一种新型的Bragg光纤光栅电流传感器的设计

提出了一种新型的光纤光栅高压电流传感器。该系统由Bragg光纤光栅电流测量部分和温度补偿部分组成。在测量过程中,采用了匹配光栅解调方法,其动态测量范围比通常的干涉法光纤电流传感器大,且系统不受外界电磁干扰的影响,可实现高压电流的在线测量。     

数字式磁光光纤电流计

设计了一种数字式磁光光纤电流计。该装置所运用的测量方法是电力系统中高压大电流测量技术的一个新方向，随着光纤技术和电子器件可靠性的发展，这一新型大电流检测技术可望得到推广使用。     

DAC加载下材料高压声速的激光超声测量技术

 设计并建立了可测量金刚石压砧（DAC）加载下材料高压声速的激光超声系统。该系统采用脉宽为6.3 ns的调Q激光器作为超声波激发光源,使用光纤位移干涉仪和速度干涉仪混合系统进行超声位移探测,不需要借助其它任何参数即可直接测量样品的高压声速和原位厚度。利用该系统,测量了2.6 GPa压力下铜样品的高压纵波声速和原位厚度,并给出了测量结果。     

集磁式光纤电流传感器的研究

设计了一种应用块状磁光材料与集磁环相结合的集磁式光纤电流传感器。介绍了该传感器的结构及工作原理，构建了光纤电流传感器实验系统并进行了测试。实验结果表明，该集磁式光纤电流传感器在30kV工作电压下可准确实现30kA脉冲或连续电流的测量，为电力系统中高压大电流测量提供了一种切实有效的方法。     

高压脉冲波的电晕电流测量方法

在观测高压脉冲电晕放电时，因脉冲电晕电流中除了有离子电流外，还有位移电流，并且位移电流是比离子电流大2—3个数量级，因此，受到位移电流很大影响，给测量工作带来很多困难，本文介绍一种对高压脉冲电晕电流的测量方法，它能解决位移电流对电晕电流的波形测量的影响，能定量的测出离子流的平均电流，离子电流的逐值，离子电流峰值到接收极的时间等参数．一、实验装置本实验装置如图1，它是由高压脉冲电源”’、电晕线、金属屏蔽网、接收极、直流电源、电容C、取样电阻等组成．二、出且原理与方法高压脉冲电源能方便地改变高压脉冲输…     

一种3×3Sagnac光纤高压电流传感器的设计

提出了一种新颖的光纤干涉型电流传感器结构 ,对其工作原理进行了分析 ,导出了其光路部分的数学模型 ,并通过实验验证了该传感器设计的合理性。与法拉第磁光效应的光纤电流传感器相比较 ,该传感器能自动补偿光纤固有的双折射和温度等环境变化产生的干扰以及光源幅度噪声的影响等优点 ;与一般干涉仪相比其工作动态范围可以扩大数百倍。     

延迟线长度对全光纤光学电流互感器的影响

基于法拉第效应的Sagnac干涉仪型光学电流互感器可精确测量电流,因此受到广泛关注。延迟线在典型的串联型电流互感器结构中起到不可或缺的作用,其长度变化会影响系统输出,从而有可能使解调出的法拉第相移引入误差。通过对琼斯矩阵得出的理想系统输出进行理论分析与数值仿真实验,研究了延迟线长度变化对尺度因子的影响。研究结果表明,在一定条件下,延迟线长度失匹配会使尺度因子误差超过0.2%,而温度变化导致的延迟线光程变化产生的尺度因子误差不够明显。因此,建议在采用典型的串联型Sagnac结构及该解调方案时,延迟线长度最好与调制圆频率相匹配,如有特殊需求,实际长度与匹配长度的偏差不要超过50m,或者将所有器件整合在一起,采用专用线传输。     

容性设备在线监测装置现场校验系统的开发

针对变电站各类高压容性设备在线监测装置的现场校验,提出一种新的容性设备在线监测装置校验方法并研制出相应的校验系统,校验项目涉及：全电流,阻性电流,容性电流,介损因数。该校验系统由信号采集无线发送装置和检定装置组成,信号采集无线发送装置将现场变压器二次侧电压作为参考电压通过无线传输方式传入检定装置,检定装置内的控制模块根据预设指令及参考电压信号控制内部数控交流电流源生成一路与电网电压频率同步,幅值和相位可调的电流信号。将该电流信号耦合到容性设备在线监测装置电流传感器,通过比较耦合前后装置相应监测量变化值与校验系统设定值的误差,达到校验容性设备在线监测装置有效性的目的。实验证明,该校验系统输出电流指标满足现场校验的要求。     

感应屏蔽型高温超导故障电流限制器测试系统

根据感应屏蔽型高温超导故障电流限制器的基本原理 ,研制了一套限流器动态性能测试系统 ,用于实时检测在额定状态和故障状态下限流器的电流、电压。详细地阐述了该测试系统的基本原理 ,给出了系统的软、硬件组成及实验结果     

ICP刻蚀工艺对LED阵列电流输运特性的影响

在制备串联高压LED阵列工艺中,ICP刻蚀工艺引起的漏电与断路问题是高压LED电流输运特性中的核心问题。本文着重从刻蚀深度、掩模材料以及隔离槽制备方面分析了ICP刻蚀工艺对高压LED的漏电、电极开路等电流输运问题的影响。通过随机抽取样品进行电学测试并结合SEM观测,对比了不同工艺过程,得出ICP工艺是导致串联高压LED阵列中可靠性问题的主要原因。并通过优选ICP刻蚀工艺,使高压LED电流输运特性得以改善,制备出~12 V的四串联高压LED阵列器件。     

基于AT89C51数控电流源的设计

系统以AT89C51单片机为主控制器,由电流源、DA转换、AD转换和LED数码管等模块组成。利用电流负反馈和键盘设置,实现数控直流电流源,并能将预设的电流值与实际值在数码管上交替显示,通过检测证明本系统输出电流稳定。     

磁光式无源传感器测量脉冲电流

利用国产磁光玻璃材料、发光二极管LED以及光电二极管PIN,制成了一套磁光式无源传感器,用来测量脉冲电流。这套测量设备的上升时间为300ns,可用来记录雷放电电流、等离子体实验中的脉冲电流及高功率脉冲装置中的电流。     

The persistent current in an Aharonov－Bohm ring with a side-coupled quantum dot

We have investigated the persistent current in a mesoscopic ring with a side-coupled quantum dot. The problems are probed by using the one-impurity Anderson Hamiltonian and are treated with the slave boson mean field theory. It is shown that the persistent current in this system has the spin fluctuations, and the charge transfers between the two subsystems are suppressed in the limit of Δ/T_K^0《1. The minimum value of the persistent current for ξ_K/L=5 of the odd parity system provides an opportunity to detect the Kondo screening cloud.     

波长积累效应对光学玻璃电流传感器输出影响的理论分析

在单层保偏膜式光学玻璃电流传感系统中,费尔德(Verdet)常数、线性双折射和反射相移都是光波长的函数即存在色散特性,因此在采用宽带光源时系统中会产生波长积累效应。先给出了三者的色散特性公式,再对其波长积累效应进行理论分析和计算机仿真。研究结果表明,在所考虑的线性双折射和反射相移的量值范围内,波长积累效应对光学玻璃电流传感系统影响甚微,用单色光模型处理宽带系统的做法是合理的与可行的;光源谱宽变化对系统输出的影响小于0.025%,在考虑三者的联合影响时,Verdet常数色散的影响占主导地位,而且整体上系统输出随光源谱宽的增加而有微弱增加。     

Valley Hall effect and Nernst effect in strain engineered graphene

We theoretically predict the existence of tunneling valley Hall effect and Nernst effect in the normal/strain/normal graphene junctions, where a strained graphene is sandwiched by two normal graphene electrodes. By applying an electric bias a pure transverse valley Hall current with longitudinal charge current is generated. If the system is driven by a temperature bias, a valley Nernst effect is observed, where a pure transverse valley current without charge current propagates. Furthermore, the transverse valley current can be modulated by the Fermi energy and crystallographic orientation. When the magnetic field is further considered, we obtain a fully valley-polarized current. It is expected these features may be helpful in the design of the controllable valleytronic devices.     

大功率GaN基发光二极管的电流扩展效应及电极结构优化研究

定性分析了GaN基LED的电流扩展效应,发现电流密度和电流横向扩展的有效长度对电流均匀扩展有很大影响.基于此,对GaN基大功率LED提出了优化的电极结构,以减缓电流拥挤效应,降低器件串联电阻.通过用红外热像仪测量器件表面的温度分布,发现具有优化的环形插指电极结构的GaN基大功率LED表面温度分布比较均匀,证明芯片接触处电流扩展均匀,局部电流密度降低,减小了焦耳热的产生,增强了器件的可靠性. 关键词： 氮化镓 发光二极管 电流扩展 电极结构优化     

大功率GaN基发光二极管的电流扩展效应及电极结构优化研究

定性分析了GaN基LED的电流扩展效应，发现电流密度和电流横向扩展的有效长度对电流均匀扩展有很大影响.基于此，对GaN基大功率LED提出了优化的电极结构，以减缓电流拥挤效应，降低器件串联电阻.通过用红外热像仪测量器件表面的温度分布，发现具有优化的环形插指电极结构的GaN基大功率LED表面温度分布比较均匀，证明芯片接触处电流扩展均匀，局部电流密度降低，减小了焦耳热的产生，增强了器件的可靠性.