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用机械合金化方法制备了(FeAl3)75Zr25和(FeAl3)50Zr50非晶态合金,用X射线衍射仪和热分析仪对制备的非晶态合金的结构特性及热稳定性进行了研究,用振动样品磁强计对(FeAl3)75Zr25和(FeAl3)50Zr50混合粉末在机械球磨过程中的磁性变化进行了研究,并对其晶化产物及其晶化后合金的磁性进行了分析。结果表明:(FeAl3)75Zr25的晶化产物为Fe3Zr和Al1.65Fe0.33Zr;(FeAl3)50Zr50非晶态合金的晶化产物为FeZr2和AlZr2。(FeAl3)75Zr25混合粉末的矫顽力随着球磨时间的增加而增加,但其饱和磁化强度和剩磁均随着球磨时间的增加而下降。而(FeAl3)50Zr50混合粉末的矫顽力、饱和磁化强度和剩磁均随球磨时间的变化则没有类似的规律性。晶化后(FeAl3)75Zr25粉末与(FeAl3)50Zr50粉末相比,前者矫顽力小,但饱和磁化强度和剩磁大。 相似文献
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利用粉末X射线衍射和扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)技术对用化学共沉淀法制备的非晶和纳米ZrO2·15%Y2O3体系进行了研究.粉末X射线衍射结果表明,300℃温度处理的样品呈非晶态,500℃时样品已经晶化,形成单一立方相的纳米结构.EXAFS分析显示,在从非晶态向纳米结构晶化的过程中,最近邻的ZrO配位层的配位数和键长没有发生明显的改变,说明300℃时已经形成和900℃相同的最近邻局域结构.而对于ZrZr(Y)配位层,随着晶粒尺寸的减
关键词:
EXAFS
晶化
配位数
键长 相似文献
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利用粉末X射线衍射和扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)技术对用化学共沉淀法制备的非晶和纳米ZrO2*15%Y2O3体系进行了研究.粉末X射线衍射结果表明,300℃温度处理的样品呈非晶态,500℃时样品已经晶化,形成单一立方相的纳米结构.EXAFS分析显示,在从非晶态向纳米结构晶化的过程中,最近邻的Zr-O配位层的配位数和键长没有发生明显的改变,说明300℃时已经形成和900℃相同的最近邻局域结构.而对于Zr-Zr(Y)配位层,随着晶粒尺寸的减小,配位数明显降低,键长显著缩短,具有比Zr-O配位层更大的无序.这些结果表明晶粒尺寸的变化对于较远配位层的影响要比对最近邻的影响大得多. 相似文献
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《物理学报》2001,50(7):1319-1323
利用粉末X射线衍射和扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)技术对用化学共沉淀法制备的非晶和纳米ZrO2*15%Y2O3体系进行了研究.粉末X射线衍射结果表明,300℃温度处理的样品呈非晶态,500℃时样品已经晶化,形成单一立方相的纳米结构.EXAFS分析显示,在从非晶态向纳米结构晶化的过程中,最近邻的Zr-O配位层的配位数和键长没有发生明显的改变,说明300℃时已经形成和900℃相同的最近邻局域结构.而对于Zr-Zr(Y)配位层,随着晶粒尺寸的减小,配位数明显降低,键长显著缩短,具有比Zr-O配位层更大的无序.这些结果表明晶粒尺寸的变化对于较远配位层的影响要比对最近邻的影响大得多. 相似文献
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利用X射线衍射技术、差示扫描量热分析技术和透射电子显微镜研究了非晶态Cu56 Zr4 4合金的结构及其等温退火条件下的晶化过程 .实验结果表明 ,非晶态Cu56 Zr4 4合金在室温下的短程结构类似于硬球无规密堆积分布 .在70 3K过冷液相区内等温退火时发现 ,当退火时间为 3min时 ,晶化产物主要为Cu8Zr3相 ;当退火时间为 6min时 ,Cu8Zr3相完全消失 ,而Cu1 0 Zr7相大量析出 ;当退火时间达到 3 0min以上时 ,其晶化产物转变为Cu1 0 Zr7,CuZr2 ,Cu8Zr3等多种化合物 .由此提出了非晶态Cu56 Zr4 4合金等温退火晶化过程的扩散机理 . 相似文献
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用X射线衍射照相、X射线衍射仪及透射电子显微镜分析了用液相淬火技术制备的La_(30)Al_(20)合金样品,结果表明样品是非晶态结构。差热分析(DTA)结果表明,非晶态样品的晶化温度T_(cr)为280℃左右,玻璃温度T_g为242℃左右。非晶态样品低温高压(流体静压法)试验结果表明:压力从0至4.77kbar,T_c从3.87K提高到4.18K。高压下,超导前的剩余电阻与常压下相比较有明显下降。非晶态样品经高温高压(25kbar,~160℃,40min)处理后,X射线衍射仪分析结果表明:发生了由非晶态→晶态的结构相变。相变产物由平衡相α-La和新的亚稳过渡相组成。其T_c从~3.9K提高到5.7K,该亚稳相结构与化学成分尚不清楚。本文并对所获得的实验结果进行了讨论。 相似文献
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用X射线衍射法研究了(Fe_(0.1)Co_(0.55)Ni_(0.35))_78Si_8B_(14)金属玻璃在常压下及20kbar高压下晶化过程中的析出相及析出过程。结果表明在上述压力下晶化过程都分成两个阶段,分别对应于初级晶化和共晶晶化。在常压下,初级晶化时析出fcc-Co晶体,而共晶晶化对应着Ni_(31)Si_(12)和(FeCoNi)_3(SiB)相的析出。随着回火温度的增高或时间的延长,(FeCoNi)_3(SiB)相逐渐转变为(FeCoNi)_(23)B_6相。20kbar高压下的晶化析出过程与常压下不同的是:提高了晶化温度,在共晶晶化阶段出现了Co_2B相。此外,压力还阻止(FeCoNi)_(23)B_6相的形成。从热力学和动力学的角度讨论了压力对金属玻璃晶化过程的影响。 相似文献
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用单辊急冷法制备了非晶态(Fe_(1-x)V_x)_(84)B_(16)(x=0,0.02,0.04,0.06,0.10)合金的薄带,分别用磁天平和四端引线法测量了饱和磁化强度和高温电阻率的温度关系。得到平均每个磁性原子的磁矩随V含量的增加近似线性下降,计算出每个Fe原子和每个V原子的平均磁矩分别为2.08μ_B和-5.08μ_B。居里温度T_c从x=0时的622K下降到x=0.10时的478K。利用自旋波激发公式:σ(T)=σ(0)(1-BT~(3/2)-CT~(5/2))得到,自旋波劲度系数D在75.4-81.8(meV·)之间(x=0-0.10),交换相互作用范围的平方平均值〈r~2〉从x=0.02时的4.4增加到x=0.10时的6.5。电阻率的测量得到,室温电阻率在155-127(μQ·cm)之间,晶化过程中电阻率的下降幅度随V含量增加而线性减小,其原因与晶化过程中的相变有关。 相似文献
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《物理学报》2020,(14)
采用磁控溅射方法制备了Ge_(50)Te_(50)/Zn_(15)Sb_(85)纳米复合多层薄膜.研究了薄膜的电阻随温度的变化以及薄膜的晶化激活能.通过透射电子显微镜比较了晶化前后Ge_(50)Te_(50)/Zn_(15)Sb_(85)纳米复合多层薄膜的截面多层结构.制备了基于[GT(7nm)/ZS(3nm)]_5多层复合薄膜的相变存储器件,并测试了其电性能.研究表明,Ge_(50)Te_(50)/Zn_(15)Sb_(85)纳米复合多层薄膜具有较好的非晶态热稳定性和数据保持力,其器件具有较快的转变速度、较低的操作功耗和较好的循环性能. Ge_(50)Te_(50)/Zn_(15)Sb_(85)纳米复合多层薄膜是一种潜在的高热稳定性和低功耗的相变存储材料. 相似文献