中国物理学会第一届胡刚复、饶毓泰、叶企孙、吴有训物理奖获得者简介

中国物理学会胡刚复物理奖(实验技术) 获得者 洪朝生 洪朝生,男,1920年生,1940年毕业于清华大学电机工程系,1945年去美国学习物理,1948年获美国麻省理工学院博士学位,1948-1951年,先后在美国普度大学和荷兰莱顿大学从事博士后研究工作,1952年起至今,先后任清华大学、北京大学、中国科技大学物理系教授,中国科学院物理研究所、中国科学院低温技术实验中心研究员,1981年当选为中国科学院数理学部委员. 洪朝生从事固体物理、低温物理、低温技术方面的研究工作.1950年,他在半导体锗单晶低温输运现象的实验中发现杂质能级上的导电现象,形成了杂质…     

创立量子力学的睿智才思(续1)——纪念矩阵力学和波动力学诞生80～81周年

4矩阵力学的诞生4.1海森伯走向量子力学之路海森伯(Werner Karl Heisenberg,1901—1976),德国人,1911年进Maxi millian Gymnasium,1920年进慕尼黑大学,师从索末菲,1923年获博士学位②.在慕尼黑大学期间他曾于1922年6月去过哥廷根大学听被邀的玻尔作报告,又于1922—1923年冬到哥     

第十八届国际低温物理会议介绍

第十八届国际低温物理会议(LT18)于1987年8月19—26日在日本京都国际会堂召开.这是三年一次的大型国际会议,内容很广泛,包括低温物理的各个领域.本次大会共有40多个国家的约1500位科学工作者参加,收到学术论文约1400篇(其中约半数来自日本本国),是一次规模空前的盛会。为了便于进一步深入讨论交流,最近几届大会都在会议召开前后安排一些较小规模的专题“卫星”会议.1987年的卫星会议有:“安德森局域化问题”(在东京大学,8月16—18日);“极低温会议”(在名古屋大学,8月27—30日);“国际超导电子学会议(ISEC’87)”(在东京大学,8月28—29日…     

张志三的生平和科学贡献(1920-2003年)

张志三先生是光谱学家，早期致力于原子发射光谱应用的研究，建立了较完善的分子光谱实验室，为我国光谱学的发展做出了贡献，他热心进行激光光谱的应用研究，促进了我国激光物理、原子、分子物理的发展，张志三先生因病于2003年9月20日在北京逝世，为表达我们的哀思和怀念，特转载张道中研究员撰写的《张志三先生的生平和科学贡献(1920—2003年)》一文。     

国产GaAs二极管的低温性能

在低温下,二极管正向压降是随着温度的降低而增加.早在六十年代初期,利用二极管的这一特性,探索低温测温技术就已引起人们的广泛兴趣.1966年GaAs二极管温度计进入了商品市场.为低温测量、控温技术增添了新的内容。 人们通常认为.GaAs二极管温度计的优点为(1)量程宽(1—400K),(2)受磁场影响不大.但是,有的GaAs二极管在30K下灵敏度不高,有的在10—20K有一灵敏度的     

纳米硅薄膜的低温电输运机制

在很宽的温度范围(500—20K)研究了本征和不同掺磷浓度的纳米硅薄膜的电输运现象.发现 原先的异质结量子点隧穿(HQD)模型能很好地解释薄膜在高温下(500—200K)的电导曲线,但 明显偏离低温下的实验值.低温电导(100—20K)具有单一的激活能W,并与k_BT值 大小相当(W～1—3k_BT),呈现出Hopping电导的特征.对HQD模型做了修正,认为 纳米硅同时存在两种输运机制：热激发辅助的电子隧穿和费米能级附近定域态之间的Hoppin g电导.高温时(T 关键词： 纳米硅薄膜 低温电导 电输运     

炭电阻低温温度计(Ⅳ)

本文报道了炭电阻低温温度计批量性元件低温性能实验结果:低温稳定性、低温复现性、电阻-温度关系式等.并给出0—5.4T,小于4.2K 和0—10T、4.2K 的磁致电阻曲线.     

什么在强激发Ⅱ—Ⅵ族化合物中发光,双激子、杂质跃迁还是电子—空穴等离子体?

为探讨低温下强激发Ⅱ—Ⅵ族化合物中观察到的所谓M—和P—发射带的起因,使用激发光谱研究了5K下的Cds。利用非弹性散射过程、双激子、杂质跃迁以及电子——空穴等离子体(EHP)等过程,讨论了我们的以及其他作者已发表的结果。讨论表明,Ⅱ—Ⅵ族化合物中强激发的发光主要来自非弹性散射过程和低温下的杂质跃迁,而EHP和双激子衰减所导致的发光则较小。     

重电子金属CeCu(6-x)Nix低温电阻与比热的研究

测量了重电子金属CeCu6-xNix(x=0,005,01,015,02)01K—250K的低温电阻和5K—70K低温比热,发现样品电阻的极大值温度随着掺Ni含量的增大而急剧下降,这一现象反映少数与Ni邻近的Ce离子在极低温下磁矩的加强和整个Ce离子点阵对导电电子相干散射的减弱.与此相反,低温电子比热系数γ在较低温度下近于常数,而在8K附近因有效质量变大而明显上升,但γ明显上升的温度,对Ni的含量却不敏感,表明绝大部分Ce离子的状况并未受到影响 关键词： 重费米子系统 低温比热 低温电阻     

光学材料 发光材料、荧光材料

O482.31 2004053882 低温扩散Mn离子研制橙色电致发光材料=Study of orange electroluminescent phosphor with manganese ions diffusion at low temperature[刊,中]/朱宁(天津理工学院光电显示研究室。天津(300191)),孟宪械…∥半导体光电。—2004,25(3)。—201-202 用低温扩散锰离子的方法,制作了较高亮度的电致发光材料。材料的晶体结构由X射线衍射分析,实验结     

气体温度计及其对低温热电偶定标的实验技术

本文介绍利用气体温度计定标低温(77.3—273K)热电偶(金铁—镍铬或铜—康铜)的实验过程。着重描述气体温度计实验技术。本实验现象直观,操作细致,实验结果与标准值基本符合。适于教学。     

固体的低温物性

1978年8月23—29日在法国Grenoble举行的第十五届国际低温物理学会上,固体的低温物性是最大的一个分组,分八个方面,宣读了300多篇论文.本文扼要介绍其主要成果。     

黄嘌呤甲基衍生物的发光特性研究

本文对3种黄嘌呤类化合物(咖啡因，茶碱，可可碱)的液氮低温荧光(LTF)、低温磷光(LTP)、室温流体荧光(RTF)及滤纸表面室温磷光(PS-RTP)发光光谱特性进行了对比研究。研究表明，这3种物质的LTF、LTP、PS—RTP及RTF的最大激发波长λex在270—295nm范围内，最大发射波长λem在385—445nm范围内，且它们的λex和λem不论在什么状态下都非常相近。本文也对这3种物质的荧光量子产率、滤纸基质室温磷光(PS—RTP)寿命、偏振等性质进行了比较研究。实验表明：咖啡因、茶碱和可可碱的PS-RTP的寿命均在0．1s数量级，属于长寿命磷光，且PS--RTP为非完全偏振光。     

语音编码

今天讲的题目是:为了实现语音信号的有效存贮和传输而进行的语音数字编码。 首先讲点这方面的历史。 1954年我在格廷根大学做建筑声学方面的博士论文。然后,到美国贝尔电话实验室,并决定从事语言声学的研究工作。1928年贝尔实验室的工程师Dudley发明了声码器,文章公开发表于1935年。声码器(Vocoder)就是语言编码。它的发明并不是偶然的。当时有许多人如H.Nyqust,R.Hartley,C.Shannon等人都在考虑通信信道的信息量问题。而1920年以前,商业上是从信息压缩的角度来考虑问题的,1920年人们开始考虑频带的压缩了。     

低温下风速、辐射和湿球直径对湿球温度的影响

一、前言 1988年1989年分别发表过常温和中温下实测湿球温度与风速,湿球直径和辐射的关系曲线的实验研究;本文是研究5——15℃时的实验曲线及其关联式。 在生产上和日常生活中及医疗上经常需要保持较低的温度。如冷库中储存的肉及食品,医疗上如脑血管病需要局部保持一段时间的低温进行治疗。这些低温要求空气的相对湿度一定不能太高或太低,特别是肉类、食品的保存。如果相对湿度太低肉类及食品易     

忆叶企荪师祖往事

叶企荪先生1898年7月16日出生于江苏省上海县（今上海市），早年从清华学校肄业后赴美，1920年毕业于芝加哥大学（与1920年毕业于南京高等师范学堂的胡刚复先生的学生吴有训先生同期大学毕业），获理学士，1923年在哈佛大学获哲学博士．1920年～1923年叶企苏先生在哈佛大学与胡刚复先生先后在同一导师W．Duane教授那里所进行的Planck常数h精确测定工作（博士论文）给物理学深入研究原子结构、亚原子结构、核结构和高能粒子结构、甚至反物质等微观结构提供了更精确（16年后的1939年才有较叶先生所定更加精确的h值）的能量子自然单位．其对…     

非晶Pd_(0.775)Si_(0.165)Ag_(0.06)合金的低温电子比热

用非绝热量热法测量了非晶Pd_(0.775) Sl_(0.165),Ag_(0.06)合金在4.2—77K的比热。此合金在低温下的电子比热为4TmJ/mole.K,德拜温度θ_D为221.1K。从低温电子比热研究合金的Fermi面态密度,讨论了态密度降低的原因。     

光学工艺

光学加工工艺与设备TN305.22006021680GaAs/InP低温晶片键合的研究=Lowtemperature GaAs/InP wafer bonding[刊,中]/王兴妍(北京邮电大学光通信中心.北京(100876)),黄辉…∥半导体光电.—2005,26(6).—512-514将硫脲溶液用于GaAs/InP基材料低温晶片键合的表面处理工艺,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的低温(380℃)晶片键合,并通过界面形貌,解理后断裂面,键合强度及键合界面I-V特性对键合晶片进行了分析。图6参5(杨妹清)TQ171.62006021681大型非球面主镜能动磨盘加工模型=Manufacturing mod-el research of active lap for la…     

低温高压下的Na5Eu(WO4)4的发光和晶体场参数

用低温金刚石对顶砧高压显微光谱系统在20—300K低温和0—10GPa高压范围内研究了白钨矿型化学计量的基质发光晶体四钨酸铕钠Na₅Eu(WO₄)₄中Eu³⁺的发光.确定了Eu³⁺荧光谱线和能级在低温下的压力移动率.它随温度变化,表明温度和压力对Eu³⁺谱线作用不是独立无关的.按晶体场理论简化方法推导了能级的晶体场参数表达式,并按实验数据拟合出在不同低温下晶体场参数随压力的移     

近46年来中国温度破纪录事件的时空分布特征分析

利用概率分布理论和中国近46年逐日最高、最低温度资料,对中国近46年来高温、低温破纪录事件频次和强度的时空分布特征进行了统计分析.结果表明：1976—2005年以来,中国实际检测年均发生高温破纪录事件频次多于理论值2.5次左右,而低温破纪录事件则少于理论值约4.5次,这与全球增暖趋势相一致.高温破纪录事件多发生于中国西北、华北、东北和青藏高原一带,低温破纪录事件则相反,在这些地方明显偏少;在温度破纪录事件年发生频次相对趋势上,中国大部地区高温破纪录事件频次有一定程度的增加而低温破纪录事件呈现普遍减少趋势; 关键词： 破纪录事件 气候变化 极端事件 中国气候