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磁性薄膜研究的现状和未来 总被引:14,自引:0,他引:14
概括介绍了近十几年来磁性薄膜研究的主要成果、应用和可能的发展情况,主要内容有:钙钛矿结构氧化物薄膜的磁性和庞磁电阻效应,磁性金属多层 膜的层间耦合和巨磁电阻效应及磁电阻磁头应用情况,光存储技术纳米点阵存储技术,磁电子学。 相似文献
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评述了近年来迅速发展的金属多层膜与超晶格中的磁性激发理论和实验。着重于借助 布里渊散射在双层、多层膜中新发现的自旋波模式。首先介绍了磁性介质中自旋波模式的 一般理论,比较了观测自旋波的实验方法,然后,对单层、双层、多层膜中的理论结果作 一总结,并与实验进行了比较,最后讨论了一种新的磁性超晶格——反平行磁化超晶格中 的自旋波。 相似文献
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金属多层膜调制周期下降到纳米级时,其力学性质会发生显著改变. Cu-Ni晶格失配度约为2.7%,可以形成共格界面和半共格界面,实验中实现沿[111]方向生长的调制周期为几纳米且具有异孪晶界面结构的Cu/Ni多层膜,其力学性质发生显著改变.本文采用分子动力学方法对共格界面、共格孪晶界面、半共格界面、半共格孪晶界面等四种不同界面结构的Cu/Ni多层膜进行纳米压痕模拟,研究压痕过程中不同界面结构类型的形变演化规律以及位错与界面的相互作用,获取Cu/Ni多层膜不同界面结构对其力学性能的影响特征.计算结果表明,不同界面结构的样品在不同压痕深度时表现出的强化或软化作用机理不同,软化机制主要是由于形成了平行于界面的分位错以及孪晶界面的迁移,强化机制主要是由于界面对位错的限定作用以及失配位错网状结构与孪晶界面迁移时所形成的弓形位错之间的相互作用. 相似文献
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铁磁金属多层膜(81NiFe/Cr)面上刻蚀平行线凹槽(500线/mm)以及多孔超薄多层膜(Co/Cu),在T<4.2K时,磁电阻特性反常。可解释为介观效应。 相似文献
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科学的新发展常常以技术的进步为先导.正是由于薄膜技术的高度发展,人们可以逐个原子层地制备薄膜和控制薄膜的生长,从而激发起科学家们去研究人造超晶格的结构.所谓超晶格是指几种不同材料按一定厚度作周期性交替生长的多层薄膜结构。 一、历史概况 超晶格的研究首先是从半导体材料开始的(譬如 GaAs/AlAs).近年来对非晶态半导体也作过超晶格研究,如1983年美国EXXON公司的B.Abeles和 T.Tiedje[1]介绍的非晶 a-Si:H/a-SiNx:H等.近年来人们对金属超晶格进行了研究[2].过去,人们也曾无意识地研究过金属多层膜问题,如早期从X射线角度研… 相似文献
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磁电子学讲座第三讲 磁性金属多层膜中的巨磁电阻效应 总被引:2,自引:0,他引:2
在许多磁性金属多层膜系统中都存在巨磁电阻效应,这些系统是由厚度为几个纳米的磁层与非磁层交替重叠而构成.出现巨磁电阻效应的必要条件是系统的磁化状态能被外加磁场所改变.该效应的物理原因是传导电子在界面处或磁层内的所谓自旋相关散射.层间耦合随隔离层厚度变化而振荡的现象,在隔离层为非磁过渡金属和贵金属的系统中普遍存在.自旋阀多层结构在信息存储技术中磁电阻“读出”头方面极具应用前景. 相似文献
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磁性金属多层膜中的巨磁电阻效应 总被引:6,自引:0,他引:6
在许多磁性金属多层膜系统中都存在巨磁电阻效应,这些系统是由厚度为几个纳米的磁层与非磁层交替重叠构成,出现巨磁电阻效应的必要条件是系统的磁化状态能被外加磁场所改变。该效应的物理是传导电子在界面处或磁层内的所谓自旋相关散射,层间耦合随隔离层厚度变化而振荡的现象,在隔离层为非磁过渡金属和贵金属的系统中普遍存在,自旋阀多层结构在信息存储技术中磁电阻“读出”头方面极具应用前景。 相似文献
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第三届金属多层膜、磁性超薄膜及超薄膜纳米结构国际研讨会于1998年6月14日至19日在加拿大温哥华市举行.这次会议由加拿大的西蒙弗雷索大学主办,不列颠哥伦比亚大学承办,会场设在不列颠哥伦比亚大学的会议中心.来自23个国家的300多位代表参加了本次大会... 相似文献