出了掺杂浓度的变化对耗尽层宽度的影响,又利用PN结中内建电场与内建电势差的计算公式和热平衡时突变PN结的电场分布图,分析出PN结中掺杂浓度的变化对耗尽层中各处内建电场和内建电势的影响.  相似文献   

9.
半导体PN结具有电容的性质.在正向直流偏压下,理论计算表明,PN结扩散电容的对数与正向偏压成正比.实验发现,当正向偏压小于30mV时,这种线性关系是成立的;当正向偏压大于30mV时,会偏离这种线性关系.由于PN结还具有电阻特性,对交流信号的相位有影响.随着正向偏压增大,交流信号的相位变化出现一极值.如果将PN结等效为一个电容和一个电阻并联,就可以定性解释这种变化关系.  相似文献   

10.
PN结正向电压与温度关系实验中的实际问题   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文就PN结正向电压与温度关系研究实验中所涉及的常见问题进行了阐述,并提出了相应解决办法。本文能为相关实验工作者提供参考。  相似文献   

11.
PN结正向伏安特性曲线随温度的变化   总被引:4,自引:0,他引:4  
介绍了在不同温度下,PN结正向伏安特性曲线的自动测量方法。讨论了PN结伏安特性与温度的关系.由于正向结电压小于内建电势差,温度升高或正向结电压增加,正向结电流将增大,温度升高反向结电流也相应增加.当温度趋向OK时。正向结电压趋向内建电势差。  相似文献   

12.
PN结对交流信号相位的影响   总被引:4,自引:1,他引:3  
交流小信号被PN结和电容分压,且电容值远远大于PN结电容值时,大电容两端的电压是很小的交变电压,该信号的相位与PN结的内阻(正向)有关.把PN结当做一个电容和一个电阻并联,可定性解释这种关系.  相似文献   

13.
本对PN结反向物理特性,应用电子技术和计算机技术实现了对实验过程的控制和效据处理。  相似文献   

14.
高线性度的电光调制器是构建微波光子链路的核心器件。硅光子调制器利用PN结的载流子色散效应实现微波信号对光波的调制,基于不同结构PN结的调制器有不同的非线性特性。本文采用二阶无杂散动态范围表征二阶谐波失真度,实验研究了采用侧向PN结和交趾型PN结所构成的Mach-Zehnder(MZ)调制器的二阶谐波失真特性。基于侧向PN结和交趾型PN结的MZ调制器的二阶无杂散动态范围为分别为85.11dB·Hz~(1/2)、78.44 dB·Hz~(1/2),表明基于侧向PN结的MZ调制器具有更好的线性度。  相似文献   

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