铋膜电极差分脉冲溶出伏安法测定镉

用铋膜电极对水样中的Cd2+进行了差分脉冲溶出伏安法检测.观察并优化了采用同位镀铋法测定水样中的镉离子时的影响条件.结果显示:镉可以在铋膜电极上得到灵敏的电位溶出峰.加入1/15mol/L的NazHPO4-KH2PO4缓冲液(pH7.5),在1.1V电压下富集300s,镉的检测下限达到0.1μg/L,在1-120μg/L内呈现良好的线性关系.每次使用完可方便的将电极上残留的镉和铋溶出,从而使得各次检测具有良好的重现性.     

蜡笔中痕量铅的测定

用铋膜电极替代汞膜电极电位溶出法测定痕量重金属铅。研究了同位镀铋膜及测定条件。铅在以HAc- Na Ac为支持电解质的铋膜电极上可得到灵敏的电位溶出峰 ,线性方程为 :I=0 .0 6 0 9m 0 .0 0 0 3,相关系数 :r=0 .9986 ,检出限为 9.0× 1 0 -8g/ L,线性范围为 0 .1— 9× 1 0 -3 g/ L,RSD为 3.89%。采用加热和加速浸提法处理蜡笔 ,铋膜电极溶出法测定了蜡笔中铅的含量 ,该法简单快速 ,准确度和精密度均符合要求 ,回收率为 98.1 %— 1 0 1 %。     

铋膜电极溶出伏安法测定苍耳子中锌的含量

采用电位溶出法,用铋膜电极替代汞膜电极对中药苍耳子中微量元素锌的测定作了研究,考察了同位镀铋膜及测定微量元素锌的条件。实验结果表明：锌在以KSCN为支持电解质的铋膜电极上可得到灵敏的电位溶出峰,线性方程为：为I=2.0062C＋0.0069,相关系数为r=0.9967,检出限为6.0×10-8g/L线性范围为0.5×10-6—2.8×10-6mol/L,RSD=2.24%。该法简单快速,准确度和精密度均符合要求,回收率为89.5%—100.3%。     

同步镀铋膜差分脉冲伏安法测试土壤中铬

采用同步镀铋膜法修饰玻碳电极及差分脉冲溶出伏安法测试土壤中Cr。在优化的实验条件下,以KNO3为支持电解质,NaAc-HAc(pH=5.5)为缓冲溶液的铋膜上得到Cr溶出特征峰电位为-1.14V,线性方程为:I=0.0747C+0.31054,相关系数为0.9981,检出限为0.001μg/L,线性范围为0.01—60μg/L,RSD=2.47%,该方法简单快速,准确度和精密度均符合要求,回收率为96.7%—104.5%。     

铋膜电极差分脉冲溶出伏安法测定痕量镉

研究了用铋膜电极测定痕量重金属元素镉的差分脉冲溶出伏安法,并对实验条件进行了优化。结果表明：铋膜电极可以获得和汞膜电极类似的良好溶出峰,且电极重现性好。在优化的实验条件下,镉离子的氧化峰电流与镉离子的浓度在10—440μg.L-1的范围内呈线性关系,检出限为4.66μg.L-1。铋膜电极优异的电化学性能加上低毒性,使其可以用来测定环境和工业中的镉。     

氧化态石墨烯/铋膜修饰玻碳电极测定水中铅离子

制备了氧化态石墨烯修饰玻碳电极,并预镀铋膜,采用了示差脉冲溶出伏安法对水中的铅离子含量进行测定,考察了缓冲溶液pH值、沉积电位、沉积时间对铅离子测定的影响.通过实验条件优化,对浓度在0-3.00×10-7mol/L范围内的铅离子进行测定,铅离子浓度与溶出峰面积线性关系良好,检出限是1.00×10-8mol/L.结果表明,方法检测灵敏度高、重现性好,可实现水样中铅离子的快速测定.     

多壁碳纳米管/铋膜修饰电极示差脉冲溶出伏安法测定水中镉和铅

制备多壁碳纳米管/壳聚糖纳米复合物修饰玻碳电极,用于同位镀铋膜法连续测定水中镉和铅离子的含量.将多壁碳纳米管分散在壳聚糖溶液中,滴涂在玻碳电极表面制得修饰电极;在含铋的溶液中,采用示差脉冲溶出伏安法测定了镉、铅离子的浓度;考察了沉积电位、富集时间对溶出电流的影响.在优化的实验条件下,对浓度在0-0.2μmol/L范围内...     

阻抑高碘酸钠氧化依莱铬红B褪色光度法测定痕量Sn(Ⅱ)

在加热和 NH3 - NH4Cl(p H=9.2 5 )缓冲溶液介质中 ,痕量 Sn( )能抑制高碘酸钠氧化依莱铬红 B褪色反应 ,据此建立了测定痕量 Sn( )的动力学光度分析新方法。该方法在锡的浓度为 0 .5— 9.0μg/ 2 5 m L范围内有良好的线性关系 ,方法的检出限为 2 .33× 10 -9g/ m L Sn( )。该方法用于测定天然水中痕量锡( ) ,取得满意结果     

薄膜光学理论与膜系设计

O484.12007010560电沉积-烧结法制备Y2O3∶Eu荧光薄膜的研究=Re-search of luminescence fil m of Y2O3∶Eu prepared bymethod of electrodeposition-sinter[刊,中]/曾冬铭(中南大学化学化工学院.湖南,长沙(410083)),舒万艮…//感光科学与光化学.—2006,24(2).—126-132采用电沉积-烧结方法制备出了氧化钇铕红色荧光薄膜。在0.1mol/L硝酸钇溶液中加入4%(摩尔分数)0.1mol/L硝酸铕掺杂,用三电极体系进行阴极电沉积,工作电极的电位为-1.2V(相对于Ag/AgCl电极),温度65℃,沉积时间为400s,500℃灼烧2h,制备出的发光薄膜与高温固相法制备的…     

石墨烯-金纳米复合膜修饰电极溶出伏安法测定水中痕量汞

通过一步电沉积制备了石墨烯-金纳米复合膜修饰玻碳电极,并以此修饰电极为工作电极,采用差分脉冲阳极溶出伏安法测定环境水中痕量汞. 这种纳米复合膜结合了金纳米粒子和石墨烯两者的优势,能够增加异相电子转移速度和修饰电极对汞的富集能力,从而显著提高了电极的灵敏度和选择性. 这种修饰电极具有良好的分析性能：Hg(II)的分析曲线覆盖了0.2～5.0和5.0～30 μg/L两个线性范围,Hg(II)检测限(S/N=3)为0.030 μg/L. 此外,该修饰电极还表现出良好的稳定性和抗干扰性能,还被成功地应用于实际水样中Hg(II)的测定.     

纳米TiO2∶Zn薄膜电极紫外光电特性研究

采用sol-gel法制备了Zn2+掺杂的锐钛矿相纳米TiO2薄膜电极.通过光电流作用谱和电流-电位（I-U）曲线研〖WTBZ〗究了掺杂不同浓度Zn2+的TiO2薄膜电极的光电特性.由光电流作用谱可知，Zn2+的掺杂可显著影响薄膜电极的光电流大小，且掺杂的最佳浓度与薄膜晶粒尺度有关.在320nm单色光照射下，掺杂浓度（摩尔浓度）为0.1％的薄膜电极光电流最大，与未掺杂的本征薄膜电极相比增幅达40％.I-U曲线表明，光照下，随电极电位由正到负逐渐降低，不同掺杂浓度的TiO2薄膜电极中均出现了阳极电流向阴极电流转换的现象，且Zn2+掺杂浓度可影响电极阳极电流的初始电位.另外，无光照的暗态下，各薄膜在负电位区域观察到了相似的随电位降低而迅速增大的阴极暗电流.     

紫外光下纳米TiO2薄膜亲水性机理的电化学研究

利用溶胶 凝胶方法在透明导电玻璃ITO (SnO2 ∶In)表面制备纳米TiO2 薄膜 ,XRD谱图表明TiO2 是锐钛矿晶型 ,AFM (Atomic Force Microscope)测得薄膜表面粒子约为 10 0nm .研究了ITO表面纳米TiO2 薄膜的光致亲水性变化 .通过循环伏安技术测定TiO2 薄膜电极在 2 5 3.7nm的紫外光照射后的电化学行为推测光致亲水性机理 .发现在紫外光照射一定时间后 ,TiO2 薄膜电极的循环伏安图在 +0 .0 35V处出现新的氧化峰 ;且随光照时间的增加 ,氧化峰的峰电流增大 ,溶液中的溶解氧对峰电流的大小有明显影响 .实验表明 ,在紫外光照下电极表面有Ti3 + 产生 ,证实了TiO2 薄膜的光致亲水性转变过程与Ti3 + 的生成导致的表面结构变化有关     

Transparent conducting indium-tin-oxide (ITO) film as full front electrode in III-V compound solar cell

The application of transparent conducting indium-tin-oxide (ITO) film as full front electrode replacing the conventional bus-bar metal electrode in III-V compound GaInP solar cell was proposed. A high-quality, non-rectifying contact between ITO and 10 nm N⁺-GaAs contact layer was formed, which is benefiting from a high carrier concentration of the terrilium-doped N⁺-GaAs layer, up to 2×10¹⁹ cm^-3. A good device performance of the GaInP solar cell with the ITO electrode was observed. This result indicates a great potential of transparent conducting films in the future fabrication of larger area flexible III-V solar cell.     

Potential dependence of cuprous/cupric duplex film growth on copper electrode in alkaline media

The duplex oxide film potentiostatically formed on copper in concentrated alkaline media has been investigated by XRD, XPS, negative-going voltammetry and cathodic chronopotentiometry. The interfacial capacity was also measured using fast triangular voltage method under quasi-stationary condition. The obvious differences in the thickness, composition, passivation degree and capacitance behavior were observed between the duplex film formed in lower potential region (−0.13 to 0.18 V versus Hg|HgO electrode with the same solution as the electrolyte) and that formed in higher potential region (0.18-0.60 V). Cuprous oxides could be formed and exist stably in the inner layer in the both potential regions, and three cupric species, soluble ions and Cu(OH)₂ and CuO, could be independently produced from the direct oxidation of metal copper, as indicated by three pairs of redox voltammetric peaks. One of the oxidation peaks appeared only after the scan was reversed from high potential and could be attributed to CuO formation upon the pre-accumulation of O²⁻ ions within the film under high anodic potentials. A new mechanism for the film growth on the investigated time scale from 1 to 30 min is proposed, that is, the growth of the duplex film in the lower potential region takes place at the film|solution interface to form a thick Cu(OH)₂ outer layer by field-assisted transfer of Cu²⁺ ions through the film to solution, whereas the film in the higher potential region grows depressingly and slowly at the metal|film interface to form Cu₂O and less CuO by the transfer of O²⁻ ions through the film to electrode.     

纳米TiO_2∶Zn薄膜电极紫外光电特性研究

采用sol-gel法制备了Zn2 掺杂的锐钛矿相纳米TiO2薄膜电极.通过光电流作用谱和电流-电位(I-U)曲线研究了掺杂不同浓度Zn2 的TiO2薄膜电极的光电特性.由光电流作用谱可知,Zn2 的掺杂可显著影响薄膜电极的光电流大小,且掺杂的最佳浓度与薄膜晶粒尺度有关.在320nm单色光照射下,掺杂浓度(摩尔浓度)为0.1%的薄膜电极光电流最大,与未掺杂的本征薄膜电极相比增幅达40%.I-U曲线表明,光照下,随电极电位由正到负逐渐降低,不同掺杂浓度的TiO2薄膜电极中均出现了阳极电流向阴极电流转换的现象,且Zn2 掺杂浓度可影响电极阳极电流的初始电位.另外,无光照的暗态下,各薄膜在负电位区域观察到了相似的随电位降低而迅速增大的阴极暗电流.     

发射光谱法测定ITO透明导电膜的Sn／In

本文采用运动电极，火花激发，讨论了膜样品分析中标样和分析样品的一致性，介绍了选用多个样品叠加摄谱对ＩＴＯ膜中Ｓｎ／Ｉｎ浓度比的测量。结果表明分析方法的精密度和准确度满足分析要求。