BaB2O4-Na2B2O4-K2B2O4三元系的研究

本文用实验测定和理论计算相结合的方法,研究了BaB₂O₄-Na₂B₂O₄-K₂B₂O₄三元系.在对该三元系3个侧边二元系相图热力学分析的基础上,用非对称的Toop模型将二元系热力学数据延拓到三元系,计算了BaB₂O₄-Na₂B₂O₄-K₂B₂O₄三元相图,计算结果与该三元系的一个典型垂直截面的测定结果吻合很好.     

随高度变化的宁静日珥半经验模型

本文利用美国Kitt峰天文台McMath太阳塔13.5m摄谱仪观测到的1972年12月12日宁静日珥的光谱资料,通过非局部热动平衡计算,同时解流体静力学平衡、统计平衡、辐射转移方程以及粒子数守恒方程,得到了日珥四个不同高度处的半经验模型。根据这些模型,计算得到的八条谱线(H_α,H_β,H_γ,CaⅡH,CaⅡK以及电离钙的λ8498,λ8542,λ8662红外三重线)的谱线轮廓同观测结果相当符合。对半经验模型的研究表明,日珥表面处的压强和日珥内的湍流速度基本上不随高度而变化,日珥运动温度从日珥表层到中心单调减小。日珥表层的运动温度随高度增加而略有增加,但在日珥中心,温度随高度增加而显著减小,其梯度则迅速增加。研究还表明,在日珥表层,不存在辐射平衡,总辐射损失有一极大值,且主要来自L_α,CaⅡ的辐射损失同氢相比可忽略。在日珥中心则近似有辐射平衡。     

异核自旋体系Raman磁共振实验中多量子谱的分离和归属

从积算符理论和实验上详细研究了异核AX_n自旋体系(CHCl₃的CH双自旋体系,CH₂Cl₂的CH₂自旋体系,CH₃OH的CH₃自旋体系)Raman磁共振谱的多量子峰强度和共振频率对不同射频场强度及频偏的依赖关系,表明积算符理论的计算与实验不仅在弱射频场而且在强射频场时都符合得相当好.研究指出,小的射频场频偏虽然提高了多量子峰的灵敏度,但是它可能不利于多量子峰的分离和归属.强射频场将导致去耦现象的发生,使多量子峰无法观测;而太弱的射频场亦不利于各阶多量子峰的检测.在RMR实验中适当设置射频场频偏及强度可以使不同阶多量子峰在频率轴上按不同频率区域进行分离和归属.     

研究分子振动光谱的Fermi共振代数模型

提出了一种描述多原子分子振动能谱的Fermi共振U( 2 )代数模型 .在这一模型中 ,用U( 2 )代数描述键的振动 ,并考虑了伸缩振动和弯曲振动间的Fermi共振相互作用 .成功地把这一模型应用到H₂ O和AsH₃ 的最新观测的振动谱 ,并与其他模型的结果进行了比较 .计算结果表明代数模型能以较小的标准偏差描述分子的振动谱     

Si1-xGex/Si量子阱价带子带间跃迁的偏振特性及Kerr效应的研究

首先用Fourier红外吸收谱对p型掺杂的Si_0.75Ge_0.25/Si量子阱价带子带间跃迁的偏振特性进行了研究。实验表明TE和TM偏振光均能激发价带子带间跃迁,并在HH₁→HH₂跃迁中观察到很强的二向色性。同时分别在45°及垂直入射的情况下,对加有直流电场的样品进行Fourier红外电致吸收测量,首次得到样品在不同直流电场下吸收系数变化谱和折射率变化的电场依赖关系(Kerr效应)。在外电场作用下测得的较大△n(∝E²)及子带间跃迁的偏振特性表明,SiGe/Si半导体量子阱材料在焦平面阵式布列的集成线路及光电器件等应用方面具有潜在优势。     

一种DV—Xα计算d~N配位场谱的方法——对(CrF6)3-的应用

本文延伸通常的DV-X_α计算,应用Bird等人的配位场理论方法,提出一种理论计算过渡金属络合物的d^N配位场谱的方法。通过对(CrF₆)^3-的d³配位场谱的计算和与实验及其他理论结果的比较,表明该方法是方便而又有效的。     

激光晶体的Xα研究——Ⅳ.金绿宝石的DV-Xα-HF计算

本文首次报道了原子簇(BeCrO₆)^7-的DV-X_α-HF计算结果,给出了单电子能量本征值、晶场参数10D_q和电荷转移跃迁能量,并且把DV-X_α-HF方法推广到普遍的多重态计算和组态混合,我们的计算结果与激光晶体金绿宝石的吸支谱实验符合得很好,这表明DV-X_α波函数和双电子算符的结合可能为原子簇的多重态计算提供了一种较为简便而有效的方法。     

含氢硅单晶2210cm-1IR峰本质的理论研究——Ⅲ.峰型的温度效应和缺陷的对称性破缺

本文研究表明,除了200K附近异常峰宽外,2210cm^-1IR峰峰宽均是由声子散射和剩余峰宽决定。对于200K附近峰宽、峰型的异常变化,提出了该峰对应缺陷中心由低温的T_d对称性向高温的D_2d对称性转变的机制。计算表明,空位+4H模型确实具有两种状态:低于200K的T_d稳态和D_2d亚稳态及高于200K的D_2d稳态和T_d亚稳态。对称性破缺机制所给出的结果不仅在定性上,而且在定量上都能与实验相符,这证明V+4H是2210cm^-1IR峰对应的缺陷中心具有较高的可信度。     

脉冲星的分类和演化

定义了一个新的物理量Q=log(W_e/P^2/3)M 作为判据,把射电脉冲星划分成正常脉冲星和起源于双星系统的再循环脉冲星,并在这个分类基础上讨论了两类脉冲星的观测特征和演化.     

He-H2碰撞振动和转动激发截面的理论计算

本文对He-H₂体系构造了Tang-Toennies势,给出了A,b,C_2n随r变化的表达式,得到的色散系数C₆,C₈,C₁₀与公认比较准确的Meyer等计算结果符合得很好,也与Tang和Toennies计算结果符合得很好,从而使作者计算的He-H₂势函数,当r和R变化时,在大范围内均与比较准确的Meyer计算结果相符.利用我们构造的势函数计算了He-H₂碰撞的44种不同的振动-转动激发截面,并研究了原子-分子碰撞弹性分波截面和非弹性碰撞激发分波截面随量子数增加的变化规律.     

液-固界面上非镜面反射的波束位移的实验研究

采用Schlieren系统记录了在液 固界面上弱发散的超声波束的非镜面反射声场 ,并测量了界面上反射波束的波束位移 .研究的入射角θ _i扩大到在Rayleigh临界角θ _c 附近± 5°的范围 .实验发现弱发散波束的波束位移Δ是随θ _i的增加而减小的 .理论的计算表明 ,对于弱发散波束和弱会聚波束 ,Δ相对于θ _i 在θ _c 附近分别为递减函数和递增函数 .理论计算的Δ θ _i 曲线和实验点符合 .     

电荷密度波状态下的TaS_3的某些动态特性及其可能的电子学应用

本文对处在电荷密度波(CDW''S)状态下的TaS₃的直流及交流导电特性进行了仔细的观测,揭示出准一维导体TaS₃的交流响应中滞后现象及相移的存在,演示了准一维导体TaS₃在其转换温度以下所具有的强烈非线性导电特性的各种可能的电子学应用(包括频率转换、调制、外差等),展示了一类新的体效应CDW''S电子器件的可能性。文中还提出了一个电路模型,唯象地描述了所观察到的实验现现象。     

深能级电子(空穴)的热发射与振动熵

本文详细探讨了振动熵的改变量△S_a在深能级电子(空穴)热发射问题中的作用。导出了任意温度下△S_a的一般表示式。针对△S_a=0△S_a=P△S_cv两种重要情况,指出了由热发射率和俘获截面求得的热发射激活能的物理意义和求深能级有关参量的方法。用本理论分析了硅中金受主能级电子与空穴的热发射,由于它发射空穴时△S_a≌0,就焓的改变量而言,金受主能级钉扎在价带上。     

新型磁阻电动机磁路分析和参数计算

本文提出了等效磁路网络法,以计算内反应槽上设置有饱和磁桥、转子结构复杂的磁障式磁阻电动机的磁路和参数。本方法计及饱和效应,计算准确,可用于磁阻电机新型结构的设计和性能研究。在此基础上提出的新型磁阻电机的力能指标可获得较大提高。研究表明,磁阻电机关键参数X_q不仅与转子结构形状有关,还是电机其他参数和运行状态的函数。     

类星体宽发射线区模型

在类星体宽线区,通常的复合与碰撞激发发射线和Cerenkov 线三者并存。但是,由于“Cerenkov红移”使Cerenkov线光子避开了原子的共振吸收,从气体纵深处逃逸出来,即气体对Cerenkov线显得更为“透明”。对于光学厚的致密气体,只要有足够的相对论电子,Cerenkov线强就会超过通常的复合与碰撞激发线,成为主要机制。文中以 3C 273为例,表明只要Ne?10⁴—10⁶cm^-3,则计算的L_a线总光度即可与观测相符。     

C15化合物ZrZn2和ZrV2的磁性和超导性的自洽电子结构研究

本文介绍了新发展的体能带全电子完整势线性缀加平面波(FLAPW)方法,在计算立方Laves相C15化合物ZrZn₂和ZrV₂电子结构的首次应用.这两种材料的磁性和超导性,己用能带结构的结果进行了计算和讨论.计算分两种情况:(1)扭曲Muffin-tin(MT)势的自洽计算,(2)应用二次变分的完整势处理.上述计算都在达到自洽后将自旋轨道耦合效应包括进去.在MT球内的非球对称项对本征值的影响约为1mRy量级.但是,由于在Fermi能级附近存在着平坦的能带,它可能对E_F处的态密度产生值得注意的影响.分波态密度的仔细分析表明:ZrZn₂和ZrV₂之间最主要的差别是原子Zr和V产生的d带的位置不同. 本文通过计算广义Stoner因子,研究了这些材料的磁性.结果发现,ZrZn₂存在着磁反常而ZrV₂是非磁性的.这一结果同实验观察一致.理论预言ZrV₂的超导转变温度T_c～15K,而ZrZn₂约为4K.同以前的各种计算比较,本文结果有大幅度的改进.     

Cu1-xAux固溶体原子近邻结构的EXAFS研究

本文用扩展X射线吸收精细结构谱(EXAFS)研究了Cu_1-xAu_x固溶体中Cu,Au原子近邻结构.文中分别给出了不同成分时Cu-Cu,Au-Au和Au-Cu 原子对间距,发现它们与成分有着各自不同的依赖关系.表明了Cu_1-xAu_x固溶体中结构畸变的特征.由各原子对的间距计算出的合金平均原子间距随成分的变化与X射线衍射测量的结果一致,对Vegard定律有正偏离.文中还讨论了原子近邻间距的变化对这种偏离的影响.结果也表明,Cu_1-xAu_x固溶体中Cu原子有较大的无序度.此外,文中还对EXAFS数据处理和误差分析做了仔细的考虑和一些新的尝试.     

光纤中RM对SRS相对强度的影响

本文将喇曼混频(RM)作为影响光纤中多级受激喇曼散射(SRS)的主要因素,进行了理论研究。在理论分析中,同时计入RM和高级SRS,并提出了一组包括九个波的耦合微分方程组,计算了直到十级的SRS的数值解。用YAG:Nd Q-开关激光器、脉冲染料激光器和多模GeO₂·SiO₂玻璃光纤,对由单波长和双波长激光激励的多级SRS的相对强度进行了实验研究。理论分析结果和实验结果一致。实验上所观测到的SRS光谱是由于同时存在SiO₂和GeO₂四面体的形变振动而产生的。它们的振动频率为1.3×10¹³和1.4×10¹³赫兹。     

C60和C70薄膜光吸收谱研究 *

用透射光谱法和光热偏转谱法测得了C₆₀和C₇₀薄膜在宽能量范围(0.6到6.5 eV)的光谱,并计算了吸收系数.根据分子轨道模型分析了C₆₀和C₇₀薄膜的光跃迁行为.Fuller烯薄膜的弱吸收光谱与非晶硅的类似.用Tauc公式确定了C₆₀和C₇₀薄膜的光学带隙分别为1.75和1.65eV.Urbach吸收边和亚隙吸收表明Fuller烯薄膜中存在无序状态,导致带尾态和缺陷态,这虽非C₆₀或C₇₀薄膜所固有,但无序的存在给准确测定Fuller烯薄膜的禁带宽度带来障碍.讨论了偏转介质与衬底对Fuller烯薄膜的弱吸收光谱的影响.     

熔融LiCl及其急冷非晶键取向序的分子动力学模拟研究

本文进一步讨论了我们新近提出的等近邻数键球谐函数方法,并通过分子动力学模拟研究了熔融LiCl及其急冷过程。对计算机模拟各时间步产生的瞬态构型进行平均,计算了不同温度下键序Q_l谱.将模拟Q_l谱与线性组合模型Q_l谱比较,观察到模拟Q_l谱与含90％局部正四面体结构的组合模型十分相似,表明熔融Licl及其急冷非晶中局部键取向序明显倾向于正四面体序。急冷过程中不同温度下局部键取向序可用同一线性组合模型描述,但模型方差随模拟温度明显变化。方差随温度而降低,且在发生玻璃态转变时有一显著下降。不同温度下的键角分布也作了计算,观察到键角分布在109°(正四面体局部结构键角)附近且分布峰随温度升高而展宽,与键序Q_l得到的结论一致。