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相似文献
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1.
双基阵纯方位目标运动分析研究   总被引:8,自引:0,他引:8  
研究了双基阵纯方位目标运动分析的基本原理和方法,提出了方位数据关联的迭代算法,进行了仿真实验.仿真结果表明,双基阵纯方位TMA及数据关联方法不仅克服了单基阵纯方位TMA需要本舰机动的限制,而且提高了参数估计算法的稳定性和精度,具有较好的工程应用前景.  相似文献   

2.
HUGHES M-65L LAATM-65L激光增强的机载TOW(LAAT)系统是装在AH-1SCobra攻击直升机上的M-65光学瞄准系统的改进型。它是在M-65TOW导弹系统瞄准具基础上增加了一台激光测距仪,为直升机火控计算机提供距离信息,以控制...  相似文献   

3.
ApplicationofaDouble-Wollaston-prismLaserDifferentialInterferometerinPlasmaFocusLUMingfang;YANGTsinchi;HANMin(TsinghuaUnivers...  相似文献   

4.
本文研究了用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOCVD)技术在(100)InP衬底上生长InGaAsp体材料及InGaAP/InP量子阱结构材料的生长条件。三甲基镓(TM63)、三甲基铟(TMh)和纯的砷烷(A8H3)、磷烷(PH3)分别用作Ⅲ族和Ⅴ族源,在非故意掺杂情况下,InGaAsP材料的载流子浓度为3.6×1015cm-3;在液氦温度和室温下,与InP晶格匹配的InGaAsP光致发光半峰宽分别为19.2meV和63meV;对外延层的组分及厚度均匀性分别进行了转靶X光衍射仪,低温光致发光和扫描电子显微镜分析,对不同阱宽的量子阱结构材料测出了由于量子尺寸效应导致光致发光波长随阱宽增加而红移现象。  相似文献   

5.
HIGHLYCHARGEDATOMICPHYSICSATHIRFL-CSRMaXinwenWangYoudeHouMingdongJinGengminInstituteofModernPhysics,AcademiaSinica,Lanzhou73...  相似文献   

6.
THERMALINSTABILITYOFD-TBURNINGPLASMAS¥B.R.SHIY.X.LONGH.G.ZHAO(SouthwesterninstituteofPhysics,P.O.Box432,Chengdu610041,Sichuan...  相似文献   

7.
石化企业典型雷害成因及防护技术初探娄仁杰张雷周本谋(中国石化总公司安全技术研究所,大连116031)(收稿日期:1998-05-25)TYPICALCAUSESOFFORMINGLIGHTNINGDAMAGESANDLIGHTNINGPROTECTI...  相似文献   

8.
卢励吾  徐俊英 《物理学报》1995,44(8):1249-1255
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延(MBE)和金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)生长的AlGaAs/GaAs graded index separate confinement heterostructure single quantum well(GRIN-SCH SQW)激光器的深中心。结果表明,在激光器的n-AlGaAs层里除众所周知的DX中心外,还存在着较大浓度和俘获截面  相似文献   

9.
DEUTERIUMINFLUXPROFILEALONGTHEAPEXOFTHEUPPERX-POINTTILESINJET¥Y.K.Zhu(SouthwesternInstituteofPhysics,P.O.Box432,Chengdu610041...  相似文献   

10.
童玉珍 Liu  MS 《发光学报》1999,20(1):32-36
利用微区Raman散射技术,对低压MOCVD生长的不同Al组分的AlxGa1-xN薄膜(x=0,0.07,0.15)进行了背散射Z(X,X)Z-几何配制下的测量.A1(LO)模式的声子频移随Al组分的变化关系为:ω(AlxGa1-xN)=(1+0.220x)ω(GaN).观察到了A1(LO)模式由于空间相关效应引起的展宽.E2模式随Al组分的的增大产生的移动很微小,但趋于展宽.这被认为是E2模式的声子频移随Al组分的增加而增大与其受到的张应力导致的声子频移随Al组分的增加而减小共同作用的结果.在多种配置下,观察到了Al0.07Ga0.93N薄膜的A1(TO)模式、A1(LO)模式、E1(TO)模式和E2模式.验证了AlxGa1-xN薄膜的Raman选择定则.表明AlxGa1-xN薄膜具有单模行为.  相似文献   

11.
本文首次报导了生长温度为550℃,以三甲基镓(TMGa)和三甲基铟(TMIn)为Ⅲ族源,用低压金属有机物气相沉积(LFMOCVD〕技术,高质量1.62um和1.3umInGaAsP及In0.57Ga0.43As0.98P0.04/In0.73Ga0.27As0.6P0.4量子阶结构的生长,并给出了1.55umGaAsP/InP分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件,激光器于室温下脉冲激射,其阈值电流密度为2.4kA/cm2。  相似文献   

12.
Diode-PumpedMonolithicNd:LMALaser¥LUJiang;HUANGZhaoming;JINZhenhong;WANGYangjun(OpticalFiberInstitute,,ShanghaiUniversityofSc...  相似文献   

13.
THEMACQMCALCULATIONOFTHETOTALENERGYCURVEOFTHEBODY-CENTEREDCUBICSTRUCTUREOFTHEH-9CLUSTERGouQingquanZhangJianpingLiPingInstitu...  相似文献   

14.
用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了Zn1-xMgxSySe1-y四元半导体合金薄膜.用X-射线衍射方法确定了外延层的结构和晶格常数.测量了这些样品在平行和垂直两种不同几何配置下的拉曼散射光谱并对其特性做了研究。从实验上观察到了四类不同的晶格振动模:类ZnSe的TO和LO模以及类ZnS和类MgS的LO模,实验发现:在ZnSe和ZnSSe中加入Mg使得类ZnSe的TO和LO模的振动频率下降;同时,也使类ZnS模的频率随S的增加率减小。  相似文献   

15.
GIANTMAGNETO-IMPEDANCEINFe-BASEDSOFTFERROMAGNETICRIBBONSChenChenMeiLiangmoDepartmentofPhysics,ShandongUniversity,Jinan250100...  相似文献   

16.
ComparisonStudyofTwoMehodsforRealizingReal-timeHigh-efficiencyJTCGEBaozhen;QINYuwen;ZHANGYimo;HUANGZhanhua;ZHANGHong(Institut...  相似文献   

17.
THEMACQMCALCULATIONOFTHETOTALENERGYCURVEFORTHEICOSAHEDRALCENTRALSTRUCTUREOFTHECLUSTERH-13ZhangJianping*LiPingGouQingquanInst...  相似文献   

18.
王义 《计算物理》2000,17(1):1-5
对于一个原子平均体积为V,温度为T的热力学系统,体系的Helmboltz自由能可以写为F(V,T)=Ec(V)+Fion(V,T)+Fel(V,T)+Fman(V,T)其中Ec为0-K冷能。对于其中的电子热激发贡献Fel,目前流行的有三种计算方案,即:Moruzzi的Debye-Grueneisen方案、Moriarty的MGPT方案和Wasserman的CELL模型方案。Debye-Gruene  相似文献   

19.
以GGA-LAPW冷能计算为基础,应用经典统计理论计算了铁的Hugoniot性质,包括:P-V曲线、P-T曲线、热容、Grueneisen参数,计算结果基本上与实验符合。  相似文献   

20.
利用π-A等温线、小角X射线衍射(SAXD)和光学测量方法研究了一种取代富勒烯(C60-Be)LB膜的结构特性。纯C60-Be分子以体相(bulkphase)的形式存在于气-液界面上。氮冠(醚)(NC)分子作为隔层材料,与C60-Be分子相混合可以制备性能优良的LB膜。π-A、吸收和小角X光衍射测量表明:这种混合膜结构的改善是由于C60-Be分子镶嵌在NC分子的双脂链之间造成的。通过测量三次谐波产生(THG)可以推出C60-Be的三阶非线性系数χ(3)=2.1×10-11esu。  相似文献   

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