柔性透明导电薄膜(ITO)简介

柔性透明导电薄膜 (ITO)是一种新型半导体材料 ,目前主要依赖进口 ,但价格昴贵 ,国内生产厂家较少。深圳市北庆薄膜技术有限公司经多年研制、开发 ,形成了年生产 5 0 ,0 0 0 M透明导电膜(ITO) ,产品质量完全可以替代同类进口产品。北庆公司所生产的导电膜具有重量轻、体薄、导电性能好、透过率高、耐冲击、可弯曲、可任意冲裁加工等优点 ,该产品可以用作光电子器件的透明电极、电磁静电屏蔽的透明视窗、观察窗以及防霜加热膜 ,还可以用在特殊要求的透明器件上作防静电包装 ,在某些方面它可以取代导电玻璃 ,并且可以开拓许多导电玻璃所不…     

柔性透明导电薄膜(ITO)简介

柔性透明导电薄膜（ＩＴＯ）是一种新型半导体材料，目前主要依赖进口，但价格昂贵，国内生产厂家较少．深圳市北庆薄膜技术有限公司经多年研制、开发，形成了年生产５０，０００Ｍ透明导电膜（ＩＴＯ），产品质量完全可以替代同类进口产品．北庆公司所生产的导电膜具有重量轻、体薄、导电性能好、透过率高、耐冲击、可弯曲、可任意冲裁加工等优点，该产品可以用作光电子器件的透明电极、电磁静电屏蔽的透明视窗、观察窗以及防霜加热膜，还可以用在特殊要求的透明器件上作防静电包装，在某些方面它可以取代导电玻璃，并且可以开拓许多导电玻…     

In_2O_3和SnO_2透明导电膜

In_2O_3、SnO_2膜层具有透明导电的优良特性,可做各种光电元件上用的透明电极膜和防雾、防霜用的表面发热膜,以及利用其光学特性做红外反射膜等。这种膜层在电学和光学领域里有着广泛的用途,特别是最近在电手计算机、手表的液晶显示上得到了普遍应     

柔性透明导电薄膜(ITO)简介

柔性透明导电薄膜 (ＩＴＯ)是一种新型半导体材料 ,目前主要依赖进口 ,但价格昴贵 ,国内生产厂家较少。深圳市北庆薄膜技术有限公司经多年研制、开发 ,形成了年产 50 ,0 0 0ｍ2 透明导电膜 (ＩＴＯ)的能力 ,产品质量完全可以替代同类进口产品。北庆公司所生产的导电膜具有重量轻、体薄、导电性能好、附着力强、透过率高、耐冲击、可弯曲、可任意冲裁加工等优点。该产品可以用作光电子器件的透明电极、电磁静电屏蔽的透明视窗、观察窗以及防霜加热膜 ,还可以用在特殊要求的透明器件上作防静电包装。在某些方面它可以取代导电玻璃 ,并且可以开…     

柔性透明导电薄膜(ITO)简介

柔性透明导电薄膜 (ＩＴＯ)是一种新型半导体材料 ,目前主要依赖进口 ,但价格昴贵 ,国内生产厂家较少。深圳市北庆薄膜技术有限公司经多年研制、开发 ,形成了年产 50 ,0 0 0ｍ2 透明导电膜 (ＩＴＯ)的能力 ,产品质量完全可以替代同类进口产品。北庆公司所生产的导电膜具有重量轻、体薄、导电性能好、附着力强、透过率高、耐冲击、可弯曲、可任意冲裁加工等优点 ,该产品可以用作光电子器件的透明电极、电磁静电屏蔽的透明视窗、观察窗以及防霜加热膜 ,还可以用在特殊要求的透明器件上作防静电包装 ,在某些方面它可以取代导电玻璃 ,并且可以开…     

专利选报

先前的树脂型场致发光屏是把场致发光材料分散在介电常数较大的树脂中,然后再在这样做好的发光层上做上一对电极即成。如图所示,在一个带有氧化锡透明电极层1的透明基板2上涂以一种分散在树脂中的场致发光材料,干燥之后,做成发光层3,然后再真空蒸发A1等,做上第二电极4。为了改善发光,提高发光层的耐压,在电极和发光层3之间往往加以反光层5。 从前,为了提高树脂型场致发光屏的亮度,其办法主要是把发光材料分散在介电常     

透明导电薄膜研究现状

一 透光率高电阻率低的透明导电薄膜,在飞机、航天飞行器和太阳能光伏电池诸方面,都有重要应用.具体地说,可用作电光显示器件的透明电极;超大口径电光快门透明电极;飞行器上防霜加热玻璃窗;防反射多层膜以及特制毛玻璃等.透明导电薄膜,有各种制备材料及制膜方法.制备材料有金、钢等纯金属和金属氧化物.金属氧化物中,目前最好的材料为SnO2和In2O3等.获得透明导电膜的方法,通常有下列几种.1.蒸熏法 把SnO2等金属氧化物和被镀基片放在特制烘炉,加热到一定温度(约+70°C),在热空气中SnO2被气化蒸熏于基片上.2　喷镀法 在烘炉中加热基片到一…     

基于铝浸润层的超薄银透明导电薄膜研究北大核心CSCD

超薄银薄膜具有高柔韧性和优良的光电性能,是用于透明导电电极的潜在材料。通过电阻热蒸发技术以金属铝作为浸润层制备超薄银透明导电薄膜。引入铝浸润层降低银薄膜的阈值厚度,使银薄膜在K9玻璃基底上以尽可能低的厚度达到连续。对不同厚度铝浸润层上银薄膜方块电阻进行测试,经SEM图像验证后得出,1 nm铝浸润层对银薄膜具有较好的浸润效果。随后采用相同的工艺在1 nm铝浸润层上制备了不同厚度的银薄膜,透过率和方阻测试结果表明,1 nm铝浸润层上制备的10 nm银薄膜方阻值可达到13Ω/,其在0.4μm~2.5μm波段内透过率可达到50%以上。     

紫外波段高透过率铜铟掺杂SnO2薄膜的研究

采用反应蒸发的方法,在玻璃、Corning7059玻璃及石英玻璃衬底上制备了SnO₂:(Cu,In)透明导电薄膜,对薄膜的各种元素的含量做了分析, 给出了各种元素在膜中的分布情况;测量了薄膜的透过率,结果显示个别样品对紫外线有较高透过率,退火过程对透过率有影响.测量了电阻率与温度的关系,同时解释了样品的阻-温特性.对材料的光学带隙与吸收系数的关系做了讨论,给出了用透过率曲线确定光学带隙的简易方法.讨论了扩展态迁移率与迁移率边和费米能级之间的关系.结果显示,用铜、铟掺杂的氧化锡透明导电 关键词： 金属氧化物薄膜 电阻率 光电特性     

磁控溅射制备本征ZnO/Ag/ZnO透明导电薄膜的性质研究

室温下采用射频磁控溅射氧化锌（ZnO）粉末靶、银（Ag）靶,在玻璃衬底上制备ZnO/Ag/ZnO透明导电薄膜。首先,ZnO厚度为30 nm时,改变Ag厚度制备3层透明导电薄膜,研究Ag层厚度及膜层间配比对光电性能的影响;其次,按ZnO∶Ag厚度比为30∶11比例制备不同厚度的3层透明导电薄膜,研究多层厚度对薄膜光电性能的影响。结果表明：Ag厚度为8 nm及11 nm的ZnO/Ag/ZnO表面相对平整,结晶程度较好,在可见光范围内最高透过率达到90%及86%,并且方块电阻为6 Ω/□及3.20 Ω/□,具有优良的光电性;当按配比制备ZnO/Ag/ZnO 3层膜时,增加ZnO厚度对Ag层的增透作用反而减弱,同时增加Ag层厚度也会降低3层薄膜的整体光学性。     

自组装高导电石墨烯薄膜的光谱特性表征

本文提出了一种石墨烯薄膜的自组装制备技术,获得了高导电、高透明的均匀石墨烯薄膜,并对其进行了参数测试和光谱特性研究。研究表明此方法制备的石墨烯薄膜具有杂质含量少、高导电、高透明、膜厚均匀可控等优点,其平均透过率达到80%,方阻最低可达到0.2Ω/sq,在透明电极和有机光电子学领域有重要应用前景。     

基于Sb_2O_3/Ag/Sb_2O_3叠层透明导电薄膜的自组装沟道透明薄膜晶体管

首次利用Sb2O3/Ag/Sb2O3(SAS)叠层透明导电薄膜作为透明电极,并采用衍射自组装沟道的方法研制了一种透明薄膜晶体管。通过一次掩模工艺,在电子束热蒸发过程中的SAS源漏电极之间制作沟道层。SAS透明导电薄膜具有优异的光电性能。研制的透明薄膜晶体管具有良好的器件性能,其迁移率高达11.36cm2/(V·s)。整个器件在可见光范围内的平均透过率为80%。结果表明,这种透明薄膜晶体管有希望应用于低成本透明光电子产品中。     

透明导电薄膜

<正> 引言金属薄膜和半导体薄膜都具有透明、导电和反红外线三种性能。我们镀制的掺锡(SnO_2)三氧化二铟(In_2O_3)薄膜,方电阻R_□=20±10Ω;可见光透光率T_(0.4～0.75)=(96±2)%,激光1.06μ透光率T_(1.06)=(92±2)%;对直径140㎜、厚12㎜的玻璃上镀膜后,施加28V的电压,经过5min可以从-45℃低温下上升到5℃;用功率50MW,能量500mJ的激光器连续2min600次发射激光冲击膜层,膜层未见损伤。本文将要介绍透明导电膜的分类、几种制备方法、透明导电膜的机理、镀膜的工     

蓝色有机电致发光材料OXD-7的合成及性能

重点研究了蓝色有机电致发光材料OXD-7的合成路线及提高产率的方法,并用自行设计加工的升华提纯装置进行两次OXD-7的升华提纯,可使产物纯度达到99.2%。通过真空镀膜制作出结构为ITO/CuPc/NPB/OXD-7/Alq₃/Mg-Ag/Al的器件,器件采用透明ITO导电玻璃作正极,依次真空蒸镀酞菁铜、NPB、OXD-7、Alq₃、Mg-Ag电极,最后在合金电极上覆盖一层很薄Al膜。膜厚由频率震荡计监测,测试了器件的光电性能以及寿命,研究并讨论了材料的纯度对器件寿命的影响。     

全溶液法制备有机发光二极管及PEIE浓度对器件光电性能的影响

对溶液化发光层成膜参数及电子传输层浓度进行调控,优化发光层成膜效果及器件发光性能,同时使用导电聚合物聚（3,4-乙烯二氧噻吩）-聚苯乙烯磺酸（PEDOT:PSS）作为透明阳极,刮涂导电银浆作为阴极,通过全溶液法制备了高效率的OLED。研究发现,发光层成膜参数的调整有效改善了其成膜效果。且适当的电子传输层材料浓度可以改善器件的载流子注入平衡,有效降低阴极的功函数,提高器件的发光性能;酸后处理的PEDOT:PSS薄膜导电性大大提升,在可见光范围的透过率与ITO相当。全溶液制备的发光器件最大电流效率为1.441 cd/A,与以ITO为电极的器件相比,增加了近50倍。     

用二氧化钛、二氧化硅和氟化镁膜料镀制0.4μm～1.1μm超宽带增透膜

对0.4μm~1.1μm超宽带增透膜的镀制工艺进行了研究。根据长期从事该工作的经验和对膜料性能的研究,结合国产设备的实际情况,在膜料的选取上主要考虑其透明光谱区域、折射率、材料的蒸发方式、机械特性、化学稳定性及抗高能辐射等因素;最终选择用二氧化钛、二氧化硅和氟化镁3种常用膜料镀制0.4μm~1.1μm超宽带增透膜。涉及该膜系的膜层共有8层,结构为:玻璃■H■M■H■M■H■M■H■L■空气■。制作工艺方便简单、稳定,制做的膜层具有较好的光谱和机械性能,满足光电仪器实际使用要求。     

等离子显示及其应用

如图一所示,由三片簿玻璃板组成,Ⅰ·Ⅲ是电极板,Ⅱ是有槽孔的槽板。电极面向外侧,相互垂直,槽孔位于电极的交点,将三片簿板重叠封固,排气、封入放电性气体。 从大面积考虑可以使用平面透明并且成本低的钠钙石灰玻璃(Soda Lime glass)。也可以在一块厚板玻璃上做透明电极,再涂以透明介质如图三所示。也可以做成不用槽板的     

基于蛋清栅介质的超低压双电层薄膜晶体管

新一代环保、生物兼容性电子功能器件受到了广泛关注.本文采用具有高质子导电特性的天然鸡蛋清作为耦合电解质膜制备双电层薄膜晶体管,该薄膜晶体管以氧化铟锡导电玻璃为衬底和底电极,以旋涂法制备的鸡蛋清为栅介质,以磁控溅射沉积的氧化铟锌为沟道和源漏电极.实验结果表明,这种基于鸡蛋清的栅介质具有良好的绝缘性,并能在其与沟道界面处形成巨大的双电层电容,从而使得该类晶体管具有超低工作电压（1.5 V）、低亚阈值（164 mV/dec）、大电流开关比（2.4×10⁶）和较高的饱和区场效应迁移率（38.01 cm²/（V· s））.这种以天然鸡蛋清为栅介质的超低压双电层TFTs有望应用于新型生物电子器件及低能耗便携式电子产品.     

用粉末靶在玻璃和PI衬底上制备AZO/Ag/AZO薄膜

室温下在玻璃和聚酰亚胺两种不同衬底上, 采用射频磁控溅射法溅射掺铝氧化锌(AZO)粉末靶和固体Ag靶, 制备了两组AZO/Ag/AZO 3层透明导电薄膜, 研究了AZO层厚度对不同衬底3层膜结构和光电性能的影响.结果表明:不同衬底的两组AZO/Ag/AZO薄膜均为多晶膜.当Ag层厚度不变时, 随着AZO层厚度的增加, 两组薄膜电学性能变化不大, 透射峰向长波方向移动.玻璃和PI衬底上制备的AZO(30 nm)/Ag(14 nm)/AZO(30 nm)薄膜, 在550 nm处的透光率分别为85%和70%, 方块电阻分别为2.6 Ω/□和4.6 Ω/□.     

用二氧化钛、二氧化硅和氟化镁膜料镀制0．4μm-1．1μm超宽带增透膜

对0．4μm-1．1μm超宽带增透膜的镀制工范进行了研究。根据长期从事该工作的经验和对膜料性能的研究，结合国产设备的实际情况，在膜料的选取上主要考虑其透明光谱区域、折射率、材料的蒸发方式、机械特性、化学稳定性及抗高能辐射等因素；最终选择用二氧化钛、二氧化硅和氟化镁3种常用膜料镀制0．4μm-1．1μm超宽带增透膜。涉及该膜系的膜层共有8层，结构为：│玻璃│H│M│H│M│H│M│H│L│空气│。制作工艺方便简单、稳定，制做的膜层具有较好的光谱和机械性能，满足光电仪器实际使用要求。