氖的高离化态离子激发光谱和能级寿命测量

采用束箔技术研究47MeV能量的氖离子和不同材料、不同厚度的C箔(39μg/cm²)和Al箔(3.4mg/cm²)相互作用,产生高离化态的类H(Ne X)、类He(Ne Ⅸ)、类Li(Ne　Ⅷ)、类Be(Ne　Ⅶ)等少电子离子,并测量了这些离子的激发光谱和能级寿命.     

软X射线激光增益实验研究

在中国科学院上海光机所的六路激光装置和LF12激光装置上成功地进行了复合泵浦软X射线激光增益实验。利用自制的一维空间分辨掠入射光栅光谱仪和针孔透射光栅光谱仪研究了线聚焦激光辐照平板靶产生的线状等离子体中铝和硅的类锂离子的自发发射放大(ASE)性能。测量了不同长度的线状等离子体的沿轴向发射的类锂铝和硅离子谱线的时间积分强度,结果证实类锂A¹⁰⁺离子的5f-3d跃迁(波长105.7)和Si¹¹⁺离子的5f-3d跃迁(波长88.9)、5d-3p跃迁(波长87.3)等谱线的强度随等离子体长度非线性增长,相应的增益系数分别为3.1±0.9,1.5±0.5和1.4±0.5cm^-1,最大增益长度乘积约为2.5。本实验是首次观察到类锂Si¹¹⁺离子的5f3-d和5d-3p跃迁的激光增益,X软射线激光波长已短于100。特别有意义的是,上述结果是在低的泵浦激光功率密度条件下取得的。研究表明,采用类锂复合机制,有可能在我们现有的激光驱动装置上将软X射线激光推进到“水窗”(43.8—23.3)波段。     

ZnS:Cr2+晶体中Cr2+杂质离子的EPR参量及其占位

本文基于 ZnS:Cr²⁺晶体中 Cr²⁺杂质离子处于八面体有效晶场(D_2d畸变)理论模型,通过考虑对基态有较大影响的所有低自旋态的贡献后,建立了一组维数较大曲 d⁴(D_2d^*)不可约表示强场能量矩阵.利用矩阵的特征值、特征矢量以及相应的EPR 参量理论公式,对 ZnS:Cr²⁺晶体的精细光谱、基态 ZFS,EPR 参量(g,g,D,E,F,α)、基态 Zeeman 能级以及 EPR 条件(B,v)进行了系统的理论分析与计算.结果与实验值符合很好.从而确立了 ZnS:Cr²⁺晶体中 Cr²⁺杂质离子的环境晶场系 D_2d畸变八面体结构.ZnS:Cr²⁺晶体的光、磁性质与 Cr²⁺杂质离子的八面体晶场结构特征密切相关.     

激光烧蚀La-Ca-Mn-O反应产物的角分辨和时间分辨质谱研究

研究了 5 32nm脉冲激光烧蚀La₂-O₃-CaO-MnO₂ 混合氧化物的反应 .在较高的激光能量密度下 ,烧蚀反应生成了高平动能的La ,Ca和Mn的离子、原子以及多种不同价态的金属氧化物 .由时间分辨质谱测得的飞行时间谱可用带质心速度的Maxwell-Boltzmann分布拟合 ,并由此得出Mn⁺离子的最可几平动能为 6 34eV ,Mn原子的最可几平动能为 0 .43eV .对烧蚀产物的角分布测定表明 ,Mn⁺离子的角分布可用cosⁿθ描述 ,而Mn原子的角分布遵循acosθ + ( 1 -a)cosⁿθ公式 .同时 ,对La-Ca-Mn-O的激光烧蚀反应机理进行了讨论 .     

激光等离子体的快离子发射谱

本文报道用宽频带与窄频带Nd玻璃激光辐照平面CD₂,Al.Ta靶,靶面功率密度0.3～2×10¹⁴W/cm².在与光轴成39°方向放置Faraday筒观察靶面快离子发射的时间波形.打CD₂靶的快离子发射谱中,有表现C,D离子运动的两个峰;而打Al靶仅有一个峰,打Ta靶信号较弱.我们用激光场加速电子、离子获得高的平动能,又通过电子-电子、电子-离子的碰撞使得部分平动能转化为热能,电子、离子均被加热获得高温的理论模型计算了离子的平动能、温度与由实验的离子峰值及宽度定出的平动能与温度基本相符.也定性阐明了电子、离子温度与激光频带宽度的关系.     

耦合SchrÖdinger-BBM方程组所确定的整体流

研究耦合SchrÖdinger-BBM方程组的Cauchy问题,此方程组近似地描述了一维Langmuir波与离子声波相互作用的非线性动力学行为.在适当的条件下,证明该问题在L²×L²和H¹×H¹空间中的整体存在性.     

NH3+自由基离子的电子自旋共振

本文研究了俘获于掺杂VO⁺⁺离子的(NH₄)₂Zn(SO₄)₂·6H₂O单晶中NH₃⁺自由基离子的ESR.从实验上分别测出π电子自由基NH₃⁺的¹⁴N和¹⁵N核超精细分裂.结果表明,氮核超精细偶合张量具有近似于圆柱形对称。对于¹⁵N来说,A₁₁=44.8,A₂₂=19.3,A₃₃=17.8高斯.对于¹⁴N来说,A₁₁=31.1,A₂₂=12.5,A₃₃=11.8高斯.在室温下,NH₃⁺自由基绕A₁₁方向作圆锥体运动.文中最后讨论了NH₃⁺自由基离子的可能生成机理。     

O5+离子与He原子碰撞引起的可见光发射

用光学方法测量了O⁵⁺离子(4.06～5.31 kev·amu^-1)与He原子碰撞引起的200～800nm波长范围的可见光发射谱。分析表明,在O⁵⁺与He碰撞中存在着入射离子的单电子俘获激发和双电子俘获激发以及靶原子直接激发过程,并且有较高nl态间的跃迁。经计算得到了各发射谱线的绝对发射截面,并探讨了这些发射截面与入射离子能量之间的依赖关系。     

重离子轰击过的MoS2表面的扫描隧道显微镜观测

本文使用SSX-1A型扫描隧道显微镜(STM),观察了由13.4MeV/N的Au轰击过的MoS₂样品表面.为有更多机会得到损伤象,使用了较高离子注量(1×10¹³cm^-2),得到了多幅不同面积的原子分辨清晰的STM象.在同一幅图象中既有规则的原子排列,又存在着离子轰击造成的损伤径迹.经Fourier变换掩模处理后的图象,发现高出的表面和坑底都有局部小范围有规则的原子排列.入射离子数与坑数大体上有一对一的关系.     

多电子转移研究的符合关联实验测量系统

对近代物理研究所建成的用于研究高电荷态离子与原子碰撞中多电子转移过程的符合关联实验测量系统;该系统的飞行时间谱仪、位置灵敏探测器、多参数数据获取系统分别进行了介绍;给出了利用加速器提供的离子束Ar¹²⁺→Ar调试的反冲氩离子飞行时间谱仪和O²→He离子束调试位置灵敏探测器的实验结果,给出了104keV的Ar⁸⁺+Ar碰撞的最新实验结果,并对Ar⁸⁺+Ar反应的二维关联谱的结果进行了分析,研究鉴定了这一碰撞反应中的多电子转移过程和残余气体引起的多次碰撞.     

两类万有膨胀移位的刻划

本文具体刻划了这样两类万有膨胀移位算子:A_^?0)类单边加权移位和(BCP)_θ类单边加权移位.由此我们回答了一些有关问题.     

新概念下的Sn掺杂(La1-xSrx)2Cu1-xSnxO4超导体的MÖssbauer谱研究 *

对新概念指导下而设计的 (La_1-xSr_x)2Cu_1-xSn_xO₄超导体进行了¹¹⁹Sn M_Össbauer谱研究 .对不同掺杂量样品的系统研究表明 ,M_Össbauer谱实验结果进一步证实了Sn以Sn⁴⁺价态存在并占据Cu晶位 ,不存在占据La晶位的Sn^{2 +}离子 .Sn⁴⁺离子附近的局域晶格畸变较小 ,但是随Sn掺杂量有增加趋势 .在对La₂ CuO₄母体进行Sr和Sn同时掺杂所引入的载流子对超导电性的影响存在新的机制 .在新的额外氧机制下 ,讨论了Sn掺杂所导致的额外氧对超导电性的影响 .     

高电荷态离子O5+与He原子碰撞中单电子俘获激发过程

本文在O⁵⁺离子与He原子碰撞中,测量了OV单态、OV三重态和Hell双重态的发射谱,经过计算得到了谱线的发射截面.实验结果表明:(1)在入射离子能量范围60—80keV内,仅仅观察到单电子俘获激发过程;(2)非绝热位势图所预期的激发能级同本实验结果是一致的.     

连分数与类数及其他

本文用连分数给出虚二次域的类数公式,见文中的定理4.结合Hirzebruch和zagier的结果(定理5),就完全了用连分数给出虚二次域的类数公式的结果.另外还讨论了一类虚二次域类数的可除性,即有 定理6.设l,q均为正整数,且q≥2.如0>△=1-4q^l为无平方因子整数,则l除尽虚二次域(Q(△^1/2)的类数. 文献[6]中,用了代数几何方法证明了当l为奇素数时的情形,本文只用初等方法.最后,文中给出了一个实二次域类数的初等公式.     

ZnS∶Mn2+纳米晶钠硼硅玻璃复合体的EPR研究 *

用熔融法制备了ZnS∶Mn²⁺不同含量的钠硼硅玻璃 .发光和激发光谱测量发现Mn离子可能占据替位 (Mn²⁺) _sub和间隙 (Mn²⁺) _int两种格位 .进一步的电子顺磁共振(EPR)实验证实了这一判断 ,并从EPR谱确认了(Mn²⁺) _sub,(Mn²⁺) _int和Mn团 3种格位态的存在 .观测到g因子和超精细结构(HFS)常数随纳米晶粒径的减小而增大 .这可能是由于量子限域效应下ZnS的sp³ 和Mn的3d⁵电子态杂化和表面态所引起的 .     

光折变材料KNSBN:Cu

本文系统报道了KNSBN:Cu晶体的生长和光折变性能,分析了铜离子影响光折变性能的机制。研究表明:由于铜离子在能隙中形成深能级,电子迁移率下降;同时,光折变有效电荷复合中心浓度增加,两波耦合增益系数增大到纯KNSBN晶体的两倍,光折变灵敏度达 10^-3cm²/J的数量级,而光折变性能受直流电场的影响减弱.KNSBSN:Cu晶体的自泵浦位相共轭反射率达65%,响应时间小于8s。     

硅中分子离子注入的损伤增强效应

本文研究了单晶硅中磷分子离子(P₂⁺)注入相对于磷原子离子(P⁺)注入的损伤增强效应,系统分析了这种损伤增强效应与注入剂量、能量、靶温的关系以及注入后退火的特征,利用我们提出的离子注入时分子离子与靶原子的多体碰撞模型对其物理机制进行了讨论.     

d8(C3v*)EPR理论与CsMgCl3:Ni2+的光、磁性质研究

本文给出了O_h点群表象中的d^2,8(C_3v^*)完全强场矩阵,并借助于这种矩阵的特征值和特征矢量,建立了CsMgX₃:Ni²⁺(X=Cl,B,I)类晶体的全组态混合EPR理论。应用这一理论,对CsMgCl₃晶体中的Ni²⁺杂质离子的光学吸收谱、基态零场分裂参量D、顺磁g因数、基态Zeeman分裂以及EPR条件(B,hv₀)进行了统一的计算。结果与观测非常一致,从而首次对CsMgCl₃:Ni²⁺的光、磁性质作出了统一的理论解释。     

相对化概率算法类与非确定算法类的强分离

本文提出并讨论了多项式时间概率型算法复杂度语言类与指数时间非确定型算法复杂度语言类的强分离(即带禁集证据的分离)问题,获得并证明了存在一个递归Oracle集A使得在多项式时间有界错误概率复杂度语言类BPP^A中存在NEXT_k^A禁集,这里NEXT_k^A=∪NTIME^A(2^_cnk)表示计算时间限界于O(2^_nk)的指数时间非确定型算法所接受的语言类;我们指出,Oracle集A可以一致地对k构成并列举熟知的语言类P,NP,U,R,BPP,PP,∑₂^p,∏₂^p,Δ₂^p以及交互式证明系统语言类MA,AM,IP等之间的30余种强分离关系作为本文结果的直接推论.     

实二次域类群的启发式论据与结果

对一些类型实二次域的类数h经常含一个固定素数因子p的现象进行了研究 .发现是由于存在一种素理想 ,其p次幂为主理想 .由此给出了Cohen Lenstra启发式论据对此情形的改进 ,即预言理想类数h是素数p的倍的概率为1 - ( 1 -p^-1) ( 1 -p^-2 )… .用同样的想法 ,进而预言所考虑的素理想代表的类P的阶确实为p的概率为1 /p.所得到的这两种概率与计算结果都有很好的符合.