向列型液晶中分子短程关联的研究

向列型液晶中的分子短程关联有重要物理效应。但取向两体势包含高阶项时，现行理论不能给出可靠计算。本文在格胞理论的基础上发展新的数值方法解平衡态方程。我们不对取向分布函数作任何经验展开而得到精确的分子取向分布。给出了向列相一各向同性相转变点的序参数、熵变等量的准确数值结果，从而得到短程关联对推广的平均场理论的修正。 关键词：     

液晶胆甾相中的分子短程关联

向列相液晶的二粒子集团理论被推广应用于研究胆甾相二维模型.手征性分子固定在三维简单立方晶格的格点上,而分子取向限制在二维.理论结果表明,平衡态螺旋波矢依赖于温度的变化,且存在胆甾相到向列相相变.通过考虑分子间短程关联,二粒子集团理论的数值结果较平均场理论更接近Monte Carlo模拟结果.     

磁场作用下向列型液晶中的分子取向短程关联

从分子统计理论的观点研究磁场对向列型液晶的作用。将向列型液晶的格胞理论推广到包含磁场作用的情况。这一理论考虑了分子取向短程关联。向列相序参数对约化温度的依赖关系和每个分子的约化内能对约化温度的依赖关系，与计算机模拟结果符合得相当好。计算了各向同性相最低过冷温度，理论结果与实验值和分子场理论的结果进行了比较。     

向列型液晶中短程序的计算

向列型液晶中的短程序有重要的物理效应。本文在格胞理论的基础上,用新的数值方法计算这些效应。不用任何函数展开,通过平衡态方程送代求解,得到精确的取向分布函数。从而计算各种物理量,给出了相变点序参数、熵变等量的精确数值。     

双轴分子构成向列型液晶中向列序的计算

通过格胞理论研究双轴分子构成的向列型液晶。发展新的数值方法液晶中的向列序。不用任何函数展开,通过迭代方法求解平衡态方程得到精确的取向分布函数。计算了序参数和单分子内能对温度的依赖关系。给出了有关物理量在向列相一各向同性相相变点的值。数值结果较分子场理论更接近于Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ模拟的结果。     

变温FT-Raman光谱研究一种手性液晶的相变

利用ＦＴ－Ｒａｍａｎ光谱研究了一种含手性基团的液晶分子的相变过程，并对不同温度点及相转变点的拉曼光谱进行了简单的指认，对在不同晶体中分子的结构与取向进行了简单的分析。     

液晶近晶C相的统计理论

采用格胞模型,由自由能极小导出了分布函数满足的积分方程。定义了分子取向序参量、质心位置序参量及两者耦合的序参量。选用适当的两体势,求得分布函数近似解和相应自由能表达式。由此知S_C—S_A相变可以是二级相变,也可以是一级相变。对TBBA,TB8A和NOBA的倾斜角和序参量随温度变化,以及相变点附近熵变和热容量,作了数值计算。还计算了TBEA和4-n-alkoxybenzylidene-4′-aminozobenzens同系物的相变温度随分子链长度的变化。结果与实验相符。 关键词：     

摩擦基板间液晶薄层的分子场理论

提出一种新的表面作用势用于描写摩擦基板对液晶分子的作用.通过分子场理论研究摩擦基板间的液晶薄层,基板作用使液晶分子沿面平行排列.采用Lebwohl Lasher模型,将分子质心固定在简单立方晶格的格点上.对20个分子层构成的液晶薄层进行了数值计算.存在3种分子优先取向方向不同的状态,优先取向方向沿摩擦方向的状态具有最低自由能,并考虑了基板作用引起的双轴对称性.     

向列型液晶分子理论中的短程关联

本文提出了向列型液晶的格胞理论,为研究分子短程关联提供一个可计算的理论模型。对PAA作了数值计算。理论值较其他理论有不同程度的改进。讨论了分子关联对计算结果的影响以及格胞理论与其他理论的联系。 关键词：     

外磁场作用下液晶中向列序的计算

在格胞理论的基础上计算外磁场作用下液晶中的向列序，考虑分子短程关联后，序参数和内能对磁场强度的依赖关系与计算机模拟结果较好地符合。克服了平均场理论遇到的困难。     

组态互作用法在分子带系振子强度计算中的应用

选择所有单、双电子激发组态及部分三电子激发组态,用CI法计算了N_2第四正带系的振子强度、其值为0.04673,与实验值吻合。     

金属钠团簇物理性质的变分计算

在球凝胶模型下，利用密度泛函理论和能量变分原理来计算具有壳层结构（幻数团簇）的金属钠团簇的物理性质，包括总能量Ｅ、静电极化率ａ０、集共振频率ωｒ和抗磁化率％等物理量，并把所得结果与实验值进行了比较。     

地幔矿物光子热传输理论的研究

本文采用非平衡量子统计方法,讨论了地幔矿物光子热传输的四种不同情况,并得到了光子热导率的计算公式.若地幔中不存在相干结构的辐射热传输时,在上地幔下部和过渡带,光子的热导将不是热传递的主要机制.     

多路光导纤维探测系统的设计和实验结果

本文给出了多路光导纤维探测系统的原理及初步实验结果。探测系统的空间分辨能力为1.2mm,时间分辨能力由采样速率来决定。利用本系统测量了氦灯中He I 5875体发射系统的时间—空间变化。其结果与理论分析相吻合。     

MgB2超导体的正电子湮没研究

本文利用正电子湮没技术（PAT）对不同密度的MgB2样品分别进行了测定，结果发现正电子在MgB2中自由态的湮没时间（本征寿命τ1）和在捕获态的湮没时间（缺陷寿命τ2）比其他高温超导体都明显要高，这反映了MgB2的体电子浓度相对于其它超导体要低，可能归因于MgB2超导材料本身的晶体结构和化学组成，MgB2超导材料的正电子寿命不仅与晶体的结构缺陷，而且与样品的密度或孔隙度有关．     

高T_c超导体YBCO磁通钉扎的计算机模拟研究

临界电流密度Jc是影响高温超导体在强电领域应用的一个重要参数,在实际应用中,特别在外加磁场下,临界电流密度与超导材料的磁通钉扎性质密切相关.因此,磁通钉扎一直是高温超导体研究中的一个重要领域.由于高温超导体磁通钉扎力密度Fp的标度律存在,本文根据D.Dew-Hughes总结的钉扎力函数,主要存在两种主要作用类型(正常相和△K).我们将D.Dew-HugBes给出的钉扎力密度Fp标度函数改进为一个简化的具有物理意义的函数表达式.结合文献中已有的实验数据,我们对YBcO进行了计算机模拟,确定了它的磁通钉扎类型,模拟的研究结果与实际情况比较吻合.     

Cd_xHg_（1－x）Te／SiO_2固溶体微晶掺杂玻璃三阶非线性光学性质的

本文首次报道了对采用溶胶凝胶和原位生长工艺制备的Ｃｄ_ｘＨｇ_(１－ｘ)Ｔｅ／ＳｉＯ_２固溶体微品掺杂玻璃进行的三阶非线性光学性质实验研究及其结果。利用回返式简并四波混频技术，测得该固溶体掺杂玻璃的三阶非线性极化率的值为１０￣（－１２）ｅｓｕ量级。此结果比纯ＳｉＯ_２基体提高了２个数量级。表明该固溶体掺杂玻璃三阶非线性明显增强，在同样条件下，测得ＣＳ_２的三阶非线性极化率ｘ（３）为（１．７±０．２）×１０￣(－１２)ｅｓｕ，与国际上报道完全一致。     

利用半经典微扰理论研究H－H_2O的非弹性碰撞—H_2O的转动、振动激发

利用半经典微扰理论计算了在Ｈ－Ｈ２Ｏ的非弹性碰撞中的Ｈ２Ｏ分子的转动、振动激发，并将计算结果与实验结果进行比较。计算中采用了Ｓｃｈａｔｚ和Ｅｌｇｅｒｓｍａ的半经验势能面，水分子的势函数，包括了谐振和非谐振力函数，在考虑了振动和转动耦合的情况下，通过半经典微扰理论来确定水分子末态的振动量子数。在Ｌｏｖｅｊｏｙ等人最近进行的实验中，当热氢原子入射时，水分子的转动和振动被激发了，而且发现水分子的转动角动量有垂直于水分子平面优先激发的趋势。我们的计算也得到出了相同的结果。     

逐差法弥补了算术平均法处理数据的不足

本阐述了逐差法弥补算术平均法处理数据的不足，指出逐差法配合作图法组织教学更直观更形象，用逐差法能获得近似最佳直线方程。     

模压全息图母版的拍摄研究

目前拍摄模压全息母版用的记录材料都是光刻胶.本文从它本身的特点(灵敏度低,浮雕型相位光栅和拍摄对象是散射物体等)出发,指出要拍摄出质量好的光刻胶母版应当注意到的问题.诸如拍摄参数的选择应同时考虑到衍射效率和信噪比、照明的均匀性问题、逆共轭光再现、消偏振、相干长度、外界振动对拍摄的影响问题.通过分析表明高质量的全息图不可能靠延长曝光时间来获得,使用相干性好的大功率激光束来拍摄,是非常有必要的.