磁场下合成Fe3O4粉体的隧道磁阻

通过在半金属Fe₃O₄合成过程中外加磁场的方法,改变样品粒子的表面结晶状态和晶格缺陷,研究了由此引起的Fe₃O₄输运性质的变化.合成的Fe₃O₄粉体的主要导电机理均为自旋极化隧穿和高阶跃迁电导,电阻随温度升高成指数降低,电阻与电压显示了非线形相关性,磁阻与磁场的关系为蝴蝶形,是典型的隧道磁阻特征.与没有外加磁场时合成的样品比较,外加磁场合成的样品显示了更低的电阻和更高的磁阻. 关键词： 磁阻 隧穿 表面 晶格缺陷     

磁场下合成Fe3O4粉体的隧道磁阻

通过在半金属Fe₃O₄合成过程中外加磁场的方法，改变样品粒子的表面结晶状态和晶格缺陷，研究了由此引起的Fe₃O₄输运性质的变化.合成的Fe₃O₄粉体的主要导电机理均为自旋极化隧穿和高阶跃迁电导，电阻随温度升高成指数降低，电阻与电压显示了非线形相关性，磁阻与磁场的关系为蝴蝶形，是典型的隧道磁阻特征.与没有外加磁场时合成的样品比较，外加磁场合成的样品显示了更低的电阻和更高的磁阻.     

成型压力对CrO2低温输运性质的影响

本文研究了压力对CrO₂样品低温磁输运性质的影响.样品的X射线衍射结果表明(110)峰的相对强度随压力的增加而增大，说明压力对CrO₂针状纳米颗粒有取向的作用.低温时CrO₂样品的电阻和磁阻均随压力的增加而减少.实验结果表明，低温下样品的电导呈现出典型的晶粒间隧穿特征，其Δ值随着压力和磁场的增加而减小，并且Δ随磁场的变化幅度与成型压力有关，成型压力越高，Δ随磁场的变化越小.这些变化可以归因为压力对晶粒间隧穿势垒的调制. 关键词： 磁阻 压力 隧穿 势垒厚度     

成型压力对CrO2低温输运性质的影响

本文研究了压力对CrO2样品低温磁输运性质的影响.样品的X射线衍射结果表明(110)峰的相对强度随压力的增加而增大,说明压力对CrO2针状纳米颗粒有取向的作用.低温时CrO2样品的电阻和磁阻均随压力的增加而减少.实验结果表明,低温下样品的电导呈现出典型的晶粒间隧穿特征,其△值随着压力和磁场的增加而减小,并且△随磁场的变化幅度与成型压力有关,成型压力越高,△随磁场的变化越小.这些变化可以归因为压力对晶粒间隧穿势垒的调制.     

低温下铁磁性金属中由电子-磁子散射导致的各向异性磁阻效应北大核心CSCD

本文采用Kubo公式计算了低温下铁磁性的含局域磁矩的金属中由于电子-磁子散射而导致的电阻,并分析了其磁阻随温度和外加磁场的变化情况.在各向同性近似下,小动量转移的电子-磁子散射导致了低温下的电阻正比于温度的平方:ρ~T^2.当考虑了实际材料磁有序的各向异性后,其磁阻效应显示出显著的各向异性特征:沿着材料的磁化方向施加磁场时,磁阻为负;而垂直于磁化方向施加磁场时,由于自旋涨落的增强,磁阻为正.本文的计算结果与实验观察到的铁磁金属材料HoAl_2和La_(1-x)Ca_xMnO_δ的磁阻行为相符.     

制备条件对La0.67Sr0.33MnO3外延薄膜结构及磁电阻的影响

利用直流溅寺在ＬａＡｌＯ３基片上生长了Ｌａ１－ｘＳｒｘＭｎＯ３外延薄膜。测量了薄膜样品退火前后在零场和外加磁场中的电阻率和磁阻随温度的变化。实验发现，随着基片温度的升高，磁阻在减少；电阻在率最高峰位高温区移动；溅射温度为６５０℃的样品，磁阻效应最大。     

较高杂质浓度磁性合金负磁阻的关联对模型

本文讨论在有外加磁场情况下,较高杂质浓度磁性合金中传导电子与关联对散射引起的电阻及磁阻随温度和磁场的变化,得到了Rohrer关于合金AuFe磁阻随杂质浓度变化的经验公式。 关键词：     

薄膜厚度对La0.67Ca0.33MnO3/Nb-SrTiO3异质结整流特性及磁阻的影响

利用脉冲激光沉积的方法,在Nb-1wt%:SrTiO3基片上分别生长了5 nm和50 nm的La0.67Ca0.33MnO3薄膜得到异质结.对该异质结电流-电压特性和磁阻的研究表明,50 nm厚的样品表现出良好的整流特性并且在外加1 T磁场的情况下无明显变化,而5nm厚的样品在低温下,整流特性发生变化,并且外加1 T磁场对其整流特性有明显影响,显示负的磁阻.通过考虑p～n结耗尽层的厚度,对观察到的实验现象进行了解释.     

SrTiO3掺杂La-K-Mn-O系统的电磁性质

用溶胶-凝胶制备了La0.833K0.167MnO3-SrTiO3(LKMO/STO)系列样品,并研究了它们的结构、磁性和输运特性.X射线衍射实验表明,1200℃烧结的LKMO/STO(STLK12)是一个均匀的固溶相.其电阻率表现为绝缘体的行为,而纯La0.833K0.167MnO3(LKMO)样品随温度的升高则有金属-绝缘体转变.在低场下(μ0H=0.02 T),对STLK12样品,当温度从220 K降低到4 K时,磁电阻从0.2%升高到11%.在高场下(μ0H=5.5 T),随着温度降低,磁电阻几乎是线性增大.在4.2 K时,达到65%.比纯LKMO样品40%的磁电阻高出了25%.我们用晶界处的自旋极化隧穿效应定性地解释了这种增强的磁电阻效应.     

低温下铁磁性金属中由电子-磁子散射导致的各向异性磁阻效应

本文采用Kubo公式计算了低温下铁磁性的含局域磁矩的金属中由于电子-磁子散射而导致的电阻,并分析了其磁阻随温度和外加磁场的变化情况.在各向同性近似下,小动量转移的电子-磁子散射导致了低温下的电阻正比于温度的平方:ρ~T~2.当考虑了实际材料磁有序的各向异性后,其磁阻效应显示出显著的各向异性特征:沿着材料的磁化方向施加磁场时,磁阻为负;而垂直于磁化方向施加磁场时,由于自旋涨落的增强,磁阻为正.本文的计算结果与实验观察到的铁磁金属材料HoAl_2和La_(1-x)Ca_xMnO_δ的磁阻行为相符.