一种具有稳定发射光谱的高效率白色有机电致发光器件

报道一种具有稳定发射光谱的新型白色有机电致发光器件. 选择DCJTB 作为红光染料将其掺入空穴传输材料NPB 中作为空穴传输层和第一发光层, 提供蓝光和红光; 选择AlQ 作为电子注入敏化剂, 将其掺入NPB 中作为第二发光层, 提供蓝光和绿光. DCJTB和AlQ 的掺杂浓度分别被优化为0.4%和1.4%, 第二发光层的厚度被优化为3 nm. 最终,得到了纯白色发射的有机电致发光器件; 该器件启亮电压仅3.1 V, 最大亮度高达32749 cd/m², 器件的最大电流效率为8.67 cd/A, 器件的最大功率效率为8.78 lm/W. 而且, 空穴型主体材料的选择导致该器件的色稳定性非常理想. 随着电流密度的提高, 该器件的色坐标始终稳定在(0.343, 0.342)到(0.328, 0.336)的范围内.     

基于5-芳基-2-巯基噁二唑辅助配体的双核环金属铂配合物的合成及高效电致红光发光器件

设计合成了一种新型的基于5-芳基-2-巯基噁二唑辅助配体的双核环金属铂配合物（dfppy）2Pt2（C8OXT）2,其中dfppy为2-（4,6-二氟苯基）吡啶,C8OXT为5-苯基-2-巯基-1,3,4-噁二唑桥连配体.系统研究了该双核铂配合物（dfppy）2Pt2（C8OXT）2的热稳定性、光物理、电化学及电致发光性能.以（dfppy）2Pt2（C8OXT）2作为客体掺杂到聚合物主体材料中制备了单发光层聚合物电致发光器件.器件展现了饱和的红光发射,其最大发射峰为620nm.当配合物掺杂浓度为8wt%时,器件性能达到最好.其最高外量子效率为8.4%,最高电流效率为4.2cd/A,最大亮度为3228cd/m2.本研究表明,以5-苯基-2-巯基-1,3,4-噁二唑作为桥连配体的双核铂配合物在聚合物器件中能够实现高效红光发射.     

水热合成稀土氟化物材料YLiF4：Yb，Tm的上转换发光特性

利用水热法合成了掺杂Tm^3 和Yb^3 的YL^3 材料，并研究了Tm^3 和Yb^3 在材料中的光吸收，以及980nm红外光激发下不同Tm^3 浓度掺杂下的上转换发光特性。实验发现，在980nm激光激发下，材料可发出可见光。上转换发光光谱中包括蓝光和红光。与蓝光相比，红光强度要弱1～2个数量级。上转换发光强度和浓度关系研究显示，当Tm^3 浓度为0．3％(摩尔分数)时上转换发光达到最强，大于0．3％(摩尔分数)后发光开始减弱。通过分析输出光强与泵浦功率的双对数曲线，发现Tm^3 的蓝光发射和红光发射均属于双光子过程。     

中位四(1-苯基吡唑-4-基)卟啉掺杂空穴传输材料的红色有机电致发光器件(英文)

使用中位-四(1-苯基吡唑-4-基)卟啉(TPPyPH2)掺杂空穴传输材料N,N′-二苯基-N,N′-双(4-甲苯基)-1,1′-二苯基-4,4′-二胺(TPD)制备了红色有机电致发光器件.因为TPD的发射光谱与TPPyPH2的吸收光谱具有更大的光谱重叠,为了得到更为有效的从主体材料TPD向红光染料TPPyPH2的能量传递,我们使用TPD代替传统的8-羟基喹啉铝(Alq3)作为主体发光材料.器件在680nm处具有纯的红光发射峰;通过使用Alq3电子传输层以及使用Alq3共掺杂发光层的方法,使器件的发光性能得到了改善,结构为ITO/Alq3+TPPyPH2+TPD(50nm)/Alq3(30nm)/Al的器件的最大发光亮度为177cd/m2.     

BePP2和PPGaCl2共沉积膜电致发光性能——发光颜色与驱动电压的依赖关系

通过酚基吡啶配体合成了两种新的金属配合物电致发光材料BePP2和PPGaCl2（PP＝2－（2－羟基苯吩基吡啶））,研究了BePP2和PPGaCl2共沉积发光层的电发光性质,得到了不同电压下颜色可调的电发光器件[ITO/TPD/BePP2（质量分数25％）和PPGaCl2（质量分数75％）／Al]。     

无间隔层结构的高效率荧光/磷光混合型白光有机发光二极管

采用磷光红光/荧光蓝光/磷光绿光无间隔层三发光层结构,制备出了高效率荧光/磷光混合型白光有机发光二极管(OLEDs),其中选取具有高荧光量子产率(PLQY)的荧光染料4P-NPD(双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]四联苯)作为蓝光发射分子,以及常用的高效磷光染料Ir(MDQ)₂(acac)和Ir(ppy)₃(acac)分别作为红光和绿光的客体,通过混合和掺杂的方法制备了相应的发光层,实现了发光层中激子的有效利用和白光发射。 制备的白光器件最大电流效率和功率效率分别达到了27.1 cd/A和30.3 lm/W,当电压为6 V时,CIE色坐标为(0.33,0.41),显色指数CRI为70,色温CCT为5432 K。 在此基础上,设计制备了高色温的荧光/磷光混合型白光OLEDs,其色温(CCT)达到了7106 K。     

用于1．54μm微片激光器的高Er^3＋／Yb^3＋共掺杂的氟铝酸盐玻璃

本文系统制备了980nm半导体崩浦的应用于1．54μm波段微片激光器的高Er^3 ／Yb^3 共掺杂的氟铝酸盐玻璃。通过玻璃的吸收光谱，发射光谱和上转换荧光光谱的测试，对其光学性质、浓度淬灭及其淬灭机制进行了分析和讨论。当玻璃中Er^3 离子掺杂浓度低于10mol％的情况下，浓度淬灭现象较弱，Er^3 ／Yb^3 共掺杂的氟铝酸盐玻璃在由于Er^3 离子^4 I13／2→4^I 15／2跃迁所引起的1．54μm波段的发射强度比Er^3 单掺杂的氟铝酸盐玻璃中的荧光强度要强。在Er^3 离子掺杂浓度高于10mol％的情况下，由于Er^3 与Yb^3 之间的反能量转移过程，Er^3 ／Yb^3 共掺杂的氟铝酸盐玻璃的1．54μm波段的荧光浓度淬灭效应比Er^3 离子单掺杂的情况下明显。在Er^3 离子掺杂浓度小于10mol％的情况下，实验中发现可获得1．54μm波段高发射效率的Er^3 与Yb^3 离子最佳摩尔浓度掺杂比例约为1：1。     

ZnS:Tm的薄膜电致发光及激发过程

用电子束蒸发的方法制备了传统的双绝缘层的ZnS:Tm的薄膜电致发光器件，对其电致发光谱进行分析，在光致发光中，Tm离子受到基质ZnS的无辐射能量传递，而在电致发光中，Tm被过热电子碰撞激发而非能量传递，在所研制的电致发光器件中，稀土TmF3掺杂浓度不同，器件的发光性能也不同，在双绝缘层的ZnS:Tm的薄膜电致发光器件的基础上，改变器件的结构，发现器件的蓝光发射与红光发射之比增加，并对Tm离子可能的发光机理进行了探讨。     

水热合成稀土氟化物材料YLiF4∶Yb,Tm的上转换发光特性

利用水热法合成了掺杂Tm3 和Yb3 的YLiF4材料, 并研究了Tm3 和Yb3 在材料中的光吸收, 以及980 nm红外光激发下不同Tm3 浓度掺杂下的上转换发光特性. 实验发现, 在980 nm激光激发下, 材料可发出可见光. 上转换发光光谱中包括蓝光和红光. 与蓝光相比, 红光强度要弱1～2个数量级. 上转换发光强度和浓度关系研究显示, 当Tm3 浓度为0.3% (摩尔分数)时上转换发光达到最强, 大于0.3% (摩尔分数)后发光开始减弱. 通过分析输出光强与泵浦功率的双对数曲线, 发现Tm3 的蓝光发射和红光发射均属于双光子过程.     

共掺杂稀土配合物Tb0.5Eu0.5(asprin)3phen电致发光的研究

合成了共掺杂稀土配合物Tb0.5Eu0.5(asprin)3phen，将其掺杂到导电聚合物PVK中，制成结构为ITO／PVK：RE配合物／PBD／Al的电致发光器件，与PVK：Eu(asprin)3phen体系为发光层的相同结构的器件相比，我们发现铽离子的引入能猝灭PVK的发光，增强铕的发光，而Tb3 本身的发光很弱，几乎看不到，说明Pb3 在其中起到能量的中间传递作用，促进了PVK到Eu^3 的能量传递，本文就器件的发光特性及掺杂体系的能量传递进行了初步讨论。     

稀土配合物Eu(DBM)3为发光体的有机电致发光器件

分别以稀土配合物为发光中心，以PPV、Alq3为空穴输送层和电子输送层制备了结构为ITO／PPV／PVK：PBD：Eu（DBM）3／Alq3／Al的电致发光器件，其中发射层由旋涂法形成，该器件的最大亮度为52cd·m－2，且具有很好的单色性。     

稀土铽配合物TbY(m-MOBA)6(phen)2·2H2O的有机电致发光单层器件的研究

将新型稀土配合物TbY(m-MOBA)6(phen)2·2H2O掺杂到导电聚合物PVK中改善了铽配合物的成膜特性和导电性质.用此掺杂体系制作了单层发光器件,发现掺杂浓度为1:5,甩膜转速为1000r·min-1时器件的发光效果最好,起亮电压为9 V,最大亮度在17 V时达到15.7cd·m-2.对比[Tb(m-MOBA)3phen]2·2H2O的单层器件的发光,说明Y3 的存在促进了PVK到Tb3 的能量传递.     

Eu3+掺杂双钙钛矿Sr2CaMoO6橙红色荧光粉的结构特征及其发光性能

采用EDTA-柠檬酸联合配位法制备一系列组成的(Sr1-xEux)2CaMoO6橙红色荧光粉。通过X射线衍射、拉曼光谱、扫描电镜及荧光光谱研究不同Eu3+离子掺杂浓度下Sr2CaMoO6∶Eu3+荧光粉的晶体结构、掺杂位置、形貌及其光致发光性能。Rietveld全谱拟合结果表明:掺杂后样品为(Ca/Mo)O6八面体少量倾斜的空间群为P21/n的正交双钙钛矿结构,随着Eu3+离子共掺杂浓度的增加,样品的晶胞体积减小;Eu3+离子取代八面体间隙的Sr2+位置致使双钙钛矿的T2g(1)拉曼振动模发生蓝移;在近紫外区宽而强电荷迁移带和蓝光激发下,该荧光粉分别发射以Eu3+离子5D0-7F1磁偶极跃迁为主的橙光和以5D0-7F2电偶极跃迁为主的红光,组成为(Sr0.98Eu0.02)2CaMoO6的荧光粉具有最强的橙红光发射强度,是一种潜在的适用于近紫外LED芯片的光转换红光材料。     

基于Zn(Q-Ph)2与DCJTB非掺杂型OLED的制备及其电致发光性能研究

合成了有机发光材料2-苯基-8-羟基喹啉锌Zn(Q-Ph)2, 通过1H NMR, UV-Vis及MS等手段对配合物进行了结构表征. 利用该材料与高效的红光染料DCJTB复合制备出全新结构的非掺杂型OLED器件, 其结构为ITO/NPB/DCJTB/Zn(Q-Ph)2/AlQ3/Al. 将DCJTB超薄层的厚度调节到0—2.0 nm范围内, OLED器件的发光色调经历了黄光、红光和橙光的转变, 并且探讨了DCJTB厚度对OLED发光机理以及发光复合区域的影响. 当DCJTB的厚度为0.5 nm时, 获得了稳定的红光发射, 该器件在5.5 V电压下启亮, 在25 V外加电压下发光亮度达到420 cd/m2, 对应的电流密度为250 mA/cm2.     

聚芴主链含D-A型萘并噻二唑和苯并硒二唑衍生物的红光高分子发光材料

设计合成了新型的含萘并噻二唑（NT）或苯并硒二唑（BS）电子受体单元的D-A型红光掺杂剂,将它们引入到聚芴(PFO)的主链,调节掺杂剂含量,合成了一系列具有“掺杂剂/主体”特性的红光高分子材料含萘并噻二唑衍生物的聚芴(PFR-xNT)和含苯并硒二唑衍生物的取芴(PFR-xBS)。 这些红光高分子的吸收光谱主要表现为聚芴主体的吸收,荧光光谱既有主体聚芴的蓝光峰,也有掺杂剂的红光峰,并且红光峰的相对强度随着掺杂剂含量的增加而增强。 与光致发光光谱不同,这些高分子的电致发光光谱主要表现为掺杂剂的红光发射,并在掺杂的摩尔分数达到1%时实现了主体聚芴向红光掺杂剂的完全能量转移。 其中PFR-10NT和PFR-10BS的单层器件(ITO/PEDOT:PSS/Polymer/Ca/Al)(PEDOT:聚3,4-乙烯二氧噻吩;PSS:聚苯乙烯磺酸)分别实现了电流效率1.61 cd/A,最大发射波长632 nm,CIE色坐标（0.63,0.35）以及电流效率1.10 cd/A,最大发射波长620 nm,CIE色坐标（0.63,0.36）的高效红光发射。     

La_7O_6(BO_3)(PO_4)_2∶Eu~(3+)/Tb~(3+)荧光材料的制备及其光致发光性能

采用优化的高温固相方法制备了稀土离子Eu~(3+)和Tb~(3+)掺杂的La_7O_6(BO_3)(PO_4)_2系荧光材料,并对其物相行为、晶体结构、光致发光性能和热稳定性进行了详细研究。结果表明,La_7O_6(BO_3)(PO_4)_2∶Eu~(3+)材料在紫外光激发下能够发射出红光,发射光谱中最强发射峰位于616 nm处,为5D0→7F2特征能级跃迁,Eu~(3+)的最优掺杂浓度为0.08,对应的CIE坐标为(0.610 2,0.382 3);La_7O_6(BO_3)(PO_4)_2∶Tb~(3+)材料在紫外光激发下能够发射出绿光,发射光谱中最强发射峰位于544 nm处,对应Tb~(3+)的5D4→7F5能级跃迁,Tb~(3+)离子的最优掺杂浓度为0.15,对应的CIE坐标为(0.317 7,0.535 2)。此外,对2种材料的变温光谱分析发现Eu~(3+)和Tb~(3+)掺杂的La_7O_6(BO_3)(PO_4)_2荧光材料均具有良好的热稳定性。     

Ce4+和Eu3+共掺杂的Ca2SnO4发光材料的合成与光谱特性

利用高温固相反应法合成了Ce4 和Eu3 共掺杂的Ca2-xEuxSn1-yCeyO4样品,并对其结构和发光特性进行了研究。X射线衍射结果显示,在Ca2SnO4中同时掺入Ce4 和Eu3 离子没有改变其晶体结构。Ca2-xEuxSn1-yCeyO4样品的发射光谱随Eu3 掺杂浓度产生很大变化,当Eu3 掺杂浓度低时,样品中同时存在着Ce4 -O2-的蓝光发射和Eu3 的红光发射;当Eu3 掺杂浓度较高时,样品呈现出Eu3 离子的红光发射。Ce4 -O2-蓝色发光的寿命约为81μs,其能量来源于O2-和Ce4 离子间的电荷迁移吸收;而Eu3 红色发光的寿命约为830μs,其能量来源于O2-和Eu3 离子间的电荷迁移吸收。Eu3 -O2-键比Ce4 -O2-键更容易吸收紫外光,两者之间没有能量传递现象。     

苯并噻唑酮类热活化延迟荧光材料的合成及其光电性能研究

以苯并噻唑-2-基(苯基)甲酮作为受体,具有强给电子能力的吩噁嗪和吩噻嗪作为给体构筑给体-受体(D-A)型分子,设计合成了两种具有聚集诱导发光(AIE)特性的热活化延迟荧光(TADF)红光材料3和4,并对它们的热稳定性、电化学性质、单晶结构、光物理性质和电致发光性能进行了系统研究.两种化合物具有较小的单三线态能级差(ΔE_ST,0.04和0.16 eV)以及微秒级延迟寿命(0.63和1.30μs),表现出明显的TADF特性.通过对比化合物在粉末状态下研磨前后的发射光谱,发现化合物4具有明显的力致变色发光现象.在纯薄膜下,两种化合物的发射峰分别为683和654 nm,光致发光量子产率(PLQY)分别为0.8%和3.6%.基于化合物3和4的非掺杂有机发光二极管(OLED)器件,均获得了纯红光发射(662和652 nm),器件的最大外量子效率(EQE)分别为0.15%和0.34%.虽然基于这两种化合物的器件发光效率有待提升,但它们的合成过程简便,能为开发苯并噻唑酮类TADF红光材料提供一定的启发.     

新型稀土芳香羧酸类配合物的合成及其光致和电致发光性质

合成了新型可溶性稀土芳香羧酸类配合物，测定了有机配体的三重态能级，并考察了其光致发光相对强度、荧光寿命，发现该系列稀土配合物具有很高的光致发光效率。利用其优良的溶解性，采用高聚物掺杂、旋涂技术将其制成薄膜应用于电致发光研究中，成功地制备出具有高色纯度的稀土有机电致发光器件。对于ITO／PVK／PVK：Tb(AS)3Phen：PBD／PBD／Al电致发光器件，其最大亮度为32cd．m^-2。     

聚合物掺杂的高亮度磷光有机电致发光器件

采用新型贵金属铱的配合物(pbi)2Ir(acac)作为客体磷光发光材料, 分别以4%和5%(w)的浓度掺杂于聚合物主体材料poly(N-vinylcarbazole) (PVK)中, 利用旋涂工艺制备了结构为indium-tin oxide (ITO)/PVK:(pbi)2Ir(acac)/2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)/Mg:Ag的有机电致发光器件, 对磷光材料(pbi)2Ir(acac)的紫外-可见吸收光谱﹑光致发光光谱以及聚合物掺杂的磷光器件的电致发光特性进行了研究. 结果表明, 两种掺杂浓度的器件均具有8 V左右的启亮电压, 器件在启亮后的最大流明效率分别为1.53和1.31 lm·W-1, 最大亮度分别为11210和9174 cd·m-2; 同时, 器件的电致发光光谱与色坐标均不随偏置电压和客体掺杂浓度的变化而改变, 具有稳定的色纯度. 分析了主体材料PVK到磷光客体(pbi)2Ir(acac)的能量转移机制, 并探讨了随着器件电流密度和客体掺杂浓度的逐渐增加, 器件流明效率的变化趋势.