28.7MeV/u的 14，16，18 O+7，9Be反应中的同位素分布研究

用同位旋相关的Boltzmann-Langevin方程研究了在入射能量为28.7MeV/u下,不同弹核^14O,^16O和^18O轰击不同靶核^7Be和^9Be的反应,计算了生成碎片的产生截面,发现用丰中子（缺中子）炮弹或丰中子（缺中子）靶进行反应,所得到的产物均有丰中子（缺中子）的碎片出现。同位素分布宽度和峰位与入射体系密切相关,产生碎片的电荷数越接近入射弹核的电荷数,则同位素分布的宽度越大,峰位偏离β稳定线值越远,其同位旋效应越明显。。     

35MeV/u 36,40Ar+112,124Sn反应中同位旋自由度的弛豫

35MeV/u ^36,40Ar+^112,124Sn反应中,在前角5°和20°观测到丰中子核与稳定核的产额比随粒子出射动能的增加而减小,而缺中子核与稳定核的产额比随动能的增加而增加.对于某种元素,随着动能的减小,其平均中质比逐渐由弹核N/Z向靶核N/Z过渡.这些现象表明在这样的入射能量下,周边或近周边碰撞过程中同位旋自由度没有完全达到平衡.这种行为对两个靶核系统是相似的,但是同位素产额比的绝对值在5°没有靶核相关性,而在20°处却表现出明显的靶核相关性.     

用QMD模型研究晕核11Be+208Pb的熔合机制

通过用QMD模型研究晕核¹¹Be+²⁰⁸Pb的近垒熔合反应,发现晕核引起的熔合反应中,并存着两种相互竞争的机制:一方面当入射晕核¹¹Be靠近靶核时,由于¹¹Be是弱束缚体系,与靶核的相互作用可使其很容易破裂或少数核子被靶核俘获形成核子转移反应,从而对于熔合表现出压制;另一方面当¹¹Be的少数中子进入靶核并与靶核相互作用而使得靶核有些激发,而使局部半径增大,导致熔合势垒降低,熔合截面增强.用QMD模型计算出的熔合截面与实验值基本符合,垒附近表现出增强效应.     

6.3—24.6MeV/u 40Ar+natW反应中Hf的生成研究

用放射化学方法研究了6.3—24.6MeV/u ⁴⁰Ar+^natW反应中Hf的生成,得到了Hf同位素的激发函数、反冲性质和同位素分布.指出利用HIRFL能量的重离子和丰中子靶核作用,能以一定的截面生成A>170区丰中子新核素.利用中能重离子的强穿透力特点,使用厚靶,可以明显地提高丰中子新核素的产额.过高的入射能量对新核素生成无明显贡献.     

25MeV/u 40Ar引起的反应中碎片同位素分布的研究

本文描述了25MeV/u ⁴⁰Ar+²⁷Al、⁵⁸Ni、¹¹⁵In反应中在小角区方向测得的出射碎片同位素分布及其产额,给出了出射碎片的中子数与质子数之比(N/Z)和靶核的关系. 并对出射碎片的来源进行了分析.     

47MeV/u 12C同133Cs反应碘同位素产额的测定

用放化法测量了47MeV/u ¹²C同¹³³Cs相互作用时碘同位素的产额.发现碘同位素产额分布曲线的峰位在¹²⁴I附近,半宽度为6.5质量单位,最可几产物的质量损失为9.2个质量单位.靶核削裂2个质子的产物¹³¹I的形成截面约0.47—0.87mb,没观察到靶核削裂2个质子,再俘获1个中子的产物¹³²I的活性.     

朗之万方程模拟核裂变碎片的同位旋标度

使用结合朗之万方程和统计分支的组合模型模拟¹¹²Sn+¹¹²Sn和¹¹⁶Sn+¹¹⁶Sn两个同位旋相关的反应系统, 通过高斯分布采样的方式得到了核裂变的碎片分布, 将两系统碎片的同位素和同中子异位素的分布相比, 发现存在同位旋标度律现象. 同时提取了同位旋标度系数, 发现同位旋标度系数是和碎片分布宽度相关的, 并且同能量、单位质量的粘滞系数也有很强的依赖关系.     

50MeV/u 18O离子轰击Be、Cu和Au厚靶的中子产额和中子发射率

用阈探测器中子活化法测量了50MeV/u ¹⁸O离子轰击Be.Cu和Au厚靶的总中子产额和前向中子发射率. 实验结果表明,中子产额对靶核原子序数有一定的依赖性,较轻靶子的中子产额和中子发射率高于较重的靶子;当靶核(Cu)和入射离子单核能(50MeV)相同时,¹⁸O离子的中子产额约为¹²C离子的4倍.     

30MeV/u 40Ar+58,64Ni和115In反应中中等质量碎片的角分布

在5°—140°范围内测量了30MeV/u ⁴⁰Ar束流轰击不同靶核(⁵⁸Ni、⁶⁴Ni、¹¹⁵In)后出射的中等质量碎片(IMF,Z=3—19)的角分布.用指数分布函数dσ/dΩ=N·exp(–θ/α)对出射碎片角分布分角区做了拟合.对3个反应系统分别提取出与相互作用时间有关的衰减因子α和与发射源强度有关的物理量N,讨论了α与N在不同角区与反应系统和出射IMF电荷数的关系.考察了角分布与同位旋自由度和反应系统对称性的关系.     

600MeV 18O+natPb(厚靶)系统生成Hg同位素独立产额测量(Ⅱ)结果与分析

报道了600MeV ¹⁸O轰击^natPh(厚靶)生成的质量数在180—209之间的Hg同位素产物独立截面的测量结果.通过与600MeV质子轰击天然铅靶生成Hg同位素产额分布的比较,讨论了几个质量区段Hg同位素的生成机制.测量结果也与相对论重离子碎裂反应双质子移出道的产额分布进行了比较.结果表明,中能重离子与中子较富集靶核组成的反应系统对生成丰中子类靶余核具有较明显的优势.