面内磁场中垂直布洛赫线的消失

当面内磁场大于某一阈值H_in′时,硬磁泡和硬畴段将变为正常泡和段。我们测量了不同磁泡材料的H_in′。随垂直于膜面直流偏磁场的增大,H_in′减小。观察到这种转变是一种弛豫过程,在适当条件下可以持续数秒或数十秒。采用Slonczewski和Malozemoff提出的面内场布洛赫点形核的概念对得到的实验结果做了定性的解释。 关键词：     

一次脉冲偏磁场作用下硬磁泡的形成

实验研究了一次脉冲偏场作用下外延石榴石膜硬磁泡的形成规律。通过实验和计算,证明了硬泡畴壁中同号的VBL一般地说并非一个脉冲产生一对。通过双重曝光照相法揭示出软畴段的硬化与畴段运动形式的关系,发现了最适于硬泡形成的两种运动形式,并阐明了“软硬磁泡形成的分界场”H_[b]的物理意义。 关键词：     

温度对普通硬磁泡的影响

实验研究了温度对外延石榴石磁泡薄膜中硬磁泡及其相应硬条畴的影响。发现了一个与材料参量有关的临界温度T₀当试验温度T0时,硬条畴畴壁中的VBL链在升降温后不变;而当T>T₀时,VBL链消失,所有硬磁泡都软化为正常磁泡。当畴壁中的VBL处于压缩态时,较硬的硬磁泡在较低的温度下软化。软化时,VBL消失的方式是整个VBL链的解体。 关键词：     

枝状畴的形成及分形维数计算

对于石榴石磁泡薄膜,提出了产生单个枝状畴（MBD)的“低静态偏磁场法”.MBD的形成是与其畴壁内垂直布洛赫线（VBL）的形核相联系的.随着静态偏磁场H_b从“枝状膨胀的临界偏磁场”H[d]的降低,相应的MBD的畴形变得越来越复杂,伴随有几类硬磁泡的相继形成.对MBD进行了分形研究,把线结构维数的计算应用于MBD极其弯曲的畴壁结构,定量地描述了它们的弯曲和分枝程度,并与其畴壁内VBL的形核联系起来. 关键词：     

系列脉冲偏磁场作用下硬磁泡的形成

实验研究了系列脉冲偏场作用下外延石榴石薄膜的硬磁泡(包括哑铃畴)的形成规律。发现系列脉冲对畴段的作用不是单次脉冲作用(软畴段硬化的物理过程)的简单迭加,而有其特有的规律性,存在着硬畴段进一步硬化及硬畴段软化的另两个物理过程。运用上述三个物理过程对实验结果作了解释。 关键词：     

面内场和静态偏磁场作用下条畴和泡畴的稳定性

实验研究面内场H_in和静态偏磁场H_b作用下,(111)面磁泡膜内条畴的消失过程。保持H_b恒定,增加H_in,测量条畴消失场H_s^*和泡畴消失场H_k^*与面内场方向β的变化关系。计及立方磁晶各向异性的影响,建立H_in和H_b共同存在时的条畴稳定性理论。定性解释了实验的主要特点。导出黑、白条畴同时消失时的角度 β_n=1/3(2nπ±arc cos│3/(2^1/2)(M_sH_b)/K₁│)(n=0,±1,±2,…)与实验基本符合。 关键词：     

面内场对三类硬磁畴的影响

采用直流偏场整形的方法,研究了面内场对石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴的影响.得到面内场作用下三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是逐步解体的,而且三类硬磁畴具有相同的临界面内场范围［H¹_ip,H²_ip］,其中H¹_ip是硬磁畴中VBL开始丢失时的临界面内场,H²_ip是VBL完全丢失 关键词： 硬磁畴 整形 垂直布洛赫线     

立方磁晶各向异性对面内磁场中条畴和磁泡稳定性的影响

在八个(111)面磁泡膜上,观察了施加面内(in-plane)磁场后在不同晶轴方向上条状畴的消失过程,测量了条畴消失场H_s^*和磁畴消失场H_k^*与面内磁场的方向的关系。本文计及立方磁晶各向异性,完善了面内磁场中条畴的稳定性理论。用该理论定性地解释了实验结果的主要特点。导出了H_s^*与立方各向异性及面内场方向的两种近似的理论关系,它们分别适用于面内场方向靠近和不十分靠近〈110〉晶轴的情形。它们和实验结果是大致符合的。在〈110〉晶轴上,理论关系具有下列简单的形式:H_k^*<110>=H_s^*<110>=H_k{1+(k₁/2K_u)-[al/h(4πM_s/H_k)²]^2/3},此式与实验结果符合得相当好。 关键词：     

三类硬磁畴的形成及静态特性

本文提出畴壁中含有大量VBL的石榴石磁泡材料的三类硬磁畴的分类标准,描述了它们的形成方法和静态特性,并示出典型照片。从形成条件可以合理地推论,畴壁中VBL数目的增加导致硬磁畴静态特性的质的变化。 关键词：     

脉冲偏场作用下石榴石磁泡薄膜中布洛赫线的形成

实验研究了石榴石磁泡薄膜中不同脉冲宽度下产生的硬磁畴的动态特性.结果表明：由零偏场下产生的枝状畴收缩而成的哑铃畴均逆时针转动,与产生枝状畴时所用的脉冲偏场的脉冲宽度无关.而固定直流偏场下由软畴段硬化而成的哑铃畴的转动状态,则与所用的硬化脉冲偏场的脉冲宽度有关.低脉冲宽度下硬化成的哑铃畴均逆时针转动,随硬化脉冲宽度的升高,出现混合转动向顺时针转动的过渡.由此揭示了直流偏场和脉冲偏场在石榴石磁泡薄膜中形成正、负垂直布洛赫线的作用. 关键词： 磁畴 磁泡 垂直布洛赫线     

ANNIHILATION OF VERTICAL-BLOCH-LINE CHAINS IN THE WALLS OF THE SECOND KIND OF DUMBBELL DOMAINS SUBJECTED TO JOINT STATIC BIAS FIELD AND IN-PLANE FIELD

Experiments were statistically carried out on the behavior of vertical-Bloch-line(VBL) chains in the walls of the second kind of dumbbell domains (IIDs) is garnet bubble films subjected to joint action of static bias field H_b and in-plane field H_ip. The curves of the four critical in-plane fields, (H_ip)_IID-ID (H_ip)_IID-OHB (H_ip)_IID-SB and H'_ip vs H_b were measured and explained. In particular, in terms of two series of IID photos, a new experimental manifestation of the unknown "number effect" of VBL chains was found.     

INFLUENCE OF IN-PLANE FIELD ON THE STABILITY OF VERTICAL BLOCH LINE CHAINS IN HARD DOMAINS OF GARNET BUBBLE FILMS

The stability of vertical Bloch line (VBL) chains was statistically studied for all three types of bard domains in garnet bubble films subjected to an in-plane field H_ip. With a set of integrate data taken from seven bubble samples and with two typical figures of a sample, four main features of the behavior of VBL chains subjected to H_ip were summarized.     

温度对垂直布洛赫线链解体临界面内磁场区间的影响

实验研究了温度对液相外延石榴石磁泡薄膜中条状普通硬磁畴壁内的垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链解体临界面内磁场区间的影响。发现存在一对特征温度T⁽¹⁾₀ 和 T⁽²⁾₀（前者比后者略低但均高于室温），在从室温到T⁽²⁾₀的每个温度Ｔ下，使ＶＢＬ逐渐消失的面内磁场Ｈ_ip都分布于一个与Ｔ有关的区间[H_ip⁽¹⁾(T), H_ip⁽²⁾(T)]内，称为临界面内磁场区间：H_ip^{＜H_ip(1)(T)时，ＶＢＬ链保持不变;H_ip(1)(T)< H_ip < H_ip(2)(T)时，随着Ｈ_ip的增加，越来越多的ＶＢＬ消失;H_ip > H_ip(2)(T)时，所有ＶＢＬ都消失。H_ip(1)(T),H_ip(2)(T)及H_ip(2)(T)-H_ip(1)(T)均随Ｔ的升高而下降，前二者分别于T(1)₀ 和 T(2)₀降为零。比值H_ip(2)(T)/H_ip(1)(T)随Ｔ的升高而升高，在低温段（包括室温）升高缓慢且约为21/2,在T(1)₀附近急剧升高且至T(1)₀时趋于∞。对以上结果做了理论分析。 关键词：}     

STABILITY OF SECOND KIND OF DUMBBELL DOMAINS SUBJECTED TO AN IN-PLANE FIELD AT DIFFERENT BIAS FIELDS

The softening process of the second kind of dumbbell domalns(liDs) in garnet bubble films subjected to an in-plane field H_ip at different static bias field H_b was studied experimentally. It was found that when H_b is larger, the remaining percentage of IID, R_IID, drops sharply at a certain H_ip, and with the increase of H_b the drop occurs at lower H_ip and becomes more intensive. We have confirmed that this is related to the "spontaneous-shrink" 0f IIDs, which plays an important role for the breakdown oF vertical Bloeh line chains of lids subjected to joint fields H_ip and H_b .