He-Ne激光对增强UV-B辐射拟南芥抗氧化系统的损伤修复

以培养6周左右的拟南芥为材料,采用UV-B辐射(剂量1 KJ/m2/d)和He-Ne激光器(波长632.8 nm,输出功率5 mW·mm2,辐照时间60 s)对材料进行处理,分成CK(没有经过UV-B或激光辐照)组、B(UV-B辐射)组、BL(UV-B和激光复合处理)组和L(激光辐照)组4个不同处理组.结果表明:增强的...     

He-Ne激光对增强UV-B辐射拟南芥抗氧化系统的损伤修复

以培养6周左右的拟南芥为材料,采用UV-B辐射（剂量1 KJ/m2/d）和He-Ne激光器（波长632.8 nm,输出功率5 mW·mm2,辐照时间60 s）对材料进行处理,分成CK（没有经过UV-B或激光辐照）组、B(UV-B辐射)组、BL（UV-B和激光复合处理）组和L（激光辐照）组4个不同处理组.结果表明:增强的UV-B辐射拟南芥幼苗导致MDA(Malondialdehyde)、超氧阴离子含量升高,GSH(Glutathione)含量降低,PAL(phenylalanine ammomia-lyase)、CAT(catalase)和APX(ascorbate peroxidase)活性升高,SOD(supemxide dismutas)活性降低.单独He-Ne激光处理使MDA、超氧阴离子含量降低,GSH的含量升高,SOD、APX、CAT的活性升高,PAL的活性降低.UV-B辐射后再用He-Ne激光进行后处理,发现与单独UV-B辐照处理相比,MDA、超氧阴离子含量降低,GSH含量升高,SOD、APX、CAT的活性升高了,PAL的活性降低了.因此激光在一定程度上提高了拟南芥叶片抗氧化能力,在此基础上讨论了其可能的形成机理.     

He-Ne激光对小麦幼苗增强UV-B辐射损伤修复的影响

采用He-Ne激光(5mW/mm²)来辐照处理经增强UV-B(10.8kJ·m^-2·d^-1)辐射损伤的小麦幼苗,通过荧光光谱测定其中双链DNA(dsDNA)的含量,分析研究了He-Ne激光对小麦DNAUV-B损伤的切除修复的影响和机制,以探明激光对UV-B损伤的修复途径及机制.结果表明:He-Ne激光能明显增强UV-B辐射处理后小麦种子的萌发力;小麦对UV-B辐射损伤具有一定的切除修复能力,切除修复的高峰期发生在UV-B辐射后4～6h内;He-Ne激光主要通过促进小麦的切除修复途径影响小麦对UV-B损伤的修复,而且能增强小麦的切除修复能力,其促进作用在修复高峰期(5h)表现尤为明显.     

He-Ne激光和增强UV-B辐射对小麦TaRAN1蛋白的影响

采用He-Ne激光(5mW·mm-2)和增强UV-B(10.08kJ·m-2.d-1)辐照‘ML7113’小麦幼苗,6天后提取各处理组小麦幼苗的总蛋白和TaRAN1蛋白,用SDS-PAGE对其进行初步检测及Western Blot对目的蛋白进行鉴定,并采用考马斯亮蓝法测量不同处理组的TaRAN1蛋白的含量以做进一步的比较分析.结果表明:增强UV-B辐射使小麦TaRAN1蛋白电泳条带加宽颜色加深且含量显著增加;单独He-Ne激光处理,蛋白电泳条带较窄颜色较淡且所测的蛋白含量明显减少,表现出了抑制作用;经He-Ne激光辐照和UV-B辐射复合处理后,蛋白的含量明显低于B组而与对照组相差不明显.说明增强UV-B辐射后,小麦TaRAN1蛋白可能参与了植物的抗逆境反应.     

He-Ne激光和增强UV-B辐射对小麦TaRAN1蛋白的影响

采用He-Ne激光(5 mW· mm 2)和增强UV-B(10.08 kJ·m-2·d-1)辐照‘ML7113’小麦幼苗,6天后提取各处理组小麦幼苗的总蛋白和TaRAN1蛋白,用SDS-PAGE对其进行初步检测及Western Blot对目的蛋白进行鉴定,并采用考马斯亮蓝法测量不同处理组的TaRAN1蛋白的含量以做进一步的比较分析.结果表明:增强UV-B辐射使小麦TaRAN1蛋白电泳条带加宽颜色加深且含量显著增加;单独He-Ne激光处理,蛋白电泳条带较窄颜色较淡且所测的蛋白含量明显减少,表现出了抑制作用;经He-Ne激光辐照和UV-B辐射复合处理后,蛋白的含量明显低于B组而与对照组相差不明显.说明增强UV-B辐射后,小麦TaRAN1蛋白可能参与了植物的抗逆境反应.     

CO2激光预处理对UV-B辐射引起的小麦幼苗脂质过氧化伤害的防护作用

用20 mW·mm－2CO2激光对小麦萌发的种子分别照射1 min、3 min、5 min、7 min，待其长至幼苗期，在光背景（PAR）90 μmol·m－2·s－1条件下，用3.10 kJ·m－2 UV-B照射7 h·d－1,然后对其丙二醛（MDA）、还原型谷胱甘肽（GSH）、超氧化物岐化酶（SOD）、过氧化氢酶（CAT）、过氧化物酶（POD）以及抗坏血酸（AsA）等含量进行测定.结果发现，CO2激光预处理可提高小麦GSH和AsA含量以及SOD、CAT、POD酶活性，降低MDA含量，从而抑制了由UV-B辐射引起小麦的脂质过氧化作用，以处理5 min为最适时间.     

激光诱变选育果胶酶高产菌株

采用Ar⁺、He-Ne、LD、YAP等激光辐照果胶酶产生菌,不同波长激光辐照均获高酶活菌株,其中从LD激光与He-Ne激光辐照组中选育出酶活达6×10⁴单位/g的高产菌株(比对照组提高122%),并稳定地应用于生产.文中从黑曲霉抱子与DNA的吸收光谱以及电镜观察黑曲霉抱子的结果出发,对激光诱变机制进行了初步探讨.     

低能N+ 离子预处理对水稻UV-B辐射的当代损伤效应的影响

采用3种不同注量的N离子对供试材料进行了离子注入预处理, 再用10.08 kJ/(m2d1)增强UV-B辐射对其幼苗进行辐照试验, 测定了过氧化物酶（POD）活性、 过氧化物歧化酶（SOD）活性、 过氧化氢酶（CAT）活性、 丙二醛（MDA）含量、 还原型谷胱甘肽（GSH）含量和可溶性糖含量的变化。 研究结果表明: 经N离子注入预处理的水稻材料受到UV-B辐射时其POD和SOD活性明显升高, 并在注量为2.0×1017 ions/cm2时活性达到最强; CAT活性和MDA含量明显降低, GSH含量显著增加, 而可溶性糖的含量则变化程度很小。 从这些研究结果可以看出, 经过一定注量离子注入预处理的水稻材料当受到UV B辐射时能产生较强的抗氧化能力和防御能力,而且抗氧化系统优于碳水化合物系统而先于表达。 由此可见, 离子注入预处理对水稻UV-B辐射的生物学效应的影响相当明显。 The seedlings of rice (xindao18) were exposed to UV B (10.08 kJ/(m2d1 )) irradiation follo wing the pretreatment with three different implantation dosages of low energy N+ ions. Changes in the levels of the superoxide (POD),superoxide dismutase (SOD),catalase (CAT), malondialdehyde (MDA),glutathione (GSH) and soluble sugar were measured. The result showed that the UV-B irradiation on the seedlings of rice pretreated with low energy ions implantation could lead to increase activities in POD and SOD,and the maximum appeared on the dose of 2.0×1017 ions/cm2. Meanwhile,it made the content of GSH increased, and caused the activity of CAT and the content of MDA to be decreased. But there was no obvious change in soluble sugar. It was suggested that the rice pretreated by low energy ion implantation could enhance the antioxidation capacity and defensive ability when irradiated by UV-B, and the antioxidation system could be induced earlier than carbohydrate system. Therefore, the biological effects of UV-B irradiation on rice pretreated by low energy ion implantation were quite obvious.     

γ射线辐照对a-SiC:H薄膜结构与特性的影响

 采用射频（13.56 MHz）反应溅射方法制备a-SiC:H 薄膜，并将其在空气中进行高能γ射线(平均为1.25 MeV)辐照，5个样品的吸收剂量分别为0，2×10⁴，4×10⁴，6×10⁴，8×10⁴ Gy。采用拉曼及红外光谱对薄膜的结构进行表征,得到了其结构与特性的变化规律。研究与分析表明：随样品吸收剂量的增加，陷入空穴中的电子会被激发，a-SiC:H薄膜中的SiC成份增加，电阻率变小，数量级为105Ω·cm；薄膜存在结晶化的趋势,其主要原因在于由Si－O－Si键断裂而产生的Si取代膜中C－C键中的C而形成晶态SiC，在此过程中出现了Si－O－Si键及a-SiC:H的减少，晶态SiC的增加。经γ射线辐照后薄膜的氢含量降低，折射率从5.19增大到5.53，辐照后薄膜的透过率均低于原膜的透过率。在500~2 300 cm^-1(对应波长为20.00~5.29 μm)波段内，a-SiC:H薄膜存在一定的增透作用。     

增强的UV-B辐射对高粱幼苗光合和抗氧化系统的影响

由于臭氧层逐渐变薄,到达地球表面UV-B辐射不断增加,因UV-B辐射改变的太阳光谱将会对陆地植物造成不同程度的伤害。本试验以高粱龙杂5为材料,对二叶一心高粱进行四种剂量UV-B处理,恢复2 d采用光合仪测定光合参数,并取样测定抗氧化酶活性。随着UV-B剂量的升高,高粱叶片褐化损伤加重,植株矮化,鲜重和干重显著降低;花青素含量显著升高,叶绿素和类胡萝卜素含量显著减少,净光合速率和叶绿素荧光参数显著下降。同时,随UV-B剂量升高,高粱幼苗气孔导度、胞间CO₂浓度和蒸腾速率表现为“降-升-降”变化;POD和CAT活性呈现“降-升-降”变化;SOD和GR活性呈现“降-升”变化,APX和GPX呈现“升-降-升”变化。在供试的四种剂量中,UV-B处理6 h(相当2.4 J·m-2)的高粱幼苗净光合急剧下降,其他光合指标以及抗氧化酶活性也表现出明显转折。结果表明,增强的UV-B辐射直接导致高粱光合色素、净光合速率和叶绿素荧光参数的改变;高粱抗氧化系统对高、低剂量UV-B响应机制不同, 其中 ASA-GSH循环对低剂量UV-B反应更敏感,高剂量UV-B辐射不仅破坏高粱光合作用,而且启动植物酶促和非酶抗氧化系统,导致叶片褐化坏死,植株生物量累积减少、株高矮化,甚至死亡。     

双包层光纤激光器最大输出功率的估算

 通过热传导方程和边界条件得到高功率双包层光纤激光器温度分布的简化解析解，利用ANSYS模拟验证了简化的合理性，并以双包层的掺镱光纤激光器为例，把外包层的临界温度设定为80 ℃，计算了光纤激光器在自然对流、风扇制冷和水制冷条件下最大输出功率。计算结果表明：自然对流的情况下，对流传热系数为10 W·m^-2·Ｋ^-1时，光纤激光器的最大输出功率为105 W；风扇制冷的情况下，对流传热系数为80 Ｗ·m^-2·Ｋ^-1时，光纤激光器的最大输出功率820 W；要达到kW以上功率输出，必须对光纤进行主动水冷。     

低强度激光辐照HeLa细胞诱导增殖效应的可见光谱特性

比较研究了可见波段405,514,633和785nm低强度激光辐照HeLa细胞的促增殖效应。实验采用100和1 000J.m-2两种有效能量密度的可见光波辐照细胞,照射后24,48,72h采用MTT法检测细胞活性。结果表明,405,633,785nm激光均能促进HeLa细胞增殖,且呈波长和时间依赖性;633nm激光辐照对细胞促增殖效应最显著;514nm激光辐照对HeLa细胞促增殖效应较不明显。不同光剂量对细胞增殖效应不同,405,633,785nm激光辐照时能量密度为1 000J.m-2的辐照组细胞增殖均较100J.m-2辐照组明显,而514nm激光辐照时1 000J.m-2辐照组与100J.m-2辐照组细胞增殖的差异不明显。     

一种全可见光敏感的光致聚合物全息特性研究

制备了一种对整个可见光波段都敏感的光全息存储材料,并研究了该材料的透过率、衍射效率、灵敏度等全息特性.用He-Ne激光器633 nm和Ar+ 激光器514 nm,488 nm,476 nm四种波长的光曝光,材料的饱和衍射效率最大为66%,最小为48%;最高灵敏度为8.06×10－3 cm2/mJ.最高折射率调制度为4.22×10－4.用多波长存储时,不同波长的光可存储多幅全息图,且再现图像清晰.结果表明,该材料是较好的高密度数字全息存储材料.     

制备多孔硅的一种新方法

自从Canham观察到多孔硅(PS)的可见光致发光后,由于其可望成为可与Ⅲ—Ⅴ族半导体材料相媲美的新型光电子材料而引起了科学界极大的兴趣.目前,制备多孔硅一般都采用电化学腐蚀方法.     

六硼酸钡Ba3B6O9(OH)6热力学性质研究

本文通过水热法合成了六硼酸钡Ba3B6O9(OH)6，并通过 X射线衍射(XRD)、红外光谱(FT-IR)、综合热分析法(TG-DSC) 和扫描电子显微镜(SEM)对其进行了表征。通过微量热仪测定了Ba3B6O9(OH)6在 0.9995mol·dm-3HCl(aq) 的摩尔溶解焓为(32.34±0.58) kJ·mol-1，并计算了其标准摩尔生成焓为-(7130.664±4.2) kJ·mol-1。此外，通过基团贡献法估算了[B6O9(OH)6]6- 的摩尔生成焓为-5517.744 kJ·mol-1。     

Mode effects in second harmonic generation and their uses for laser stabilization

The influence of laser modes on second harmonic generation has been investigated using a three mode He-Ne laser operating at 633 nm as the source of the fundamental radiation. Mode locking which occurs when the laser modes are symmetrically placed relative to the centre of the gain profile enhances the second harmonic signal. This effect has been used to stabilize the frequency of the He-Ne laser to ± 1.5 MHz.     

Dynamics of high-temperature plasma formation during laser irradiation of three-dimensionally structured,low-density matter

Results are presented from an experimental investigation of the properties of the plasma produced by the action of a radiation pulse at the second harmonic of a Nd laser, with average intensity ~5·10¹⁴ W/cm² in the focal spot, on flat targets consisting of porous polypropylene (CH)_x with an average density of 0.02 g/cm³ (close to the critical plasma density) and with ~50 μm pores. The properties of the laser plasma obtained with porous and continuous targets are substantially different. The main differences are volume absorption of the laser radiation in the porous material and much larger spatial scales of energy transfer. The experimentally measured longitudinal ablation velocity in the porous material was equal to (1.5–3)·10⁷ cm/s, which corresponds to a mass velocity of (3–6)·10⁵ g/cm²· s, and the transverse (with respect to the direction of the laser beam) propagation velocity of the thermal wave was equal to ~(1–2) ·10⁷ cm/s. The spatial dimensions of the plasma plume were ~20–30μm. The plasma was localized in a 200–400μm region inside the target. Pis’ma Zh. éksp. Teor. Fiz. 64, No. 7, 462–467 (10 October 1996)