HCnS^＋和HSCn^＋（n=1～9）结构的ab initio研究

应用量子化学从头计算方法，在ＨＦ／６－３１Ｇ水平上，采用Ｂｅｎｙ优化法，优化了ＨＣｎＳ＾＋和ＨＳＣｎ＾＋（ｎ＝１￣９）两种同分异构簇离子的几何构型，计算了它们的电子总能量、相邻簇离子的能量差及其平均原子结合能。计算结果表明：ＨＣｎＳ＾＋比相应的ＨＳＣｎ＾＋稳定。计算结果还显示，无论是优化后的几何构型，还是各种能量值，均显示出明显的奇偶交替变化的趋势，ｎ为奇数的簇离子比相应的ｎ为偶数的簇离子稳定，这     

连续氢化法电感耦合等离子体发射光谱同时测定生物样品…

本文叙述用氢化法电感耦合等离子体发射光谱同时测定生物样品中痕量硒，砷，锡，锑的方法。比较了浓度为２．８８ｍｏｌ／Ｌ，４．８ｍｏｌ／Ｌ和６．０ｍｏｌ／Ｌ的ＨＣｌ对Ｓｅ，Ａｓ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｈｇ和Ｇｅ谱线强度的影响，也比较了ＮａＢＨ４溶液中ＶＣ对测定Ｓｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｓｎ，Ｈｇ和Ｇｅ的影响。在４．８ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌ浓度下，在１％ＮａＢＨ４溶液中加０．５％ＶＣ，ＨＹ－ＩＣＰ－ＡＥＳ的检出限是：Ｓｅ ０．     

Mn^4＋在钾钠铌酸锶钡晶体中的能态

测得了光折变材料锰掺杂的钾钠铌酸锶钡晶体（ＫＮＳＢＮ：Ｍｎ）的透过率，给出了晶体的能态结构，按配位场理论讨论了Ｍｎ＾４＋的作用机制，从微观结构上解释了ＫＮＳＢＮ：Ｍｎ的光学二极管效应。     

矢量场唯一性定理

本文证明了较一般情况下的矢量场唯一性定理，文献中常见的矢量场唯一性定理多为本文结果的特例。     

静磁场唯一性定理

给出了场内充以线性介质时，多边界面复连通区域内的静磁场唯一性定理，并讨论了在一些特殊情况下定理的表述．     

关于氢原子径向矩阵元〈n,l｜r｜n,l-1〉的一个注记(英文)

经研究指出流行文献中关于氢原子径向矩阵元〈ｎ，ｌ｜ｒ｜ｎ，ｌ－１〉的结果的符号是错误的。     

H=B0／μ0的判据与静磁场的两种物理图象

本指出：在均匀介质情况下Ｈ＝Ｂ０／μ０的判据可简化为Ｂｎ＝０；在介质图象下，“Ｈ仅与自由电流和介质的分布有关，而与磁化电流无关”的结论并不错。本还举例说明了静磁场中两种物理图象的应用。     

镜象电流选择的唯一性

利用稳恒磁场边值问题解答的唯一性定量和维尔斯特拉斯定理讨论了镜象电流选择的唯一性。     

含不同211相颗粒的区域熔炼YBa2Cu3O6＋x样品的临界电流

在５５－７８Ｋ的温度范围内，最大磁场为２．３Ｔ下，用ＶＳＭ测量了含Ｙ２ＢａＣｕＯ５颗粒的区域熔炼ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｘ的磁滞回线。利用Ｂｅａｎ模型计算了磁临界电流密度，发现Ｊｃ与外加磁场Ｈ有一普适关系。实验结果能用集体钉扎理论解释。我们同时发现Ｙ２ＢａＣｕＯ５（２１１）颗粒在磁通钉扎中有很大作用，在较高增场下，随２１１相颗粒含量的增加，样品的Ｊｃ下降越缓慢。     

氢吸附对掺杂SnO2薄膜电子结构的影响

应用ＸＰＳ技术研究了掺杂ＳｎＯ２薄膜吸附Ｈ２前后电子结构的变化，观测到掺杂到Ｓｂ和Ｐｄ化学状态明显改变，发现掺杂剂Ｓｂ对ＳｎＯ２薄膜Ｆｅｍｉ能级的影响；同时，分析了掺杂Ｓｂ和Ｐｄ对ＳｎＯ２薄膜气敏特性的影响机制。     

H_n~ 团簇形成的氏理论与结构计算

对于Ｈ＋ｎ的形成，艹勾清泉教授指出，可先以Ｈ＋离子为中心，瞬时地分别与周围（ｎ－１）个Ｈ原子相互作用，形成中心氢核同周围氢核间的（ｎ－１）个瞬时单电子键，这些单电子键围绕中心转动共振，从而使Ｈ＋吸引周围（ｎ－１）个Ｈ原子形成Ｈ＋ｎ团簇。对采用此模型计算的Ｈ＋ｎ（ｎ＝５，７，９，１３）的正多面体中心结构结果，作了规律性的总结，获得了对Ｈ＋ｎ团簇结构的进一步认识     

硅基低维半导体材料

Ｓｉ／Ｇｅ超晶格外延生长技术的发展和纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）多孔硅（ＰＳ）发光现象的发现，引起了们们对硅基低材料的关注，文章简要综述了近年来在Ｓｉ／Ｇｅ超晶格的电子态和光学性质以及ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ，ＰＳ的结构和发光机理等方面的研究进展。     

掺杂SnO2气敏特性的量子化学研究

本文用ＣＮＤＯ／２方法讨论了经Ｓｂ，Ｐｄ，Ａｇ掺杂杂后的ＳｎＯ２对ＣＯ，Ｈ２，ＣＨ４的可能吸附方式，并讨论了ＳｎＯ２的表面吸附以及掺杂剂对气敏电子输运过程的作用，表明Ｓｂ，Ｐｄ，Ａｇ的作用在于提供或接收载流子，并以５Ｓ，５ｐ轨道为主要的输运通道。     

元素在探针表面上的原子化机理研究

探针原子人经法是一种新技术，本文系统地总结了用探针原子化法研究Ａｕ（１Ｂ），Ｓｒ（ⅡＡ），Ｃｄ（ⅡＢ），Ａｌ（ⅢＡ），Ｌａ，Ｓｍ，Ｆｕ（ⅢＢ），Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ（ⅣＡ），Ｓｂ，Ｂｉ（ⅤＡ），Ｖ（ⅤＢ），Ｃｒ，Ｍｏ（ⅥＢ），Ｍｎ（ⅦＢ），Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｔ（Ⅷ）等２０个元素的原子化机理了起源于卤化物分解的元素有Ａｕ与Ｐｔ，起源于氧化物分解的元素有Ｃｄ，Ａｌ，Ｌａ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｅ，Ｍｎ与Ｆｅ。     

｜ω｜滤波器对卷积滤波法进行非线性参量B／A成像的影响

非线性声参量Ｂ／Ａ是医学超声组织定征的一个新参量，利用Ｘ射线ＣＴ成像的算法──卷积滤波法可以对一个简单样品进行非线性参量Ｂ／Ａ计算机模拟成像。本文研究了四种｜ω｜滤波器，即ＲＬ滤波器，ＳＬ滤波器，抛物线滤波器和改进的ＳＬ滤波器，分析了它们对卷积滤波法非线性参量成像的图像质量的影响。     

［NaXY」_2W_nMo_（6－n）O_（19）的~1HNMR和IR研究

本文对二种具有新奇结构的［ＮａＸＹ］２ＷｎＭｏ６－ｎＯ１９（Ⅰ．Ｘ＝ＤＢ１８Ｃ６，Ｙ＝ＣＨ３ＯＨ，ｎ＝４；Ⅱ．Ｘ＝ＤＢ２４Ｃ８，ｎ＝１）冠醚钼钨杂多酸超分子配合物进行了核磁共振和红外光谱测定，判定了谱图的归属并考察了结构与谱学参数之间的关系。     

H^＋n团族形成的Guo氏理论与结构计算

对于Ｈ＾＋ｎ的形成，Ｇｕｏ清泉教授指出，可先以Ｈ＾＝离了为中心瞬时地分别与周转个Ｈ原子相互作用，形成中心氢核同周围氢核间的（ｎ－１）个瞬时单电子键，这些单民子键围绕中心转动共振，从而使Ｈ＾＋吸引周围（ｎ－１）个Ｈ原子形成Ｈ＾＋ｎ团簇。     

BaSn＿（1－x）Sb＿xO＿（3－δ）和Ba＿（1－y）La＿ySnO＿（3－δ）的导电机制

测量了ＢａＳｎ＿（１－ｘ）Ｓｂ＿ｘＯ＿（３－δ）和Ｂａ＿（１－ｙ）Ｌａ＿ｙＳｎＯ＿（３－δ）样品的低温电阻率和磁化率．实验结果表明，在较低温度区域，两类样品的导电机制均是传导电子的范围可变跳跃。而在较高温度区域，ＢａＳｎ＿（１－ｘ）Ｓｂ＿ｘＯ＿（３－δ）样品的电导主要是电子从定域态到扩展态的跃迁所贡献，Ｂａ＿（１－ｙ）Ｌａ＿ｙＳｎＯ＿（３－δ）样品的电导则可能来源于电子的最近邻跳跃。     

二源矢量场的唯一性定理

曹昌祺先生所著《电动力学》的附录中，对矢量场唯一性定理叙述为：“一个矢量场被它的散度、旋度和边值条件（法线或切线分量）唯一确定．”［２］《大学物理》１９８６年第１１期柯元明的文章［１］认为，切线分量未必能够唯一确定矢量场．笔者在柯文的启示下，提出二源矢量场唯一性定理，作为柯文的补充，把柯文提出的问题和曹先生对唯一性的提法统一起来．     

YBa2Cu3O7-δ高温超导织构体中含Sn氧化物的稳定相

通过在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导体中加入各种含Ｓｎ氧化物,如ＳｎＯ２和Ｙ２Ｓｎ２Ｏ７等,生长织构样品,并通过粉末Ｘ射线衍射,电子探针等手段分析其相组成,研究织构体中含Ｓｎ氧化物的稳定相。发现φ相（Ｂａ２Ｓｎ［Ｓｎ１／３－ｘＣｕｘＹ２／３］Ｏ６）可能是其中的一个稳定相,这与参考文献［３］的报道相符。但我们仍不能排除ＢａＳｎＯ３和Ｂａ２ＳｎＯ４作为稳定相存在的可能性。结果有利于帮助分析含Ｓｎ氧化物在织