氮氧化硅与氧化硅玻璃结构,性能与量子化学计算研究

用自洽场离散变分X_α(SCF-X_α-DV)量子化学计算方法研究了氮氧化硅及氧化硅玻璃,讨论了氮原子取代氧原子之后在结构、性能与化学键等方面的变化规律。计算表明氮氧化硅与氧化硅玻璃之间在性能上的差异,主要不是由Si-N和Si-O键的伸缩力常数之间的差异所引起的,也不是由Si-N和Si-O键的离子键强度之间的差异所引起的。Si-N共价键比Si-O共价键强,是N-Si-N键弯曲力常数比O-Si-O键大的主要原因,也与氮氧化硅玻璃比氧化硅玻璃具有更好的化学稳定性和更高的扬氏模量的实验结果一致。     

Te—Se—I玻璃及添加As和Ge元素的结构,性能与量子化学计算研究

用自洽场离散变分Ｘα（ＳＣＦ－Ｘα－ＤＶ）量子化学计算方法研究了Ｔｅ－Ｓｅ－Ｉ玻璃及添加Ａｓ和Ｇｅ元素的体系，讨论了结构、性能与化学键之间的关系。计算表明离子键和共价键强度的次序都是Ｇｅ－Ｓｅ〉Ａｓ－Ｓｅ〉Ｔｅ－Ｓｅ，与相应的玻璃转变温度的实验结果一致。含有一配位碘原子的Ｔｅ－Ｉ键比含有二配位碘原子的Ｔｅ－Ｉ键强。Ａｓ－Ａｓ和Ａｓ－Ｉ键比两类Ｔｅ－Ｉ键都强。较强的Ａｓ－Ａｓ和Ａｓ－Ｉ键取代较弱的Ｔ     

在硅酸盐矿物,玻璃和熔体中Si和Al的配位与局部结构：K—边 …

本文采用步辐射的ＳｉＫ－边Ｘ－射线吸收近边结构（ＸＡＮＥＳ）谱研究了Ｓｉ在ＳｉＯ２－Ｐ２Ｏ５和Ｎａ２Ｏ－ＳｉＯ２－Ｐ２Ｏ５的低压磷硅酸盐玻璃中结构与配位,以及Ｓｉ的配位几何随玻璃中Ｐ２Ｏ５含量而变化：同步辐射的Ａｌ Ｋ－边ＸＡＮＥＳ谱研究了Ａｌ在铝硅酸盐成分为ＮａＡｌＳｉ２Ｏ６－ＮａＡｌＳｉ３Ｏ８的玻璃和熔体中的配位和局部结构,并提供了直接的实验证据该成分的玻璃体系中由于压力的变化所诱导Ａｌ配位的     

电子回旋共振等离子分解CH19Si2N制备SICNB膜XPS分析

电子回旋共振等离子分解ＣＨ１９Ｓｉ２Ｎ－Ｎ２混合气体，采用溅射共混、气相液相共混沉积技术，制备四元素ＳｉＣＮＢ膜，由ＸＰＳ分析了膜的成份及生成的键结构，发现溅射共混、气液共混沉积过程中聚合成了Ｃ－Ｎ、Ｃ－Ｂ、Ｎ－Ｂ、Ｓｉ－Ｃ化合物。     

在小硅化物SiX~m（X＝Be、B、C、N、O、F、Ne，m＝～4－＋2）中分子成键倾向的从头算研究

此文用从头计算法，在ＨＦ、ＭＰ２、ＭＰ３水平下，使用基组６—３１Ｇ、６—３１＋Ｇ对ＳｉＯ的等电子分子ＳｉＸｍ（Ｘ＝Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｎｅ，ｍ＝－４～＋２）进行了几何优化，并计算了相应的平衡几何构型下的振动频率，对ＳｉＯ分子，使用ＱＣＩＳＤ（Ｔ）方法考虑了不同水平下的电子相关效应，并考虑了不同基函数６－３１＋Ｇ和６－３１１＋Ｇ的影响。计算结果表明，所有分子的势能曲线都有稳定的极小值，并且键长与频率在ＨＦ、ＭＰ２、ＭＰ３水平上都呈现出明显的规律性，通过与实验上存在的稳定分子ＳｉＯ相比较，可以预言ＮＳＩｉ－和ＳｉＦ＋比其它分子有较明显的成键可能性，所以，ＮＳｉ－和ＳｉＦ＋有可能形成稳定的分子。     

在小硅化物SiX^m（X=Be,B,C,N,O,F,Ne,m=～4—＋2）中分子成…

此文用从头计算法，在ＨＦ，ＭＰ２，ＭＰ３水平下，使用基组６－３１Ｇ，６－３１＋Ｇ对ＳｉＯ的等电子分析ＳｉＸ＾ｍ（Ｘ＝Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｆ，Ｎｅ，ｍ＝－４～＋２）进行了几何优化，并计算了相应的平衡几何构型下的振动频率，对ＳｉＯ分子，使用ＱＣＩＳＤ（Ｔ）方法考虑了不同水平下的电相关效应，并考虑了不同其函数６－３１＋Ｇ和６－３１１＋Ｇ的影响。计算结果表明，所有分子的势能曲线都有稳定的极小值，并且键长与频     

SinSem分子簇的SCC—DV—Xa方法的计算研究

本文应用ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘａ方法计算了（ＲＳｉ）４Ｓｅ６，（ＲＳｉ）２Ｓｅ３和Ｒ４Ｓｉ３Ｓｅ４（Ｒ＝ＣＨ３，Ｃ２Ｈ５，Ｐｈ）等分子簇的结合能，轨道能级，电荷分布，状态密度，分析了簇的稳定性，ＮＭＲ化学位移，紫外可见吸收和催化性能等，结果与实验相符。     

PdCl2／SiO2 Pd—B／SiO2非晶态合金催化剂的Ramman光谱表征

采用共焦显微Ｒａｍａｎ光谱和Ｘ－射线衍射方法表征了负载型ＰｄＣｌ２／ＳｉＯ２和Ｐｄ－Ｎ／ＳｉＯ２非晶态合金催化剂的结构。结果表明ＰｄＣｌ２分散在ＳｉＯ２载体上后,与载体表面的相互作用使其在室温时即发生β→α构型转变。Ｐｄ－Ｂ／ＳｉＯ２非晶态合金的ｒａｍａｎ光谱在３００－５００ｃｍ＾－１区域内呈现一大的弥散峰。与无负荷Ｐｄ－Ｂ非晶态合金比较初步认定该弥散峰与Ｐｄ－Ｂ键振动有关,温度升高Ｐｄ－Ｂ／Ｓｉ     

碳化钛与氮化钛类陶瓷材料结构,性能与量子化学计算研究

用自洽场离散变分Ｘα（ＳＣＦ－Ｘα－ＤＶ）量子化学计算方法研究了碳化钛、氮化钛、氧化钛及碳化钛掺铌等陶瓷材料，讨论了结构、性能与化学键之间的关系。计算结果符合硬度和强度的次序碳化钛〉氮化钛〉氧化钛，及随（ＮｂｙＴｉ１－ｙ）Ｃｘ掺杂晶体系列样品掺铌量的增加，碳空位数随之增加，样品的显微硬度与电阻率随之减小的实验结果。     

类小硅化物SiXm（X—H,F,Cl;m=1—4）中平衡几何和振动频率…

本文使用分子轨道从头算方法，在ＨＦ／６－３１Ｇ和ＭＰ２／６－３１Ｇ水平下，计算了小硅化物ＳｉＸｍ的平衡几何和谐振子振动频率。理论值和实验值的比较表明，对于ＳｉＨｍ分子，实验的键长位于ＨＦ键长和ＭＰ２键长之间，而ＭＰ２振动频率更接近于实验的振动频率。对于ＳｉＣｌｍ分子，无论是键长还是振动频率ＨＦ值和ＭＰ２值都比较接近。以于ＳｉＦｍ分子，处于这两类的中间情况，关联作用随着Ｘ原子的原子序数的增加而减弱。     

氧在理想的和重构的Si（100）面吸附研究

本文分别用ＡＳＥＤ－ＭＯ和ＤＶ－Ｘａ方法对氧在理想的Ｓｉ（１００）面以及用ＤＶ－Ｘａ方法对氧在重构的Ｓｉ（１００）面吸附进行了研究，对不同吸附位的计算结果表明，当氧在硅表面暴露量较少时，其吸附为氧原子和氧分子共存。     

硅直接键合界面附近的深能级研究

利用扩展电阻探针（ＳＲＰ）和深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术详细研究了直接键合的ｎ－Ｓｉ／ｎ⁺－Ｓｉ界面附近的深能级。实验结果表明，在直接键合的ｎ－Ｓｉ／ｎ⁺－Ｓｉ界面ｎ－Ｓｉ一侧附近可观察到一个明显的电子陷阱Ｅ１（Ｅ_ｃ－０．３９ｅＶ）。Ｅ１可能是由若干个能级位置相近的陷阱迭加而成的，其浓度在１０¹³－１０¹⁴ｃｍ^-3之间。它可能是与制备键合材料的高温（１０００－１１００℃）处理 关键词：     

Ni（II）与壳聚糖的配位作用及其催化性质的研究

用ＥＳＲ、ＸＰＳ、ＩＲ、ＵＶ－Ｖｉｓ、ＤＴＡ－ＴＧ和电导率法研究Ｎｉ（Ⅱ）与壳聚糖（ＣＳ）的配位作用、所形成的配位聚合物（配聚物）的组成和结构。确定Ｎｉ（Ⅱ）与ＣＳ分子以配位键相结合形成高自旋Ｎｉ－ＣＳ配聚物，配聚物的配位单元由１个Ｎｉ（Ⅱ）与３个ＣＳ单体单元的氨基Ｎ原子和仲羟基Ｏ原子形成扭曲的六配位的八面体结构所组成。此外，对Ｎｉ－ＣＳ配聚物与Ｎａ２ＳＯ３体系在ＭＭＡ聚合中的催化性质进行了研究。     

POPULATION DYNAMICS IN THE FOUR-PHOTON THREE-STEP PHOTOIONIZATION

ＰＯＰＵＬＡＴＩＯＮＤＹＮＡＭＩＣＳＩＮＴＨＥＦＯＵＲ－ＰＨＯＴＯＮＴＨＲＥＥ－ＳＴＥＰＰＨＯＴＯＩＯＮＩＺＡＴＩＯＮ￥ＳｈｉｌｉａｎｇＸｉｅ；ＤｅｗｕＷａｎｇ；ＣｈｕｎｔｉｏｎＹｉｎｇ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＰｈｙｓｉｃｓ，...     

MSC理论研究固体CS2的实验谱

用近边Ｘ射线吸收精细结构（ＮＥＸＡＦＳ）的多重用射集团（ＭＳＣ）方法对固体ＣＳ２的硫Ｋ－边ＮＥＸＡＦＳ实验谱进行了详细的研究，结果表明：１．确认Ｋ－边ＮＥＸＡＦＳ实验谱的主体结构是双σ键和π２．固体ＣＳ２中间时存在的硫的单键和双键和对应的两种吸收谱；３．π几乎全由双键所贡献，而双σ则分别由单键和双键所贡献；４．ＮＥＸＡＦＳ实验谱是两种吸收谱的叠加。     

MS—Xα方法适合对原子簇Hn的研究

为考察多重散射Ｘα（ＭＳ－Ｘα）方法对原了簇研究的适用性，本文用该法详细研究了氢分子的势能，键长，离解能，电离能，跃迁能等性质，得到了上述物理量随参数α变化的明显规律和优于ＳＣＦ的计算结果，并进一步对Ｈ４的正四边形构进行计算，结果表明ＭＳ－Ｘα方法是研究子簇的有效方法。     

Br^—2,Cl^—2.诱导氧化磷酰化甲硫氨酸水溶液的脉冲辐解研究

采用脉冲辐解动态吸收光谱法研究了Ｂｒ＾－２和Ｃｌ＾－２自由在诱导氧化Ｎ－二异丙基磷酰化甲硫氨酸（ＮＤＭ）水溶液的过程，结果表明：Ｂｒ＾－２和Ｃｌ＾－２进攻ＮＤＭ中的硫原子形成含硫三电子键ＮＤＭ（Ｓ∴Ｘ）（Ｘ＝Ｂｒ，Ｃｌ）它们分别在４００ｎｍ和３９０ｎｍ处有最大吸收峰，形成和衰变均呈一级反应，测定了不同条件下氧化反应的速率常数，推导了反应机理，并从分子结构观点与甲硫氨酸水溶液的Ｂｒ＾－２．Ｃｌ＾－２     

荧光XAFS研究Si可稀浓度杂质的区域结构

荧光ＸＡＦＳ研究Ｓｉ晶体中等电子，缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Ｓｉ区域晶格形变的影响。相对于共价键长ＲＳｉ－Ｓｉ（０．２４０ｎｍ）来说，富电子杂质Ａｓ导致Ｓｉ晶格在Ｓｉ（１１１）方向的ＲＡｓ－Ｓｉ键长产生０．００４ｎｍ的反应增长，等电子杂质Ｇｅ的Ｒ－Ｇｒｅ－Ｓｉ和缺电子杂质Ｇａ和ＲＧａ－Ｓｉ键长收缩０．００２ｎｍ。     

多重散射团族理论对CO／NiO（100）NO／NiO（100）吸附系统的分析与比较

用多理散射团族（ＭＳＣ）理论对ＣＯ／ＮｉＯ（１００）和ＮＯ／ＮｉＯ（１００）吸附系统的Ｃ１ｓ近边Ｘ射线吸收精细结构（ＮＥＸＡＦＳ）和Ｎ１ｓ ＮＥＸＡＦＳ谱进行了详细的计算和分析。理论计算表明ＣＯ／ＮｉＯ（１００）是弱物理吸附,ＣＯ分子与表面的多极静电相互作用很弱,σ共振不依赖Ｃ－Ｏ键长的变化,ＭＳＣ方法分析表明,ＣＯ是以Ｃ原子朝下,吸附在衬底的Ｎｉ－Ｏ键上,可靠性因子计算显示Ｃ原子的吸附位置距Ｎｉ     

Ge＿xSi＿（1－x）合金中的键长及其对电子能带结构的影响

采用经验紧束缚理论，以类似闪锌矿结构的晶体模型模拟Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）合金，根据总能最小原则计算了Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）合金中的键长及点阵常数．同时以紧束缚方法计算了原子位置发生弛豫前后的电子能带结构，并与虚晶近似下的计算结果进行了比较．计算结果表明，Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）合金中的键长基本上与合金组分无关，各自接近于Ｇｅ，Ｓｉ晶体中的键长，与广延ｘ射线吸收精细结构（ＥＸＡＦＳ）测量结果符合得很好．原子位置的弛豫对合金的电子能带结构影响很小，对合金的电子能带结构起主要作用的是合金的化学组分无序．