新型铁电存贮器和铁电薄膜的脉冲激光沉积

结合自己的工作，介绍了目前国际上新型功能材料与器件研究的热点之一－铁电集成和铁电存贮器的研究开发；报道了用脉冲激光沉积这种新型成膜技术制备铁电ＰＺＴ薄膜的些实验结果。     

薄膜物理及其应用讲座：第六讲 铁电薄膜的物理性能和应用

铁电薄膜材料与器件是近年来高新技术研究的前沿和热点之一，文章概括介绍了铁电薄膜研究的现状，铁电薄膜的物理性能及其表征，铁电薄膜在微电子，光电子和集成光学等领域中的应用，并指出了当前铁电薄膜材料与器件研究中需要着重解决的一些问题。     

混合型集成光学加速度计集成光学芯片

本文描述了应用于地震勘探的混合型集成光学加速度计集成光学芯片的工作原理及结构特点。完成了各单元波导器件的设计计算，实现了7个波导器件的单片集成，并与输入、输出光纤等器件的混合集成。具有体积小，稳定可靠的独特优点。     

集成光学器件

集成光学器件对用数据和视频传输系统的宽频带、大容量系统提出的越来越高的要求，推动了光电子和集成光学元件的性能向新的水准发展，ＮＴＴ光电子学实验室的研究工作，使集成光电子学器件和硅大规模集成电路更接近实用性化成为可能。由于结晶质量随器件性能的降低而显著...     

铁电/超导集成膜和铁电多层膜的TEM研究

报道了用透射电子显微镜对单层ＹＢＣＯ薄膜,ＰＺＴ／ＹＢＣＯ集成薄膜,ＳＴＯ／ＧＢＣＯ集成薄膜和ＳＴＯ／ＢＴＯ超晶格薄膜等四种有代表性的薄膜样品的研究结果．在单层ＹＢＣＯ平面样品中观察到镶嵌,在生长在ＹＢＣＯ／ＳＴＯ上面生长的ＰＺＴ薄膜中,观察到柱状结构．用ＰＬＤ方法生长的ＳＴＯ／ＧＢＣＯ,ＹＳＺ集成薄膜中缺陷很少．虽然ＧＢＣＯ膜的表面并不平整,但仍能生长出ｃ取向的ＧＢＣＯ薄膜．用ＭＢＥ方法生长的ＳＴＯ／ＢＴＯ多层膜具有很好的外延特征．由于晶格匹配和层状生长机制所以具有锐的界面．这些结果对改进铁电超导集成薄膜和多层膜制备工艺是有用的     

弛豫铁电单晶的研究进展—压电效应的起源研究

由于具有优异的压电性能,弛豫铁电单晶自上世纪90年代问世以来即成为了铁电压电领域研究的热点材料,并被认为是研发下一代高性能换能器、传感器等器件的重要压电材料。弛豫铁电单晶不但压电常数可达2500 pC/N,约为软性Pb(Zr,Ti)O3(PZT)陶瓷的5倍,而且其电致应变滞后也远小于软性PZT陶瓷。因此,弛豫铁电单晶高压电性能的产生机理一直是铁电压电领域的研究热点。本文主要介绍了弛豫铁电单晶材料在近些年的发展,从本征压电效应(晶格压电畸变)的角度归纳总结了弛豫铁电单晶高压电效应的产生机理,着重探讨了弛豫铁电单晶的重要特点—剪切压电效应。在本征效应的基础上,本文对弛豫铁电单晶压电效应与晶体组分、切向以及温度的关系进行了分析。需要指出的是,目前基于本征角度对弛豫铁电单晶高压电效应的分析仍处于定性的阶段,因而还不能完全排除一些可能导致弛豫铁电单晶高压电效应的非本征物理机制。     

(1-x)PMN-xPT铁电致冷陶瓷的研究

概括介绍了铁电致冷基本原理，给出了三种电生热效应，即线性电生热效应、二次电生热效应和电场诱导一级相变型电生热效应的表达式，测量了(1-x)Pb(Mg_1/3 Nb_2/3 )O₃-xPbTiO₃［简记为(1-x)PMN-xPT］，当x=0.08, 0.10和0.25时在室温附近的电生热性能，分析了其电生热效应的起源.研究结果表明，(1-x)PMN-xPT铁电固溶体陶瓷在室温附近具有较大的电生热效应；该效应起源于电场诱导一级相变型电生热效应和线性电生热效应；该系列陶瓷可望用于室温附近多级铁电致冷. 关键词：     

室温稳定的二维铁电材料：CuInS2P6 及其异质结构

二维铁电材料有助于实现半导体性质与非易失存储特性在微纳尺度上的有机结合，在高集成化电子器件、光电器件、能量收集、及机电耦合系统等领域展现出巨大的应用潜力。二维铁电材料的层状结构，保证了原子层间的可剥离性，为从理论和实验上探索超薄极限下的铁电性质提供理想的研究平台。考虑到二维磁性研究的低温瓶颈，二维铁电材料为实现铁性功能材料的高温器件化与实用化提供了新途径。在本文中，我们介绍了一种室温稳定的二维铁电材料：铜铟硫代磷酸盐(CuInP2S6)。该材料体系的科学内涵和应用前景，引发了新的研究热潮。在本文中，关于其较高的铁电居里转变温度、显著的压电响应、巨大的负纵向压电系数、可调谐的四重势阱铁电特性、以及基于该材料及其异质结构的器件研究，均有所涉及。我们还简要介绍了几种过渡金属硫代磷酸盐化合物材料体系(M^IM^IIIP2(S/Se)6)中的其他代表性材料。最后，我们关于二维铁电材料研究的未来发展方向进行了讨论。     

铁电存储技术

简要说明了铁电随机存储器的工作原理及特点，详细阐述了阻碍铁电存储技术发展的技术难点，重点讨论了铁电薄膜材料的疲劳机理，并对铁电存储器的发展作了展望。     

我国铁电薄膜物理学与集成铁电学若干重要问题的研究建议（提纲）

我国铁电薄膜物理学与集成铁电学若干重要问题的研究建议（提纲）１．学术背景铁电体为一类具有自发电极化，而且其极化矢量可以在外电场作用下反转的电介质，它们同时具有压电、热释电、电光、声光、光折变、非线性光学等效应及高介电系数。作为光电功能材料，铁电体早在...     

面向新一代存储计算的二维铁电半导体

存算一体化是后摩尔时代突破性能与功耗瓶颈的一个潜在发展方向。近年来兴起的二维铁电半导体由于兼具非易失性铁电极化和半导体特性,适合用于存算一体器件,因此在短短几年内迅速成为研究热点。本文作为“先进算力技术”的第一篇,介绍了存算一体化的历史背景、二维铁电半导体的物理图像以及典型器件的作用机制。本文不仅可以作为未来计算技术领域的一般性了解,本文附录给出的PPT课件也可以作为大学物理等课程中“电磁学”相关篇章的有益补充。     

爆电换能脉冲大电流输出研究

 基于爆电换能原理，使用掺铌的PZT 95/5陶瓷组装换能器件，在垂直工作模式下，对爆电电源LRC电路响应进行了理论分析，并开展了脉冲大电流输出实验研究。实验采用多组PZT 95/5铁电陶瓷并联，利用平面波发生器作为冲击加载手段，获得了峰值5 kA以上的脉冲大电流，初始电流上升速率可达10~20 GA/s。实验结果与理论设计符合较好。     

集成光学 集成光学、波导理论

TN25 2005010333 集成光学国际研究进展=Development of international integrated optics[刊,中]／张彤(东南大学电子工程系.江苏, 南京(210096)),崔一平∥电子器件．-2004,27(1).- 196-201 介绍了集成光学基本概念及其主要应用领域,分析了集成光学国际研究现状。在理论研究方面,对新型器件的设计、计算和模拟以及基于固体物理学和波动光学的基础理论研究是目前研究热点;而在器件研究方面,通信及传     

集成光学研究动向

由于低损耗光学纤维的发展,大大推动了集成光学的进展。虽然集成光学距实际应用差的还远,但是已发展到开始某些器件集成的地步。     

二氧化硅微光纤与一维纳米材料集成器件的原理与应用

微光纤器件由于其优异的光波导特性、较高的机械强度、操作灵活性和易于集成的特性，已经受到越来越多的关注，并且实现了在传感、激光、生物化学等领域的广泛应用。然而，二氧化硅微光纤器件尺寸相对较大、材料折射率较低，使其在微纳尺度的气、液态环境中的应用具有极大的挑战性。一维纳米材料的出现弥补了这一不足，由于其具有更小的尺寸和更高的折射率，基于单纳米线集成的微光纤器件在一些特殊环境中可以实现更高灵敏度和更高空间分辨率，拥有广阔的应用前景。本文从器件制备、耦合原理以及具体应用等方面对纳米线集成的微光纤器件进行了系统的介绍，并简要介绍了国内外以及南京大学近年来在该领域的研究进展。     

集成光学波导光栅研究进展

报道了20世纪80年代以来,研究组在集成光学波导光栅研究领域的主要工作及研究成果。其中包括集成光学波导光栅的制备研究;若干非线性波导光栅器件研究;高效体相位全息布拉格光栅-光导板的耦合互连;单片集成波导光栅波分复用等。这些研究工作为光通信、光计算、光传感和光学信息处理等应用领域提供小型化、低功耗、超快速全光型器件奠定了技术基础。     

光纤中的集成光学与离散光学

光纤集成光学和离散光学有望成为光子学集成的一个新分支。这种集成技术可以通过离散的方法方便地在一根光纤中控制和操纵光波,也为集成光学与离散光学的研究提供了一个灵活方便的平台,为微光子器件和系统集成提供了一种有效的方法和手段。文章简要总结了在光纤内实现光学器件集成和微光学系统集成的主要思想和关键技术,探讨了离散光学需要考虑的核心内容,为该方向的进一步发展提供了若干前期的研究基础。     

冲击加载下PZT 95/5铁电陶瓷的脉冲大电流输出特性

极化了的PZT 95/5铁电陶瓷在冲击波作用下发生铁电相到反铁电相的结构相变，释放出被束缚的电荷，流经外电路，形成脉冲电流.基于这一原理，针对低感、低阻负载的要求，对PZT 95/5铁电陶瓷 LRC电路响应进行了理论分析，并开展了实验研究.实验采用多组PZT 95/5铁电陶瓷并联，获得了前沿小于500ns，峰值大于5kA的大电流. 关键词： PZT 95/5铁电陶瓷 冲击波 爆电电源     

AlGaAs短波长超辐射集成光源

设计了一种新型半导体集成光源－－ＡｌＧａＡｓ短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，采用直接耦合方式将超辐射发光与光放器集成在一起，在脉冲条件下获得了输出功率为５７ｍＷ的超辐射，谱线宽度ＦＷＨＭ为２０ｎｍ，放大器的增益为２１ｄＢ。     

钙钛矿型氧化物非常规铁电研究进展

钙钛矿型氧化物因具有丰富的磁性、铁电、力学和光学等诸多功能属性,在电子信息通信材料器件领域中有广阔的应用前景.在各种物理性质之中,铁电极化因其产生机制多样,并能与磁性和晶格应变相互耦合形成多铁性等特点,近十多年来一直被作为凝聚态物理研究的国际热点问题.与以自发极化作为初级序参量的常规铁电材料不同,非常规铁电材料中的铁电极化是被其他的序参量诱导而产生的.本综述围绕无机钙钛矿型氧化物非常规铁电体的研究进展进行了总结.回顾了该体系经典唯象理论和原子尺度的微观模型,有序排列的人工钙钛矿超晶格型结构,以及稀土正铁氧体单晶的反铁磁畴壁结构中非常规铁电的极化强度大小及其诱导机制,为系统理解非常规铁电提供了理论途径.