掺杂立方AgBr乳剂介电频谱的研究——Ⅰ.Cd++、Cu++离子的影响

测定了立方AgBr乳剂经添加不同量Cd(NO₃)₂、CdCl₂、CdBr₂、Cu(NO₃)₂、CuCl₂、CuBr₂、KCl和KBr以后的介电频谱,发现Cd⁺⁺离子只有在卤素离子存在的情况下才能进入AgBr微晶的表面层晶格,使AgBr微晶表面层内填隙银离子浓度降低,从而使AgBr乳剂的介电吸收峰明显向低频方向偏移.Cu⁺⁺离子很难进入AgBr微晶的表面层晶格,因而对介电吸收峰的位置和形状没有明显影响.这种差别可能主要是由于Cd⁺⁺和Cu⁺⁺离子的离子半径、电子层构型及晶体中的配位情况不同所引起的.最后,对Sillars方程应用于照相乳剂体系的条件作了初步探讨.     

掺杂立方AgBr乳剂介电频谱的研究Ⅱ.Ⅰ-离子的影响

本文测定了用0.1—2.0mool%的I^-进行表面掺杂的单分散立方AgBr乳剂的介电吸收谱。经分析证实,在本实验掺杂浓度范围内,99%以上的I^-取代了AgBr微晶表面层晶格上的Br^-。随I^-掺杂量的增大,样品的介电吸收峰明显向高频方向位移。当掺杂量为1mol%时,样品的介电吸收峰频率已很接近纯AgI乳剂的介电吸收峰频率。继续增大掺杂量,则介电吸收峰不再向高频方向位移。 由上述结果可以看到,在连续相介质保持不变的条件下,由界面极化效应产生的介电吸收峰的形状和频率位置受分散相颗粒表面层物质的组成与结构影响很大。用I^-对AgBr微晶进行表面掺杂,可以使AgBr微晶的表面电导率明显增大。     

掺杂立方AgBr乳剂介电频谱的研究——Ⅲ.硫的影响

本文研究了用1×10^-5mol～1×10^-2mol Na₂S₂O₃/mol AgBr和1×10^-4mol～1×10^-2mol Na₂S/mol AgBr掺杂的立方AgBr乳剂的介电吸收频谱.发现在我们的实验条件下,当Na₂S₂O₃的加入量小于1×10^-4mol/mol AgBr时,Na₂S₂O₃,在AgBr微晶上吸附的影响占主要,样品介电吸收峰的f_max稍向低频方向位移,f_max位移量(△log f_max)的大小与AgBr微晶的表面状况有关.当Na₂S₂O₃的加入量大于1×10^-4mol/mol AgBr时,Na₂S₂O₃对AgBr微晶表面的溶蚀的影响逐渐占优势,使AgBr微晶表面的结构不均匀性增加,同时乳剂的pAg上升,结果样品的f_max逐渐向高频方向移动,介电吸收峰亦相应展宽.Na₂S的加入量小于1×10^-3mol/mol AgBr时,样品的f_max有稍向低频位移的趋势.当将掺Na₂S的样品干燥后在75℃和110℃下放置6小时后,f_max明显向高频方向移动.     

掺杂正八面体AgBr乳剂介电频谱的研究-I离子的影响

本文研究了用不同量的I~-(1×10~(-3)-4×10~(-2)mol I~-/mol AgBr)进行表面掺杂的正八面体AgBr乳剂的介电吸收频谱,并用强X射线光源相应作了多晶X射线物相分析。当I~-的加入量小于1×10~(-2)mol/mol AgBr时,介电吸收峰随加入I~-量的增加而逐渐向高频方向位移。吸收峰弥散,分布很宽。当I~-的加入量大于1×10~(-2)mol/mol AgBr时,样品的介电吸收峰不再明显向高频方向移动,峰形亦相对比较尖锐。已有证据表明,在掺杂I~-以后,在AgBr微晶的表明层内除生成Ag(Br,I)混晶外,还附生有一薄层β-AgI.分散相颗粒表面层大约20范围内的组成与结构对非均匀电介质中的界面极化效应有重要影响,此外,对界面极化效应应用的可能性作了初步探讨。     

掺杂正八面体AgBr乳剂介电频谱的研究——I-离子的影响

本文研究了用不同量的I~-(1×10~(-3)-4×10~(-2)mol I~-/mol AgBr)进行表面掺杂的正八面体AgBr乳剂的介电吸收频谱, 并用强X射线光源相应作了多晶X射线物相分析。当I~-的加入量小于1×10~(-2)mol/mol AgBr时, 介电吸收峰随加入I~-量的增加而逐渐向高频方向位移。吸收峰弥散, 分布很宽。当I~-的加入量大于1×10~(-2)mol/mol AgBr时, 样品的介电吸收峰不再明显向高频方向移动, 峰形亦相对比较尖锐。已有证据表明, 在掺杂I~-以后, 在AgBr微晶的表明层内除生成Ag(Br, I)混晶外, 还附生有一薄层β-AgI。分散相颗粒表面层大约2.0 nm范围内的组成与结构对非均匀电介质中的界面极化效应有重要影响, 此外, 对界面极化效应应用的可能性作了初步探讨。     

金属离子对溴碘化银乳剂微晶体的掺杂效应——Ⅱ. Pb2+的掺杂

应用常规感光测定法、电镜法、介电损耗仪和微波光导仪研究了Pb²⁺对卤化银乳剂微晶的掺杂效应。结果表明:Pb²⁺使乳剂的感光度降低,灰雾明显升高,而反差变化不大。由电子显微镜照片表明,Pb²⁺对乳剂微晶大小和形状影响不大,但是离子电导和微波光导数据显示出,Pb²⁺的掺杂使离子电导率降低0.15个对数单位,电子电导成倍降低。上述结果暗示:Pb²⁺对照相性能的影响不是由于乳剂微晶大小和形状的变化,可能由以下两个原因引起:(1)Pb²⁺起了深的电子陷阱作用,使光电子徙动路程缩短,影响潜影的形成效率,(2)Pb²⁺(或PbBr₂)成为复合中心,加速光电子与空穴的复合,催化显影过程。     

铱盐对AgCl(Br,Ⅰ)乳剂微晶体离子电导率的影响

本文用介电损耗法测定了(NH₄)₂IrCl₆和(NH₄)₃IrCl₆在不同加入量(10^-8～10^-3M/MAgX)时对物理成熟后的AgCl(Br、I)乳剂的离子电导的影响。随着铱盐加入量的不断增大,介电吸收峰f_max不断向低频方向偏移。当掺杂量达到10^-3M/MAgX时,吸收峰明显变宽。(NH₄)₂IrCl₆和(NH₄)₃IrCl₆的加入量相同时,这两种铱盐所导致的f_max的偏移也相近。 铱盐对于调变已经物理成熟的AgCl(Br,I)乳剂的离子电导率有很大作用。     

金属离子对溴碘化银乳剂微晶体的掺杂效应——Ⅰ.Fe3+的掺杂

应用常规感光测定法、电镜法、介电损耗仪和微波光导仪研究了Fe³⁺对卤化根乳剂微晶的掺杂效应,结果表明:Fe³⁺使卤化银乳剂的感光度降低,灰雾降低,而反差变化不大。电镜观察和介电损耗测量表明:Fe³⁺在物理成熟过程中对乳剂颗粒大小和离子电导率的影响不大,而微波光导数据表明,掺杂对电子电导的影响是明显的。上述结果表明:在AgBr中,Fe³⁺起了深的电子陷阱作用,使光电子徙动路程缩短,影响潜影的形成效率。     

Pr3+掺杂的TiO2纳米粉体的表面特性和光催化活性

利用酸催化的溶胶-凝胶法制备了纯的和不同Pr³⁺掺杂量的TiO₂纳米粉体.以亚甲基蓝(MB)溶液的光催化降解为探针反应,评价了它们的光催化活性.利用XRD和BET技术研究了Pr³⁺掺杂量和焙烧温度对TiO₂纳米粉体的相结构、晶粒尺寸和表面织构特性的影响,并用XPS和SPS技术研究了Pr³⁺掺杂的TiO₂纳米粉体的表面组成和表面光伏特性,探讨了Pr³⁺掺杂提高纳米TiO₂的光催化活性的机制.结果表明:适量Pr³⁺掺杂能显著提高纳米TiO₂的光催化活性.当Pr³⁺掺杂量为1.25%(以Pr³⁺/TiO₂质量比计),焙烧温度为600℃时,制得粉体的光催化活性最佳.Pr³⁺掺杂强烈地抑制TiO₂由锐钛矿相向金红石相的转变,减小晶粒尺寸,增大比表面积,增加表面羟基和吸附氧的含量,提高光生电子和空穴的分离效率,改善粉体表面的光吸收性能,上述因素均有利于光催化活性的提高.     

Eu3+掺杂Y2O3-Al2O3-SiO2玻璃的制备与荧光性能研究

采用高温熔融法制备了Eu³⁺掺杂Y₂O₃-Al₂O₃-SiO₂荧光玻璃,探讨了成分对该体系玻璃形成能力的影响,并对不同Eu³⁺掺杂浓度下的荧光性能进行了研究.结果表明,熔融温度为1500℃条件下,SiO₂含量对该体系的玻璃形成能力影响明显,Y/Al摩尔比为3/5时,SiO₂含量在52%-68%(摩尔分数)范围内时可以获得玻璃.掺杂Eu³⁺的Y₂O₃-Al₂O₃-SiO₂玻璃具有荧光性能,在395nm波长激发下,在588 nm和614 nm处出现明显的发射峰.随着Eu³⁺掺杂浓度的增加,该荧光玻璃的发射波长不变,但发射强度有所变化;当Eu³⁺掺杂浓度为1.5%(摩尔分数)时,特征发射峰强度最大.     

掺杂Eu2O3的SrTiO3及SnO2光致发光

用具有大能隙的本征半导体(SrTiO₃及SnO₂)粉末作本体,分别掺杂1%(原子百分数)的Eu₂O₃;所得物质表现出Eu³⁺离子的线发射光谱特性,但相对发光强度及光谱形状有相当大的变化。X射线衍射结构分析显示Eu³⁺在SrTiO₃晶格里是处在间隙位置,而它在SnO₂晶格里则形成新物相Eu₂Sn₂O₇。     

高分子金属卟啉敏化剂的合成及其产生单线态氧的能力

本工作用氯甲基化的苯乙烯系的树脂和四-(对-氨基苯)卟啉及其Mg²⁺、Cd²⁺、Ni²⁺、Cu²⁺的络合物,合成了一组高分子的金属卟啉敏化剂。并用9,10-二甲基蒽作为¹O₂受体,测定了它们光敏化产生¹O₂的相对能力,分别为1.0、1.56、0.73、0.25、0.21。表明高分子卟啉镁具有较强的敏化能力,是一种良好的敏化剂,其他三种过渡金属元素,特别是具有顺磁性的Ni和Cu,对卟啉光敏化能力起了明显的抑制作用。     

杂多酸催化剂上乙苯的氧化脱氢

本文研究了H₃PW₁₂O₄₀及其Na⁺、Al³⁺、Cd²⁺、La³⁺盐对乙苯氧化脱氢反应的催化活性。发现活性与酸强度和酸量之间没有直接的关系。杂多酸及其盐类在反应开始阶段均存在一段活性增长期,简称为"增活期"。增活期内催化剂表面的积炭量逐渐增加,积炭物的H/C比逐渐减小。用质谱法、薄板层析法检知了积炭物中有醌类物质存在,提出了积炭物中的醌类基团是氧化肥氢的活性中心的观点。     

外延AgCl/AgBr乳剂感光性能的研究

制备系列AgCl/AgBr八面体外延乳剂,利用EDS-STEM技术对主体乳剂AgBr八面体上氯的分布进行了测定,结果表明随AgCl/AgBr外延乳剂中AgCl含量的增大,而其分布优势始终在AgBr八面体的顶角位置,其次在边。77K时,用375nm的激发光源对外延乳剂AgCl/AgBr样品进行激发,随外延乳剂中AgCl含量的提高,AgCl的发光谱带有增大的趋势,但其峰位置基本保持在510nm左右,AgBr在600nm.AgCl和AgBr的发光峰始终以分立的形式存在,没有混晶AgBrCl的宽谱带出现,外延乳剂AgCl/AgBr的感光度随AgCl含量的提高也有一定的变化规律,当AgCl含量较低时,有明显增感作用,而当AgCl含量过高时,外延乳剂的感光度降低,但灰雾也减小。     

稀土元素与马来酸和邻菲咯啉三元固态配合物的研究

合成了13种由稀土离子(La³⁺、Pr³⁺、Nd³⁺、Sm³⁺-Yb³⁺和Y³⁺)与马来酸(C₄H₄O₄)和邻菲咯啉(Phen)形成的三元配合物。元素分析和微量水分测定确定其组成为Ln₂(C₄H₂O₄)₃(Phen)₂·4H₂O.研究了它们的紫外,红外吸收光谱,探讨了配合物的荧光性质及热稳定性。     

Tb3+离子激活的ZnO-SrO-SiO2发光材料的合成

由于5s壳层的屏蔽,Tb³⁺离子的4f电子跃迁产生的发光,其波长受基质的影响很小,而发光强度却与基质材料、Tb³⁺离子的浓度有密切的关系。Tb³⁺离子激活的硅酸盐发光材料在专利中曾有报导,但Tb³⁺离子在ⅡA、ⅡB族硅酸盐中的发光行为尚未见报导。我们在过去工作的基础上,合成了Tb³⁺离子激活的ZnO-SrO-SiO₂发光材料。     

NH4X对LnBO3:Ce3+发光的增强作用

本文采用固相反应法合成了一系列LnBO₃:Ce³⁺磷光体。作者发现,在灼烧时添加NH₄X能使磷光体的发光相对亮度大幅度增加,而激发和发射峰的位置保持不变;与此同时,随着Ln³⁺离子半径的减小,LnBO₃:Ce³⁺的晶体结构从单斜晶系变为六方晶系,LnBO₃:Ce³⁺的激发和发射峰向长波方向移动。本文结果可为LnBO₃:Ce³⁺的应用提供依据。     

半导体纳米粒子在反胶束中的合成及其与芘分子间的跨相电子转移

本文在AOT/异辛烷反胶束中合成了CdS和ZnS半导体纳米粒子。粒子的荧光量子产率随胶束水含量的增大而减小。这可以归结为水含量增大导致胶粒表面Cd²⁺或Zn²⁺离子浓度降低,因为这两种离子在胶粒表面富集有利于形成硫空位,从而增大光生电子-空穴对的发光复合。研究发现,Ag⁺离子可以有效猝灭CdS和ZnS纳米粒子的荧光发射,该猝灭过程可以用Ag⁺离子在胶束中的Poisson分布来描述。以溶解在有机相中的pyrene作电子给体,在光激发下可以向CdS粒子注入电子,而和ZnS粒子间没有电荷转移发生,这可以解释为两种半导体的导带边相对于pyrene激发态氧化电位所处的位置不同。Cu²⁺或Ag⁺离子在ZnS颗粒表面吸附,可以形成Cu_xZn_1-xS或Ag_2xZn_1-xS复合粒子,降低ZnS粒子的导带位置,从而使之能够接受来自pyrene激发态的电子。实验结果证实了这种论点。     

二氧化铅电极上氧发生反应的交流阻抗研究

测定了二氧化铅电极上氧发生反应的交流阻抗。用曲线拟合法解析组抗谱,求得了反应电阻R_t、吸附电阻R_a、双层电容C_d、吸附电容C_a的值。认为(OH)吸+H₂O→(O)吸+H₃O⁺+e^-是氧发生反应的控制步骤。讨论了C_d、C_a与OH^-离子浓度变化的关系。     

氧的阳极析出过程的研究Ⅰ.碱溶液中氧在铂、低碳钢电极上阳极析出动力学

本文用稳定的极化曲线法研究了碱溶液中氧在铂和低碳钢电极上的阳极析出过程,并研究了OH^-、Cl^-、CNS^-、Li⁺、Na⁺和K⁺等离子对过程的影响。稳态的动力学数据表明,氧在上述阳极析出过程的机理符合电化学放电的规律,过程的速率由第二电子转移步骤所控制,即MOH_ad+OH^-—→MO_ad+H₂O+e。