聚乙烯咔唑超分子膜／p－Si体系的表面光电压谱研究

利用ＬＢ技术，以二十碳酸作辅助成膜材料，在疏水处理的Ｐ－Ｓｉ上分别制备了２、４、６、１０和２０层聚乙烯咔唑（ＰＶＫ）超分子膜。对这种体系的表面光电压谱（ＳＰＳ）研究结果表明，表面光电压随ＰＶＫ膜层数的增加而增强，在紫外区增强较为明显。随着膜层数的增加，表面光电压有趋于饱和的趋势。膜对基底的敏化主要是由于ＰＶＫ的光导电性引起的。     

高聚物—富勒烯体系薄膜微微秒三倍频效应研究

采用５０ｐｓ的１．０６ｕｍ的基频光，对用物理喷束沉积方法制备的聚乙烯咔唑Ｐｏｌｙ－富勒烯组合薄膜进行三倍频信号测量。在ＰＶＫ／Ｃ６０分层膜与混合膜中观测到三倍频信号增强，考虑到两者之间的电荷转移效应，在分层膜中，把该三阶非线性增强归因于ＰＶＫ与富勒烯Ｃ６０之间的电荷转移所生成的载流子引起的电偶极矩和极化强度增强，在混合膜中，则是电荷转移所生成的络合物起主要作用。     

CdS薄膜的染料敏化

用ＬＢ方法在电沉积ＣｄＳ薄膜上修饰了ＰｃＣｕ单分子膜，并利用表面光电压谱对ＣｄＳ薄膜与ＰｃＣｕ修饰的ＣｄＳ薄膜进行了测试。结果表明，修饰后的ＣｄＳ薄膜其表面光电压值提高约５０倍，并且光电压响应由３００－５００ｎｍ扩展为３００－７００ｎｍ。紫外－可见偏振光谱测试表明，ＬＢ膜中酞菁环的取向角为４５度。     

新型物理喷束淀积技术制备富勒烯薄膜

建立了一套新型物理喷束淀积装置，并且成功地进行了薄膜制备工作，所制备的薄膜包括Ｃ６０，Ｃ７０，ＰＶＫ，ＰＶＫ／Ｃ６０等薄膜，并测量了物理喷束淀积技术制备得的Ｃ６０薄膜，ＰＶＫ／Ｃ６０混合膜的吸收光谱，荧光光谱，时间分辨率荧光光谱，与Ｃ６０等薄膜的高真空蒸发膜的相应光谱进行了比较，结果表明，物理喷束淀积可以制备具有很好质量的高抗光损伤薄膜，薄膜的荧光衰减特性与蒸发膜有很大差别。采用该法制备的ＰＶＫ／     

C60与聚乙烯咔唑（PVK）键合物和共混物在紫外激光作用下的碳笼增强融合

用飞行时间质谱测量３０８ｎｍ激光熔蚀Ｃ６０化学修饰的聚乙烯咔唑（Ｃ６０－ＰＶＫ）与Ｃ６０／聚乙烯咔唑共混物（Ｃ６０／ＰＶＫ）的产物分布，分析了正负离子质谱，发现明显的碳笼融合现象。比较分析了融合过程的增强机理，认为Ｃ６０与ＰＶＫ间的化学键合以及电荷转移络合分别在Ｃ６０－ＰＶＫ键合物和Ｃ６０／ＰＶＫ共混物的富勒烯融合过程中起了重要作用。     

有机薄膜电致发光器件结构与发光特性的研究

从有机电致发光薄膜的发光机理出发，通过以Ａｌｑ薄膜器件、ＰＶＫ为空穴传输层和Ａｌｑ为发光层的双层 及ＰＶＫ掺荧光材料Ｐｅｒｙｌｅｎｅ的双层薄膜器件的研制，从器件的电致姚谱、电流密度－电压特性、亮度－电压特性的曲线的测试结果，计算分析了器件的流明效率、量子效率，并对有机薄膜电致发光器件的结构与发光特性之间的关系进行研究，利用能级理论分析了器件的姚特性随器件的结构不同所具有的规律。实验表明，加入ＰＶＫ     

PVK/C_(60)组合体系薄膜的拉曼光谱和荧光光谱研究

我们采用物理喷束淀积技术制备了Ｃ６０、Ｃ７０及聚乙烯咔唑ＰＶＫ／Ｃ６０的混合和分层薄膜，拉曼光谱的测量表明，这种技术所制备的富勒烯薄膜中，富勒烯的笼型结构仍保持完整，而在ＰＶＫ／Ｃ６０组合薄膜中，拉曼光谱及荧光光谱测量表明：在ＰＶＫ和Ｃ６０分子之间存在激发传递过程，在混合膜中，这种激发传递过程要明显强于分层组合薄膜。     

表面增强拉曼光谱研究聚乙烯咔唑(PVK)在银表面的吸附状况

ＰＶＫ表面增强光谱及粉末拉曼光谱的对比分析表明,ＰＶＫ分子是通过杂五环和邻 双取代苯环同衬底银表面吸附的,且ＰＶＫ分子与银原子之间存在电荷转移。     

MPS结构中的光生伏特现象

报道了金属／多孔硅／单晶硅结构（ＭＰＳ）中光生伏特效应研究的最新结果，给出了该结构的光谱响应曲线，发现该结构在１１００—３５０ｎｍ波长范围具有明显的光谱响应．还测量了开路电压随温度、光照波长及光照强度的变化关系，发现开路电压随温度的降低近似线性增加，其温度系数对于金／多孔硅结构约为２.０ｍＶ／Ｋ，对于铝／多孔硅结构约为２.８ｍＶ／Ｋ，与单晶硅及非晶硅太阳电池的温度系数相近，但ＭＰＳ结构的开路电压随光强的增加不满足对数关系．结果表明，在ＭＰＳ结构中金属／多孔硅肖特基结对光生伏特效应起了主要作用，而多孔硅／单晶硅异质结的作用是与此相反的 关键词：     

细菌视紫红质（BR）的表面光电压谱研究

采用表面光电压谱系统地研究了细菌视紫红质的光伏特性，结果表明ＢＲ薄膜有着独特的光电性质，并且与ＢＲ薄膜的制备方法和湿度有关，从经过ＨＥＰＥＳ修饰的ＢＲ表面光电压谱，观察到了ＢＲ的中间体Ｍ４１２和Ｏ６４０响应峰。说明ＨＥＰＥＳ对ＢＲ中间体的稳定作用，这些现象可由ＢＲ的光循环和光电压产生机理来解释。     

钒氧酞菁多晶薄膜的稳态光电压特性研究

报道了Ａｌ／ＶＯＰｃ／ＩＴＯ夹心结构在稳态连续光照射下的光电压作用谱，稳态光电压作用谱不仅依赖于照射光的波长，而且依赖于ＶＯＰｃ（钒氧酞菁）多晶薄膜的堆积方式，对ＶＯＰｃ在相１，相１１，及α型三种堆积方式的稳态电压波长响应进行了研究，并对其内在机制作了初步探讨。     

测试温度对nc—Si：H膜光致发光特性的影响

利用常规等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺制备了ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜，并对其光致发光（ＰＬ）特性从１０－２５０Ｋ温度范围内进行了变温测量，实验结果指出，随着测试温度升高，ＰＬ峰值能量发生了５４ｍｅＶ的红移，ＰＬ强度在Ｔ〉８０Ｋ后呈指数下降趋势，ＰＬ峰值能量的红移起因于带隙收缩，而ＰＬ强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用。     

CuPc／InP（O／I）异质结的电学特性及其引起的Raman效应

本文首次报导了ＣｕＰｃ／ＩｎＰ，Ｈ２Ｐｃ／ＩｎＰ（Ｏ／Ｉ）异质结的整流（Ｊ－Ｖ）特性和电容电压（Ｃ－Ｖ）特性，并研究了Ｏ／Ｉ界面态对ＣｕＰｔ ＬＢ膜Ｒａｍａｎ光谱的影响，这种影响导致了ＣｕＰｃ ＬＢ膜分子产生了新的正则振动模。     

测试温度对nc-Si∶H膜光致发光特性的影响

利用常规等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，并对其光致发光（ＰＬ）特性从１０～２５０Ｋ温度范围内进行了变温测量．实验结果指出，随着测试温度升高，ＰＬ峰值能量发生了５４ｍｅＶ的红移，ＰＬ强度在Ｔ＞８０Ｋ后呈指数下降趋势．ＰＬ峰值能量的红移起因于带隙的收缩，而ＰＬ强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用．     

百焦耳KrF激光用二极管的实验

描述了脉宽１００ｎｓ强流脉冲电子束单向泵浦百焦耳级ＫｒＦ准分子激光用大面积二极管的实验研究。采用１２ｃｍ×７５ｃｍ长方形碳毡阴极，３０μｍ厚铝膜或九根间距１３ｍｍ，直径１．３ｍｍ的金属丝组成的阳极。当阴阳极间距为２０～２２ｍｍ，Ｍａｒｘ发生器电压１．１～１．２ＭＶ时，二极管峰值电压为６２０～６７０ｋＶ，峰值电流１５０～１７０ｋＡ，电子束总能量大于８ＫＪ，使电子束泵浦ＫｒＦ激光器最大输出能量达１０６Ｊ。     

2N+1阶KdV型方程的孤波解

获得了２Ｎ＋１阶ＫｄＶ型方程的显式精确孤波解．作为特例，讨论了高阶广义ＫｄＶ型方程、高阶广义ＭＫｄＶ型方程和高阶广义Ｓｃｈａｍｅｌ的ＭＫｄＶ型方程．还研究了２Ｎ＋１阶ＫＰ型方程 关键词：     

高质量的光刻胶图型及它对Nb／AlOx—Al／Nb隧道结制备的影响

本文用选择铌膜刻蚀或选择铌膜阳极氧化过程研究了全铌隧道结Ｎｂ／ＡｌＯｘＡｌ／Ｎｂ的制备．借助于ＳＥＭ，利用曝光后烘烤处理研究了高质量光刻胶图形的制备工艺，并分析了其对铌结特性的影响．结面积为７μｍ２的铌结具有典型的ＩＶ曲线，在４．２Ｋ时，他们的特性参数Ｖｍ～２０ｍＶ，能隙电压Ｖｇ～２．７ｍＶ，临界电流密度Ｊｃ～３０００Ａ／ｃｍ２，比电阻ρｎ～１μΩｃｍ２．这些铌结能够被直接应用于ｄｃＳＱＵＩＤ．     

TI膜微桥隧道结的低频1／f噪声

我们在７７Ｋ下测量了ＴＩ膜微桥结的低频１／ｆ电压噪声和Ｉ－Ｖ特性曲线并得到了１０ＨＺ下偏置电流和电压噪声关系．实验结果表明在临界电流附近总有噪声峰出现．在不同的磁场下冷却样品，噪声峰的幅度并不改变．这一结果意味着ＴＩ膜微桥隧道结的１／ｆ噪声主要来自于临界电流的涨落，而不象是由于磁通捕获造成的．     

分数量子霍尔效应的新理论

在经典霍尔效应中 ,霍尔电压ＶＨ 线性正比于垂直方向的外场Ｂ⊥ ,并且沿电流方向的纵向电压Ｖ∥ 也随Ｂ⊥ 的增加而连续上升 .1980年 ,冯·克里青 (ＫｌａｕｓｖｏｎＫｌｉｔｚｉｎｇ)用半导体场效应晶体管进行霍尔测量 ,研究被限制在二维平面内的电子运动 .他发现 ,在极低温和强磁场的条件下 ,霍尔电压ＶＨ 不再随外场的增加而线性增加 ,而是 (在ＶＨ-Ｂ⊥ 图上 )表现为一连串ＶＨ =常数的阶跃平台 .与一个个平台相对应的霍尔电阻ＶＨ Ｉ(Ｉ是纵向电流 )恰好等于物理常数ｈ ｅ2 除以一个整数ｉ(ｉ=1,2 ,3,4 ,… ) .克里青的发现后来被称为…     

富铬酵母中14种元素的ICP-AES测定

本文用ＩＣＰ－ＡＥＳ法同时测定富铬酵母中Ｋ、Ｆｅ、Ｐ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｖ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃａ１４种元素的含量。结果表明，富铬酵母中的铬对其他元素的浓度有一定影响，并且，Ｋ、Ｍｎ、Ｐ、Ｖ、Ｍｇ、Ｃａ的浓度明显低于普通酵母。