CdS(Se)掺Cu薄膜的相结构和光电性能

分别采用X射线衍射（XRD）、俄歇电子谱（AES）、X射线光电与谱（XPS）研究喷涂烧结CdS(Se）薄膜在有氮气氛下热退火前后结构，并进一步研究了镉和硫化学态对表面层氧成分的影响，结果表明，表现几个原子层范围内的CdS(Se)膜的非化学计量组成和CdO降低了薄膜的光电性能和寿命。     

纯氮气反应溅射c-轴择优取向AIN薄膜的制备及性质研究

在纯氮气气氛、衬底温度为20℃至370℃的条件下,分别在硅（100）和石英衬底上沉积氮化铝薄膜．原子力显微镜图片表明：在不同衬底温度制备的薄膜表面平滑,均方根粗糙度为2．2—13．2nm．X射线衍射图谱表明：可以在衬底温度为180°条件下沉积出具有c-轴择优取向的纤锌矿氮化铝薄膜,衬底温度的增加有利于薄膜结晶性的改善．由紫外-可见光透射谱计算得到薄膜折射率为1．80～1．85,膜厚约为1μm、光学能隙为6．1eV．     

MOCVD方法在Ni/Si(111)模板上生长ZnO薄膜

用常压金属有机化学气相外延方法在Ni／Si（111）模板上生长ZnO薄膜，研究了ZnO低温缓冲层的厚度（50h，300h）对薄膜性能的影响。采用原子力显微镜，X射线衍射和光致发光光谱仪对这些样品进行分析。结果表明：缓冲层的厚度对zno外延薄膜的表面形貌、晶体结构及发光性能都有较大影响。在50h～100A低温缓冲层上生长的ZnO外延膜，晶粒尺寸大小均匀，发光和结晶性能良好。     

射频溅射法制备掺铂TiO2薄膜的基本性质

用射频反应溅射法制备了掺铂的TiO2薄膜．用X射线衍射仪(XRD)，紫外-可见(UV—vis)光谱仪，电子扫描显微电镜(SEM)和X光电子能谱分析仪(XPS)对薄膜的基本性质进行了表征．研究结果表明：掺铂可以显著促进锐钛矿相的生长；TiO2薄膜在紫外的吸收边发生红移，其光谱响应范围得到了提高；铂氧化物的分解，促使薄膜表面出现了分散分布的微米尺寸岛状突出物，同时导致单质铂在薄膜表面发生富集．     

过氧聚钨酸薄膜上光栅的制备

用过氧聚钨酸（PPTA）水溶液，通过离心涂膜法在显微镜载玻片上制备了具有光滑表面且厚度为100nm的PPTA薄膜，利用PPTA薄膜在紫外光照下可研制光栅以及其它光学元件的薄膜材料，具有很高的利用价值。     

D38R突变对细菌视紫红质光循环后半程M态和N态的影响

用重叠PCR的方法，定点突变细菌视紫红质（bacteriorhodopsin，BR），克隆到单突变体BRD96N和双突变体BRD38R/D96N的基因，同源转化盐沼盐杆菌（Halobacterium salinarium）L33（BR），表达突变蛋白BRD96N和BRD38R／D96N通过显微视频方法对突变BR的M态光致变色特性进行记录，BRD38R／D96N的M态寿命为5s，约为BRD96N（M态寿命为3s）的1．7倍．对突变体的激光共聚焦拉曼光谱测定发现，在BRD96N中，1170cm^-1下移到1171cm^-1，1258cm^-1上移到1255cm^-1，而BRD38R/D96N中1170cm^-1下移到1173cm^-1；1258cm^-1。上移到1252cm^-1，而且BRD38R/D96N与BRD96N相比，1186cm^-1处的峰明显增强．近紫外区圆二色谱显示，两种突变体近紫外区的正负带虽然没有太大差别，但288nm和290nm处的极峰却差别显著．所有这些研究结果表明，细菌视紫红质Asp38（D38）突变为Arg（R）可以延长其光循环后半程M态和N态的寿命．     

化学浴沉积法制备ZnS薄膜

太阳能薄膜电池的ZnS缓冲层一般是采用化学浴沉积法制备。制备ZnS缓冲层过程中，采用氨水为主络合剂，水合肼为辅助络合剂，通过添加少量的分散剂丙三醇，调节沉淀团簇的大小，改善ZnS薄膜质量。薄膜结构和表面组织形貌分别采用X射线衍射仪测试和高性能光学显微镜观察。研究结果表明：在优化配方（ZnSO40．0075mol／L；SC（NH2）20．0075mol／L；氨水0．44mol／L；水合肼0．3mol／L）下，反应温度75℃和沉积时间60min时，得到的缓冲层光亮、平整。XRD衍射分析结果表明缓冲层主要成分为ZnS，存在少量Zn（OH）2。     

ZnO薄膜光催化亲水防雾

以普通钠钙载玻片为基片,采用溶胶一凝胶法制备了ZnO薄膜。XRD结果表明薄膜C轴取向明显,SEM显示颗粒大小为20nm左右,紫外可见光测定说明薄膜在可见光区域透光率基本为86%左右,透光率好,而接触角实验结果表明紫外照射ZnO薄膜30min,水滴能完全在薄膜上铺展,接触角为0°,具有很好     

脉冲激光沉积法制备La0.5Sr0.5CoO3薄膜及其结构和表面特性

利用脉冲激光沉积法在(001)取向的LaAlO3(LAO)衬底上实现了La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)薄膜的外延生长．主要研究了衬底温度(Ts)，激光能量(E1)和氧气压强(Po2)对薄膜结构和表面形貌的影响．X射线衍射结果显示在Ts=700—850℃的范围内沉积的LSCO薄膜都具有c轴取向．从扫描电子显微镜和原子力显微镜照片可以看出上述3个沉积参数中，氧压对LSCO薄膜表面形貌的影响最为显著，较低氧压下沉积的薄膜具有较光滑的表面．通过实验，确立了能够制备同时具有c轴取向和光滑表面的薄膜的最佳沉积参数范围．     

液相基底温度对A1薄膜中带状有序结构的影响

研究了液相基底温度对铝（A1）薄膜中具有准周期特征的带状有序结构的影响．实验发现，随着温度的升高，组成带状有序结构的矩形畴块平均长度先增大，随后减小．当沉积条件发生改变时，铝薄膜可呈现近似透明或金属色泽，并且在此两类薄膜中均可观察到带状有序结构．研究表明，硅油基底的物理特性随温度的变化对薄膜中内应力分布及微观结构有着重要的影响．     

溅射气压对DC磁控溅射制备AlN薄膜的影响

采用DC反应磁控溅射法,在Si(111)和玻璃基底上成功的制备了AlN薄膜。研究溅射过程中溅射气压对薄膜性能的影响。结果表明:薄膜中原子比N/Al接近于1;当溅射气压低于0.6 Pa时,薄膜为非晶态;当溅射气压不低于0.6 Pa时,薄膜的XRD图中均出现了6方相的AlN(100)、(110)和弱的(002)衍射     

AlN靶材射频磁控溅射制备AlN薄膜及性质研究

以AlN作为靶材,使用射频磁控溅射法在Si（100）和玻璃衬底上,在纯氮气气氛条件下制备得到AlN薄膜,并研究了衬底温度对溥膜的结构,形貌和性质的影响．实验表明,衬底温度为370℃的条件下制备的AlN溥膜具有C轴择优取向,薄膜表面均匀、致密和平整,均方根粗糙度为4．83nm．随着基片温度的增加,溥膜的折射率增加,对应着薄膜从非晶态到晶态过程的演变．     

共溅射CdTe掺Nd薄膜的结构和电导性能

采用共溅射法在ITo/玻璃基片上沉积CdTe掺Nd薄膜，并利用XRD和阻抗测试研究薄膜的结构和电导性能，结果表明，适当Nd掺入可以改善CdTe薄膜结晶特征和电导性能。     

"包络法"在Ba(ZrTi)O3铁电薄膜中的应用

采用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备B a(Z rT i)O3铁电薄膜,U-3010紫外光谱仪测量BZT薄膜的透射光谱,光谱表明制备的BZT薄膜样品厚度均匀,利用“包络法”计算出薄膜的厚度约为301.3nm并得到薄膜的复折射率随入射光频率的变化曲线,进一步拟和出BZT薄膜的透射谱.研究表明在紫外光区到近红外光区“包络法”计算精度高.     

Ba(Zr0.3Ti0.7)O3 铁电薄膜的制备

介绍了用溶胶-凝胶法(sol-gel)在Pt/Ti/SiO2/Si衬底和石英衬底上制备Ba(Zr0.3Ti0.7)O3铁电薄膜的基本原理、工艺过程及工艺特点;Sol-gel制备的Ba(Zr0.3Ti0.7)O3铁电薄膜表面平整、厚度均匀.     

化学氧化法制备TiO2基纳米线薄膜的研究

在NaOH溶液中,以H2O2为氧化剂原位化学氧化金属钛片,再通过H+交换、焙烧制得了TiO2基纳米线薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)考察了碱浓度对薄膜形貌的影响,用X射线光电子能谱(XPS)分析了纳米线薄膜的化学组成以及通过光电流测试研究了H+交换、焙烧处理对薄膜的光电化学性质的影响.研究结果表明,纳米线薄膜可以在很低的NaOH浓度下形成,浓度的改变对纳米线的形貌及直径有较大的影响;除几个纳米厚度的表面层为TiO2外,薄膜其实由3种不同价态的钛氧化物构成.光电流测试结果表明这种混合价态的钛氧化物纳米线薄膜的光催化性能明显要比前驱体钛酸钠或钛酸要高.     

丝网印刷制备FeS2(Pyrite)薄膜及其结构研究

本文采用丝网印刷方法制备了FeS2(Pyrite)薄膜,用x射线衍射确定了样品FeS2(Pyrite)薄膜的晶体结构,讨论了x射线衍射峰强、点阵常数以及晶粒尺寸等随薄膜厚度的变化.并用Rietveld方法对样品的结构进行了精修,确定了样品中S/Fe原子比的变化范围、键长、键角等结构常数.     

用非平衡磁控溅射法制备CNx薄膜

利用非平衡磁控溅射法,用一对石墨溅射靶,以N     

非晶GeO2-SiO2复合薄膜的制备及其红外吸收谱

采用锗－硅复合靶射频反应溅射技术,制备了ＧｅＯ_２含量ｘ＝０％～８１％的非晶ＧｅＯ_２－ＳｉＯ_２复合薄膜．用自动椭偏仪进行测量,得到复合氧化物薄膜中ＧｅＯ_２的含量．用傅里叶变换红外光谱仪测得此种薄膜的红外吸收谱随ＧｅＯ_２含量的变化关系,并讨论了其结构特征．